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微影光罩的不同清洗方法的效果比較

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Academic year: 2021

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圖 2 光罩基本組成[1]
圖 3 為光罩製造流程簡單示意圖,圖 4 則為傳統 RCA clean  流 程。圖片中所提及清洗方法如 Piranha, RCA 等,在 3.2 節有詳盡說明。
圖 4 傳統 RCA clean  流程[30]
圖 5 Haze 生成模式與閾值關係[6] 圖 6 霧狀污染:缺陷受光照累積能量後產生[7] Bhattacharyya et al.[2]認為缺陷成長數量與重複曝光次數相關, 當曝光次數到達 700 次以上,缺陷數量則會大幅增加,同時也提出光 罩平面所累積的曝光能量與缺陷數量呈正相關,也就是說曝光次數及 累積能量越多,則缺陷的數量也隨之大幅增加。同時提出在原本使用 248nm 的顯影製程中,光罩清洗流程所殘留的硫離子,經曝光能量的 累積所產生的硫酸銨,對良率並不會有所影響,但是由於硫酸銨在 193nm
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