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超薄氧化層絕緣層上覆矽元件中軟式崩潰所引發之可靠性議題的探討

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Academic year: 2021

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Table 3.1 The ratio of I d /(I s +I d ) and I b /(I s +I d ) before and after soft breakdown in four SOI MOSFETs
Table 5.1 Calculated distributions of channel holes in the lowest three sub-bands.

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Soft Breakdown Enhanced Hysteresis Effects in Ultra-Thin Oxide SOI MOSFETs Channel Soft Breakdown Enhanced Excess Low-Frequency Noise Result and Discussion impact ionization e

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