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用於低電壓高速超大型積電之100 奈米絕緣體上矽具LDD 之 金氧半SPICE 元件模型(1/3)

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行政院國家科學委員會專題研究計畫 期中進度報告

用於低電壓高速超大型積電之 100 奈米絕緣體上矽具 LDD 之

金氧半 SPICE 元件模型(1/3)

計畫類別: 個別型計畫 計畫編號: NSC92-2218-E-002-029- 執行期間: 92 年 08 月 01 日至 93 年 07 月 31 日 執行單位: 國立臺灣大學電子工程學研究所 計畫主持人: 郭正邦 報告類型: 精簡報告 報告附件: 出席國際會議研究心得報告及發表論文 處理方式: 本計畫可公開查詢

中 華 民 國 93 年 5 月 5 日

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附件

出席國際會議心得報告及發表論文

報告者 台大電機郭正邦

本人於 2003 年十一月出席於美國佛羅里達舉行的 IEEE International Conference on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications. 發表了論文 Analysis of Gate Misalignment Effect on the Threshold Voltage of Double-Gate (DG) Ultrathin FD SOI NMOS Devices Using a Compact Model Considering Fringing Electric Field Effect. 此論為此研究計畫的結晶 由於需上課 來去匆匆在佛羅里 達只停留兩天一夜

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參考文獻

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