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藉由光電容研究深層缺陷能階與砷化銦量子點之載子交互作用

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Academic year: 2021

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電子物理學系

深層缺陷能階與

深層缺陷能階與

深層缺陷能階與

深層缺陷能階與砷化銦

砷化銦

砷化銦

砷化銦量子點

量子點

量子點

量子點能階之載子交互作用對

能階之載子交互作用對

能階之載子交互作用對

能階之載子交互作用對

於光電容

光電容

光電容特性影響

光電容

特性影響

特性影響

特性影響

Carriers Interaction between InAs Quantum Dots and a

Deep Defect State on the Photo-capacitance Characteristics

研 究 生:楊政鴻

指導教授:陳振芳 博士

(2)

Carriers Interaction between InAs Quantum Dots and a

Deep Defect State on the Photo-capacitance Characteristics

研 究 生:楊政鴻 Student:Cheng-Hong Yang 指導教授:陳振芳 博士 Advisor:Dr. Jenn-Fang Chen

國 立 交 通 大 學 電子物理學系

博 士 論 文

A dissertation

Submitted to the Institute of Electrophysics College of Science

National Chiao Tung University in partial Fulfillment of the Requirements

for the Degree of Doctor of philosophy

in Electrophysics

July 2013

Hsinchu, Taiwan, Republic of China

參考文獻

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