AlGaInP與GaN發光二極體之特性提升
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![圖 1-5 傳統 GaAs sub.與 Cu sub.的 I-V 曲線[4] 二、 文獻回顧與理論背景研究 2.1 晶圓接合技術 晶圓接合技術是將兩片晶圓互相接合，再進一步使表面原子反 應，產生鍵結，讓兩片平面彼此間的鍵結能達到一定強度，而使這兩 片晶圓純由原子鍵結成為一體。這種特性能使接合介面表保持絕對純 淨，避免無預期之化學黏接物雜資污染，以符合現代微電子材料、光 電材料及奈米材料等級微機電嚴格製做要求。這種技術可以接合不同 晶格、不同種類之單晶或多晶材料。這項複合之材料具有不同的物理 性質（如](https://thumb-ap.123doks.com/thumbv2/9libinfo/7499641.116225/22.892.188.693.114.720/彼此間由原子成為一體這種特性能使接合介面表保持絕對純淨避預期.webp)
![圖 2-5 III-V 族材料成份、能隙與晶格常數[11]](https://thumb-ap.123doks.com/thumbv2/9libinfo/7499641.116225/34.892.197.696.119.503/圖25IIIV族材料成份能隙與晶格常數11.webp)
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![圖 2-6 光子的自發放射過程[13]](https://thumb-ap.123doks.com/thumbv2/9libinfo/7499641.116225/36.892.164.665.837.1071/圖26光子的自發放射過程13.webp)
![圖 2-7 幾何改變形狀 LED 示意圖（ATON）[20]](https://thumb-ap.123doks.com/thumbv2/9libinfo/7499641.116225/42.892.241.653.333.988/圖27幾何改變形狀LED示意圖ATON2.webp)
![圖 2-9 ATON-Chip 的光取出路徑示意圖[20]](https://thumb-ap.123doks.com/thumbv2/9libinfo/7499641.116225/43.892.277.617.222.443/圖29ATONChip的光取出路徑示意圖2.webp)
![圖 2-11 覆晶型發光二極體結構示意圖[21]](https://thumb-ap.123doks.com/thumbv2/9libinfo/7499641.116225/44.892.221.672.226.393/圖211覆晶型發光二極體結構示意圖21.webp)
![圖 2-15 DBR 型發光二極體示意圖[24] 圖 2-16 利用鏡面反射層防止光被吸光基板所吸收[25] 2. 減少熱效應（Joule-heat effect） 隨著順向注入電流的增加也使得發光二極體產生較多的熱能，因 為基板的導熱性不佳造成熱能聚集而使得二極體的特性下降，如圖 2-17［30］。經由導熱基板的替換或加大元件尺寸［27］可提升其發 光功率。](https://thumb-ap.123doks.com/thumbv2/9libinfo/7499641.116225/46.892.265.663.120.366/減少熱隨著順向注入電流增加也使得發二極體產生較二極體如圖由導.webp)
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