台灣電力公司 107 年 12 月新進僱用人員甄試試題

電子學 第 1 頁，共 6 頁

台灣電力公司 107 年 12 月新進僱用人員甄試試題

科 目:專業科目 A（ 電 子 學 ） 考試時間:第 2 節，60 分鐘

注 意 事 項

1.本試題共 6 頁(含 A3 紙 1 張、A4 紙 1 張)。

2.本科目禁止使用電子計算器。

3. 本試題為單選題共 50 題，每題 2 分，共 100 分，須用 2B 鉛筆在答案卡畫記作答，於本 試題或其他紙張作答者不予計分。

4. 請就各題選項中選出最適當者為答案，各題答對得該題所配分數，答錯或畫記多於一 個選項者倒扣該題所配分數 3 分之 1，倒扣至本科之實得分數為零為止，未作答者不給 分亦不扣分。

5.本試題採雙面印刷，請注意正、背面試題。

6.考試結束前離場者，試題須隨答案卡繳回，俟本節考試結束後，始得至原試場或適當 處所索取。

[B] 1. 有關半導體特性的敘述，下列何者正確？

(A)當加逆向偏壓於PN接面時，空乏區會變窄 (B)在本質半導體摻雜五價元素，可形成N型半導體 (C)在純質矽(silicon)晶片內摻入磷(P)後可產生P型半導體 (D) N型半導體中的多數載子為電洞

[C] 2. 已知NPN電晶體的VBE = 0.7 V，VCE = 2.5 V，則此電晶體操作在哪個區域？

(A)截止區 (B)飽和區 (C)工作區 (D)崩潰區

[C] 3. 對一具有源極旁路電容之共源極放大器，如將其旁路電容器移走時，則下列何者正確？

(A)輸入電阻變小 (B)輸入電阻變大 (C)電壓增益降低 (D)電壓增益增加 [B] 4. 如右圖所示，假設D1與D2為理想二極體，請求出電壓V2為何？

(A) 1.5 V (B) 3 V (C) 4.5 V (D) 6 V

[D] 5. 如右圖所示電路及電晶體之特性曲線，

假設電晶體原來的工作點為Q點，則當RB

電阻值變大時，新的工作點應近似於下列 何者？

(A) A點 (B) B點 (C) C點 (D) D點

[A] 6. 理想放大器的輸入阻抗與輸出阻抗分別為多少歐姆？

(A) ∞、0 (B) 0、0 (C) ∞、∞ (D) 0、∞

[D] 7. 有一差動放大器之共模拒斥比(CMRR)值為 40 dB，若差動增益為1000，則當輸入為1.001 V、

0.999 V 時，輸出值Vo為何？

(A) 6 V (B) 8 V (C) 10 V (D) 12 V [C] 8. 下列何者為電子電路中，設計正回授之目的？

(A)使電路特性更穩定 (B)減少雜訊 (C)供作振盪器使用 (D)增加頻寬

【請翻頁繼續作答】

V

C

R

V

R

V

C

I^c

V^cE

A ^B

Q

C D

3kΩ V² D²

D¹ 2kΩ

5V

電子學 第 2 頁，共 6 頁 [A] 9. 如右圖所示，電晶體Q1與Q2有相同特性，若VCC= 20 V，

VEE= - 10V，電阻R¹= R²= R³= 5 kΩ，V¹= V²= 0 V，

輸出電壓V0值為何？

(A) 15 V (B) 12 V (C) 9 V (D) 6 V

[B] 10. 右圖為理想放大器，請求該電路之電壓增益為何？

(A) - 2010 (B) - 1020 (C) 1020 (D) 2010

[C] 11. 如右圖所示，兩個MOSFET之寬長W/L比為(W/L)1= 4(W/L)²， 設MOSFET導通的臨界電壓Vt1= V^t2= 2 V，則V⁰值為何？

(A) 2 V (B) 4 V (C) 6 V (D) 8 V

[D] 12. 某場效電晶體的導電參數K = 2 mA /𝑉𝑉² ，若直流工作點的汲極電流為8 mA，試求互導gm為何？

(A) 2 mS (B) 4 mS (C) 6 mS (D) 8 mS [A] 13. 下列何種摻雜行為的改變，可增加BJT電晶體的電流增益？

(A)基極摻雜濃度降低與射極濃度增加 (B)基極與射極摻雜濃度均增加 (C)基極摻雜濃度增加與射極濃度降低 (D)基極與射極摻雜濃度均降低 [B] 14. 有關場效電晶體(FET)之敘述，下列何者有誤?

(A)可分成N通道與P通道兩種 (B)輸入阻抗較雙極性電晶體(BJT)為低 (C) MOSFET又分成空乏型與增強型兩種 (D)主要可分成JFET及MOSFET兩種 [B] 15. 如右圖所示，基極電壓為0.7 V，集極電壓為2 V，

若熱電壓VT為25 mV，則r^π值為何？

(A) 25 Ω (B) 250 Ω (C) 400 Ω (D) 800 Ω

[A] 16. 下列何種振盪器不需外部觸發便可自行起振？

(A)無穩態多諧振盪器 (B)單穩態多諧振盪器 (C)雙穩態多諧振盪器 (D)舒密特觸發器

[D] 17. N通道空乏型MOSFET的IDSS = 8 mA，VGS(OFF) = - 4 V，而在VGS = 0 V的情況下，ID值為何？

(A) 0 mA (B) 2 mA (C) 4 mA (D) 8 mA

[B] 18. 電晶體放大電路的各種組態中，共汲極放大電路與下列何種組態的放大電路之特性最相似？

(A)共射極 (B)共集極 (C)共基極 (D)共閘極

V

OPA

10kΩ

V

1kΩ

100Ω 10kΩ

R¹ R²

R³ V^CC

VEE

V¹ V²

V0

Q¹ Q²

Q1

D S

Q2

D S V0

G

G

+10V

93kΩ

1kΩ

10V

電子學 第 3 頁，共 6 頁

[A] 19. 某N通道JFET，VP = - 4 V，當VGS = - 1 V時，欲使該JFET工作於飽和區，所需的VDS值範圍為 何？

(A) VDS ≥ 3 V (B) VDS ≤ 3 V (C) VDS ≥ 4V (D) VDS ≤ 1 V [D] 20. 齊納(Zener)電壓調整電路如右圖所示，其中齊納二極體之

VZ = 10 V，IZ = 5 mA ~ 20 mA，若Vi = 100 V，請問電阻R 值需為多少，才能使齊納二極體在IL = 0 ~ IL(max)之間進行 調節，且IL(max)為何？

(A) R = 25 kΩ，I^L(max) = 25 mA (B) R = 18 kΩ，I^L(max) = 20 mA (C) R = 4.5 kΩ，I^L(max) = 20 mA (D) R = 4.5 kΩ，I^L(max) = 15 mA

[C] 21. 在放大器頻率響應曲線中，𝑓𝑓_𝐿𝐿表示增益低頻截止頻率， 𝑓𝑓_𝐻𝐻表示增益高頻截止頻率，此放大器 的頻帶寬度BW為何？

(A) 2 𝑓𝑓_𝐻𝐻 − 𝑓𝑓_𝐿𝐿 (B) 𝑓𝑓_𝐻𝐻+ 𝑓𝑓_𝐿𝐿 (C) 𝑓𝑓_𝐻𝐻− 𝑓𝑓_𝐿𝐿 (D) 𝑓𝑓_𝐻𝐻 − 2 𝑓𝑓_𝐿𝐿

[C] 22. 有一低通、三級放大電路，若輸入頻率高於高截止頻率時，則每增加10倍，增益減少多少dB？

(A) 20 (B) 40 (C) 60 (D) 80 [B] 23. NPN電晶體工作在飽和區時，下列敘述何者正確？

(A) VE > V^B > V^C (B) VB > V^C > V^E (C) VB > V^E > V^C (D) VC > V^B > V^E [D] 24. 有關差動放大器的敘述，下列何者有誤？

(A)共模拒斥比CMRR定義為：差模增益Ad與共模增益Ac的比值 (B)共模拒斥比CMRR，愈大愈能抑制雜訊

(C)共模增益Ac愈小愈好 (D)差模增益Ad愈小愈好

[A] 25. 如右圖所示，若R1 = 3 MΩ，R² = 1 MΩ，R^D = 4 kΩ，r^d → ∞，

求輸入阻抗為何？

(A) 750 kΩ (B) 1 MΩ (C) 1.2 MΩ (D) 1.5 MΩ

[C] 26. 有關BJT共射極(CE)、共集極(CC)和共基極(CB)基本組態放大電路特性之比較，下列何者正確？

(A)輸入阻抗：CB ＞ CE ＞ CC (B)輸出阻抗：CE ＞ CC ＞ CB (C)電壓增益：CB ＞ CE ＞ CC (D)功率增益：CC ＞ CE ＞ CB

[A] 27. 兩電壓 v1 (t) = 8 cos( 20 πt + 13° ) 及 v² (t) = 4 sin( 20πt + 45°)，則兩電壓之相位差為多少？

(A) 58° (B) 45° (C) 32° (D) 13° [A] 28. 如右圖所示，交流電壓 v(t) = 150sin(377t − 30°)，

交流電流 i(t) = 10sin(377t)，則負載 ZL 的特性為何？

(A)電容性 (B)電感性 (C)電阻性 (D)無法判定

V

R

I

V

I

I

R

Ci Vi

R2

VDD

RD Co

RS

Vo R1

G D

S

i⁰

Zi

Zo

【請翻頁繼續作答】

v(t)

i(t)

Z

電子學 第 4 頁，共 6 頁

VO

Vi

-5V -5V

[C] 29. 有一40 W功率輸出的放大器連接至10 Ω的揚聲器，若放大器的電壓增益為40 dB且額定輸出 時，求其輸入電壓為何？

(A) 40 mV (B) 0.1 V (C) 0.2 V (D) 0.4 V [D] 30. 關於FET與BJT電晶體的比較，下列何者有誤？

(A) FET的輸入阻抗較BJT高 (B) FET比BJT較適合應用於超大型積體電路中 (C) FET的熱穩定性較BJT好 (D) FET的增益與頻寬的乘積較BJT大

[A] 31. 某N通道JFET之夾止電壓(pinch-off voltage)VP = - 4 V、IDSS = 16 mA，當其閘極電壓 VG = - 6 V、源極電壓 VS = 0 V、汲極電壓 VD = 5 V 時，則汲極電流 ID 為何？

(A) 0 mA (B) 4 mA (C) 8 mA (D) 16 mA [A] 32. 如右圖所示，假設運算放大器飽和時之最大輸出電壓為 ± 15 V，

求其遲滯電壓 VH 為何？

(A) 3 V (B) 4 V (C) 5 V (D) 6 V

[B] 33. 如右圖所示，各級之電壓增益分別如圖中 之標示，則此電路之總電壓增益為何？

(A) 60 dB (B) 80 dB (C) 120 dB (D) 160 dB

[D] 34. 右圖中電晶體作為開關使用，欲使燈泡亮起，下列敘述何者正確？

(A)基－射極接面為逆向偏壓，基－集極接面為順向偏壓 (B)基－射極接面為逆向偏壓，基－集極接面為逆向偏壓 (C)基－射極接面為順向偏壓，基－集極接面為逆向偏壓 (D)基－射極接面為順向偏壓，基－集極接面為順向偏壓

[C] 35. 如右圖所示，此電路之輸入電壓與輸出電壓轉換曲線為何？

(A) (B)

(C) (D)

[B] 36. R－L－C串聯諧振電路產生諧振時，下列敘述何者有誤？

(A)總阻抗約等於電阻值 (B)線路電流為最小

(C)線路品質因數(Quality Factor)為 Q = ¹

𝑅𝑅�^𝐿𝐿_𝐶𝐶 (D)諧振頻率為 𝑓𝑓𝑟𝑟 = ¹

2𝜋𝜋√𝐿𝐿𝐶𝐶 Hz

5：1

Av1=20 Av2=100 Av3=50 2：1

Vi Vo

Vcc

Vi

燈泡

【請另頁繼續作答】

9kΩ

v

1kΩ

v

1kΩ V

i

5V

V

^o

VO

Vi

-5V

-5V

VO

Vi

5V 5V VO

Vi

5V 5V

電子學 第 5 頁，共 6 頁

[B] 37. 若運算放大器的轉動率為 0.5 V / µs，其輸出訊號為峰值 ± 5 V 的對稱三角波，則在不失真的 情況下，此訊號頻率最高為何？

(A) 20 kHz (B) 25 kHz (C) 30 kHz (D) 50 kHz

[A] 38. 若量測電路中的PNP型雙極性接面電晶體，得知其射極接地，基極電壓為 0.7 V，集極電壓為 - 3 V，請問電晶體操作在哪個區域？

(A)截止區 (B)順向主動區 (C)飽和區 (D)逆向主動區 [C] 39. 如右圖所示，VO 約為何？

(A) - 10 V (B) - 6 V (C) 10 V (D) 12 V

[D] 40. 如右圖所示，已知該電晶體截止電壓VGS(off) = - 5 V，

直流閘源極電壓 VGS = - 4 V 時，ID = 0.35 mA，

則 R1/R2 值為何？

(A) 2 (B) 3 (C) 4 (D) 5

[A] 41. 如右圖所示，正常工作下輸出電壓波形為三角波時，

則其輸入電壓波形下列何者正確？

(A)方波 (B)正弦波 (C)三角波 (D)鋸齒波

[B] 42. 如右圖所示，當理想運算放大器在不飽和情況下，

輸出電壓 VO 為何？

(A) - 0.5 V (B) - 1 V (C) - 2 V (D) - 4 V

[D] 43. NPN電晶體工作於主動區，其射極流出的電子有0.25 %在基極與電洞結合，其餘99.75 %被集 極收集，則此電晶體之 β 值為何？

(A) 99 (B) 199 (C) 299 (D) 399

[D] 44. 有一變壓器的匝數比為10：1，若在低壓側接上一個8 Ω的揚聲器，請問在高壓側測得的阻抗 為何？

(A) 0.8 Ω (B) 8 Ω (C) 80 Ω (D) 800 Ω

8kΩ Vo

0.2V 2kΩ

10kΩ

4kΩ

2kΩ 1kΩ

R

v

C

v

Vi

R2

+18V

C²

Vo R1

G D

S

I^D

20kΩ 20kΩ C1

6kΩ 12kΩ Vo

-2V

3kΩ 6kΩ

10kΩ

2kΩ

+10V

-10V +10V

-10V

【請翻頁繼續作答】

電子學 第 6 頁，共 6 頁 [C] 45. 如右圖所示，R1 = R2 = R3 = 100 kΩ，R^A = 10 kΩ，若欲設

計輸出電壓 VO = V1+ V²+ V³ ，則 RB 為何？

(A) 5 kΩ (B) 10 kΩ (C) 20 kΩ (D) 30 kΩ

[D] 46. 如右圖所示，若電晶體保持在主動區工作，當提高 RC 值 而 VCC 及 RB 值保持不變，則下列敘述何者正確？

(A)工作點不變

(B)工作點朝飽和區反方向移動 (C)基極電流增加

(D)工作點朝飽和區方向移動

[B] 47. 如右圖所示，若 VO = 8 V，則 Vi 應為何？

(A) - 4 V (B) - 3 V (C) 1 V (D) 2 V

[D] 48. 如右圖所示，此曲線為下列何種場效電晶體的 ID－VGS 特性曲線？(VT為臨界電壓)

(A) N通道JFET

(B) N通道空乏型MOSFET (C) P通道增強型MOSFET (D) N通道增強型MOSFET

[B] 49. 某一N通道JFET的汲極飽和電流 IDSS = 16 mA，汲極電流 ID = 4 mA，若截止電壓 VGS(off)

為 - 3 V，則閘源極電壓 VGS 為何？

(A) - 2.5 V (B) - 1.5 V (C) 1.5 V (D) 2.5 V [C] 50. 如右圖所示，若 ID = 2 mA，RD = 5 kΩ，R^S = 1 kΩ，R^G = 1 MΩ，

則 VD 與 VGS (VGS = VG −VS)分別為何？

(A) - 5 V， - 2 V (B) - 5 V， 2 V (C) 5 V， - 2 V (D) 5 V， 2 V

R

R

VG

I

R

15V VD

VS

I^D(mA)

V^GS(V) V^T

0 RA

RB

R1

v

R2

v

v

R³

v

R

Rc Vcc

I

Vi

40kΩ

+12V

-12V

-1V v ^o

10kΩ 10kΩ

40kΩ