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後沉積之一氧化二氮氣體電漿處理對二氧化鉿堆疊式閘極金氧半場效電晶體電性之影響

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Academic year: 2021

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數據

Fig. 1-3 Several high-k gate dielectric materials with their bandgaps and dielectric constants.[3]
Fig. 2-6 Transconductance characteristics and (b) Normalized transconductance characteristics of pMOSFETs with HfO 2 /SiON high-k gate stacks with and without N 2 O plasma treatment
Fig. 2-14 Dependence of threshold voltage shift ( V △ thc ) on injected charge densities (N inj ) under constant gate overdrive voltage of V g -V thc = -2.2V (open symbol) and V g -V thc = -2.6V (solid symbol)
Fig. 2-17 Carrier separation of post-N 2 O-treated HfO 2 /SiON gate stacks under both inversion and accumulation region
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參考文獻

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Charge Pumping Measurements .1 Fixed Amplitude Sweep Current Transport Mechanism NBTI in HfO 2 /SiON Gate Stacks

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