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100-4-四技二專-電機電子群電子類專一試題

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Academic year: 2021

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(1)100-4 電機與電子群. 專業科目(一). 第一部份:基本電學 1. 小明使用烤箱一段時間,發現連接烤箱的電線很燙,於是找到電 壓與電流關係曲線及電阻與溫度關係曲線如右圖,試問下列有關 電壓、電流、電阻與溫度之敘述,下列何者錯誤? (A) 導線電阻在未通電前為固定值 (B) 溫度上升(很燙)是因電壓太大 (C) 溫度上升時,電阻亦跟著增加了 (D) 由圖可推導出 α1R1 = α 2 R 2. 圖(一). 2. 某一電阻加上 220 V 電壓可產生 5 ×10 −3 Hp 之功率,試問該電阻之色碼可能為下列何者? (A) 棕紫黑金 (C) 棕橙橙金. (B) 棕紫棕金 (D) 棕橙黑金. 3. 如圖(二)所示電路,求 VAB 之電壓為何? (A) −75 V. (B) 75 V (C) −90 V 圖(二). (D) 165 V 4. 如圖(三)所示電路,a、b 為常數, R1 = 10 Ω 、 R 2 = 10 Ω 、 R 3 = 20 Ω , 若 Vo = aV1 + bV2 ,求 a + b = ?. (A) (B) (C) (D). 0.4 0.5 0.6 0.8. 圖(三). 5. 如圖(四)所示電路,各迴路網目電流 i1 = 2 A 、 i 2 = 3 A 、 i 3 = 4 A , 求 V1 、 V2 及 R 各為多少?. (A) V1 = 28 V,V2 = 4 V,R = 12 Ω (B) V1 = 8 V,V2 = 32 V,R = 6 Ω (C) V1 = 4 V,V2 = 28 V,R = 12 Ω (D) V1 = 32 V,V2 = 8 V,R = 8 Ω. 圖(四). 6. 如圖(五)所示電路,利用重疊定理求出 Vo = ais + bVs ,則下列何者正確? (A) a = 20 , b = 5 (B) a + 2b = 6.4 (C) a + 5b = 25 a = 100 (D) b. 圖(五). 7. 如圖(六)所示電路, R L = 2 Ω ,有關戴維寧等效電路. 下列何者正確? (A) E TH = 46 V,R TH = 21 Ω (B) E TH = 44 V,R TH = 21 Ω (C) E TH = 44 V,PL = 0.5 W (D) R TH = 21 V,PL = 1 W 圖(六) 共7頁. 第 1 頁.

(2) 100-4 電機與電子群. 專業科目(一). 8. 如圖(七)所示電路,求 a、b 兩端諾頓等效電路 I N 與 R N 之值? (A) I N = 11 A,R N = 2.4 Ω (B) I N = 6 A,R N = 2 Ω (C) I N = 7 A,R N = 2 Ω. 圖(七). (D) I N = 6 A,R N = 2.4 Ω 9. 小明以圖(八)電路圖完成實驗數據,由數據顯示 可推得下列敘述何者錯誤? (A) a、b 兩端諾頓等效電流 I N = 3 A (B) a、b 兩端戴維寧等效電壓 E TH = 12 V (C) R = 8 Ω 時,有最大功率產生為 8 W. 圖(八). (D) R = 8 Ω 時,2 A 電源消耗 8 W 之功率 10. 如圖(九)所示,為最大功率轉移. P RL 與 L 之關係曲線, R TH PL max. 則下列敘述何者正確? (A) PL max 發生於 R L = R TH 時,但效率只有 50% (B) 負載電阻 R L 越大,產生之功率越大 P (C) 負載電阻越小,負載電流越大, L 之值越大 PL max (D). PL PL max. 圖(九). = 1 時,表示電源功率全部都給 R L. 11. 有關電場與電力線的敘述,下列何者錯誤? (A) 電力線恆由正電荷發出而終止於負電荷,但非封閉曲線 (B) 電力線的觀念是由楞次所提出 (C) 電力線其切線的方向即表示電場的方向 (D) 電荷中任一點,僅有一條電力線通過 12. 如圖(十)所示電路,求 Vbc 與 Q ac 各為何? (A) Vbc = 60 V,Q ac = 180 μC (B) Vbc = 30 V,Q ac = 480 μC (C) Vbc = 30 V,Q ac = 180 μC (D) Vbc = 60 V,Q ac = 480 μC. 圖(十). 13. 有關單位換算之敘述,下列何者正確? (A) 磁極強度 1 韋伯 = 108 線 = 0.4π 吉柏 (B) 磁通密度 1 特斯拉 = 1 韋伯/平方公尺 = 108 馬/平方公分 (C) 磁場強度 1 牛頓/韋伯 = 4π ×10 −3 奧斯特 = 10 −3 達因/靜磁單位 (D) 導磁係數 μ o ,MKS 制 μ o = 4π × 10−7 享利/公尺,CGS 制 μ o = 1 14. 如圖(十一)所示電路,試求總電感量為何? (A) 6 H (C) 3 H. (B) 7 H (D) 24 H 圖(十一) 第 2 頁. 共7頁.

(3) 100-4 電機與電子群. 專業科目(一). 15. 如圖(十二)所示電路,S 開關在 t = 0 以前已閉合很久,試問 S 開關瞬間打開(OFF),VC (0 + ) 與 i L (0 + ) 之值為何? (A) VC (0+ ) = 0 伏特, i L (0 + ) = 4 安培 (B) VC (0 + ) = 6 伏特, i L (0+ ) = 0 安培 (C) VC (0 + ) = 12 伏特, i L (0+ ) = 4 安培 (D) VC (0+ ) = 4 伏特, i L (0 + ) = 2 安培. 圖(十二). 16. 如圖(十三)所示,有一電流源波形與電路圖,若 R 2 的消耗功率 = 300 W ,試求電流源之 I m 與 Iav 之值為何? 10 A (A) I m = 10 A,Iav = 3 25 6A (B) I m = 25 6 A,Iav = 3 (C) I m = 12 3 A,I av = 4 3 A 圖(十三) (D) I m = 15 A,I av = 5 A 17. 若電壓與電流波形分別為 V( t ) = 155 sin(314 t + 30°) , i( t ) = 7.77 cos(314t − 30°) ,則下列敘述何者錯誤? (A) 此電路電流超前電壓 30° ,且 Z = (10 3 + j 10) Ω (B) 此電路電壓有效值 Vrms = 110 V , f = 50 Hz (C) 此電路電流平均值 Iav = 5 A (D) 此電路相位差 30° 18. 如圖(十四)所示電路, Vs ( t ) = 100 2 sin(628t ) V ,則 ZT = ? (A) 40∠37° Ω (B) 5∠37° Ω (C) 8∠16° Ω (D) 8∠ − 16° Ω. 圖(十四). 19. 有一 RC 並聯電路,當角速度為 ω 時, ZT = 30 − j 60 Ω ,若將角速度改為 應並聯之 X L 為? (A) j 60 Ω. (B) − j 60 Ω. (C) j 150 Ω. ω 時,欲產生 R-L-C 並聯諧振,則 2 (D) − j 150 Ω. 20. 如圖(十五)所示電路,若 VL ( t ) = 24 cos(100 t + 150°) 伏特,則 VC ( t ) = ? (A) VC ( t ) = 60 cos(100 t − 30°) 伏特 (B) VC ( t ) = 60 sin(100t + 30°) 伏特 (C) VC ( t ) = 60 2 cos(100 t − 30°) 伏特 (D) VC ( t ) = 60 2 sin(100 t + 30°) 伏特 圖(十五). 21. 如圖(十六)所示電路,下列何者正確? (A) IT = 3 − j 4 A (B) ZT = 14.4 − j 19.2 Ω (C) I L = 4∠90° A , I C = 8∠ − 90° A (D) IC 落後 V R 90°. 圖(十六). 22. 某交流電路電壓 V( t ) = 200 2 sin(314 t ) V ,電流 i( t ) = 5 2 cos(314 t − 37°) A ,則: (A) 此為電感性負載,且功率因數為 0.8 滯後 (B) 此為電容性負載,且 P = 600 W (C) S = 1000 VA,Q = 600 VAR (D) S = 1000 VA ,電流超前電壓 37°. 共7頁. 第 3 頁.

(4) 100-4 電機與電子群. 專業科目(一). 23. 如圖(十七)所示電路,欲使該電路產生 cos θ = 1 ,則應並聯 C 值為多少之電容器? (A) 12.5 F 1 F (B) 25 2 (C) F 25 圖(十七) 2 (D) F 5. 24. 如圖(十八)所示為單相三線制電路,當中性線 “x”處斷線時, V1 與 V2 之值約為? (A) V1 = 157.7 V,V2 = 42.3 V (B) V1 = 120 V,V2 = 80 V (C) V1 = 150 V,V2 = 50 V. 圖(十八). (D) V1 = 53 V,V2 = 117.6 V 25. 如圖(十九)所示電路,三相電路相序為 abc, 若 V ab = 173.2∠60° 伏特,求 I b 為多少? (A) 10∠60° A (B) 10∠ − 143° A (C) 10∠ − 127° A (D) 10∠ − 53° A. 圖(十九). 第二部份:電子學 26. 本質半導體中,摻入下列何項雜質元素可成為 N 型半導體? (B) 硼 (A) 銦 (D) 鎵 (C) 銻 27. 有關二極體電容效應的敘述,下列何者正確? (A) 過渡電容(transition - region capacitance)之值與二極體外加逆向偏壓成線性相關 (B) 二極體外加逆向偏壓增加,過渡電容值增加 (C) 擴散電容(diffusion capacitance)之值與二極體順向偏壓成線性相關 (D) 二極體順向電流減少,擴散電容降低 28. 有關半波整流電路的敘述,下列何者錯誤? 1 Vm π 1 (B) 正弦波經半波整流,其電壓有效值( Vrms )為 Vm 2 (C) 半波整流電路中,二極體的 PIV 至少需為 Vm. (A) 正弦波經半波整流,其電壓平均值( Vav )為. (D) 半波整流電路之輸出漣波頻率和輸入訊號相同 29. 如圖(二十)所示為橋式整流電路,輸入電壓有效值為 110 V,頻率為 60 Hz, D1 ~ D 4 為矽二極體且切入電壓為 0.7 V,則輸出電壓之平均值 Vav 約為多少? (A) (B) (C) (D). 11 V 15 V 18 V 22 V 圖(二十) 第 4 頁. 共7頁.

(5) 100-4 電機與電子群. 專業科目(一). 30. 如圖(二十一)所示之全波整流電路,輸入電壓有效值為 110 V,變壓器之匝數比 n1 : n 2 : n 3 = 11 :1:2,則 此時二極體 D1 與 D 2 應選用的逆向峰值電壓至少應為多少?. (A) D1 與 D 2 均選用 20 2 V (B) D1 選用 10 V, D 2 選用 20 V (C) D1 選用 10 2 V , D 2 選用 20 2 V (D) D1 選用 30 2 V , D 2 選用 40 2 V. 圖(二十一). 31. 如圖(二十二)所示之倍壓整流電路,若 D1、D2、D3、D4 為 理想二極體,則下列敘述何者正確? (A) 二極體的 PIV 均為 2 Vm (B) 電容器的耐壓均為 2 Vm (C) 本電路為四倍壓全波整流電路 (D) VAC 之電壓為 4 Vm. 圖(二十二). 32. 如圖(二十三)所示電路,若 Vz1 = 6 V , Vz 2 = 10 V ,則 Vo 之波形為何? (B) (A). (C). (D) 圖(二十三). 33. 如圖(二十四)所示之二極體箝位電路,若輸入電壓 Vi = 10 sin(377 t )V , 則穩態輸出電壓 Vo = ? (A) 5 + 10 sin(377 t )V (B) 15 + 10 sin(377 t )V (C) −5 + 10 sin(377 t )V (D) −15 + 5 sin(377 t )V. 圖(二十四). 34. 某一電晶體之 α 值為 0.95,電晶體偏壓處於主動區,測得 I E = 2 mA ,則此電晶體的 I B 為多少? (A) 10 μA. (B) 100 μA. (C) 20 μA. (D) 200 μA. 35. 如圖(二十五)所示電路, β = 99 ,若 VBE = 0.7 V 、 VCE = 6 V 、 I E = 1 mA , 則 R B 的電阻值約為多少?. (A) (B) (C) (D). 43 kΩ 430 kΩ 86 kΩ 860 kΩ. 圖(二十五). 36. 如圖(二十六)所示電路,若 β = 49 、 VBE = 0.7 V 、 R C = 2 kΩ 、 R E = 0.5 kΩ 、 R1 = R 2 = 100 kΩ ,則 VCE 約為? (A) (B) (C) (D). 6.125 V 6.625 V 7.125 V 7.625 V 圖(二十六). 共7頁. 第 5 頁.

(6) 100-4 電機與電子群. 專業科目(一). 37. 如圖(二十七)所示電路,若 β = 99 、 rπ = 1 kΩ 、 R B = 100 kΩ 、 R E = 1 kΩ ,則輸入阻抗 Zi 約為多少歐姆? (A) (B) (C) (D). 10 kΩ 25 kΩ 50 kΩ 100 kΩ 圖(二十七). 38. 如圖(二十八)所示電路,已知電晶體 VBE = 0.7 V , β = 100 , VT = 25 mV ,則電壓增益 A v 約為多少? (A) (B) (C) (D). −100 −120 −160 −200. 圖(二十八). 39. 如圖(二十九)所示電路,若電晶體 Q1 與 Q 2 的 β 值均為 100、 VCC = 10 V 、 R B1 = 200 kΩ 、 R B2 = 50 kΩ 、 R C1 = 6 kΩ 、 R E1 = 2.2 kΩ 、 R E 2 = 2 kΩ 、 R C 2 = 4 kΩ ;則 VC 2 的電壓值約為? (A) (B) (C) (D). 2.4 伏特 3.5 伏特 4.6 伏特 5.7 伏特. 40. 已知一接面型場效電晶體(JFET)的 I DSS = 16 mA 、 VP = −4 V , 且汲極電流為 1 mA,則其 VGS = ? (A) 0 V (C) −2 V. 圖(二十九). (B) −1 V (D) −3 V. 41. 有關場效應電晶體(FET)參數的定義,下列何者不正確? (A) μ =. (C) rd =. VGS VDS VDS ID. (B) g m = I D = 定值. (D) rs = VGS = 定值. ID VGS. VGS ID. VDS = 定值. VDS = 定值. 42. 如圖(三十)所示之 FET 放大電路,已知 I DSS = 8 mA , VP = −4 V , rd = 150 kΩ , V 則電壓增益 A V = o 為? Vs (A) (B) (C) (D). −4.2 −6.5 −7.8 −10.6. 圖(三十). 43. 有關理想運算放大器(OP amp)的敘述,下列何者錯誤? (A) 輸入阻抗為無窮大 (B) 輸出阻抗為無窮大 (C) 開環路電壓增益無窮大 (D) 共模拒斥比(CMRR)無窮大. 第 6 頁. 共7頁.

(7) 100-4 電機與電子群. 專業科目(一). 44. 下列由理想運算放大器(OPA)所完成的應用電路中,何者其反相輸入端與非反相輸入端不具有虛短路特性? (A) 微分電路 (B) 非反相放大電路 (C) 反相加法電路 (D) 樞密特電路 45. 如圖(三十一)所示由 OPA 構成之放大電路,若 OPA 為理想運算大器,其電壓增益 (A) (B) (C) (D). Vo =? Vi. −25 −45 −50 −65 圖(三十一). 46. 如圖(三十二)所示 OPA 電路, V1 = 1 V , V2 = 4 V , R1 = 2 kΩ , R 2 = 1 kΩ , R A = 1 kΩ , R B = 2 kΩ ,則輸出電壓 Vo = ? (A) (B) (C) (D). 3V 6V 9V 12 V. 圖(三十二). 47. 如圖(三十三)所示由運算放大器(OPA)構成的應用電路,下列敘述何者錯誤? (A) 本電路為比較器電路 (B) Vi 為峰對峰( VP − P )值 6 伏特的三角波時, Vo 輸出為方波 (C) Vi 為峰對峰( VP − P )值 6 伏特的方波時, Vo 輸出為方波 (D) Vi 輸入 3 V 時, Vo 約為 + VCC. 圖(三十三). 48. 如圖(三十四)所示,為由運算放大器所構成的相移振盪電路, 如要讓電路振盪,則所需的 R f 電阻值最小應為何? (A) (B) (C) (D). 10 kΩ 29 kΩ 30 kΩ 60 kΩ. 圖(三十四). 49. 如圖(三十五)所示為樞密特觸發電路,其中 R1 = 2 kΩ 、 R 2 = 3 kΩ , 輸出飽和電壓 + Vo (max) = +15 V , −Vo (max) = −15 V ,則磁滯電壓為多 少伏特? (A) 9 V (B) 12 V (C) 18 V (D) 21 V. 圖(三十五). 50. 如圖(三十六)所示,為使用 NE555 完成的無穩態振盪電路,其中 R A = 15 kΩ , R B = 4.5 kΩ , C = 0.1 μF ,試求 Vo 之輸出頻率約為多少? (A) (B) (C) (D). 共7頁. 400 Hz 600 Hz 800 Hz 1k Hz. 圖(三十六). 第 7 頁.

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