1.電路學 2.電子學 第 1 頁,共 6 頁
經濟部所屬事業機構 109 年新進職員甄試試題
類 別 : 電 機 、 儀 電 節 次 : 第 二 節 科 目 : 1 . 電 路 學 2 . 電 子 學
注 意 事 項
1.本試題共 6 頁(含 A3 紙 1 張,A4 紙 1 張)。
2.可使用本甄試簡章規定之電子計算器。
3.本試題為單選題共 50 題,每題 2 分,共 100 分,須用 2B 鉛筆在答案卡畫記作答,於本 試題或其他紙張作答者不予計分。
4.請就各題選項中選出最適當者為答案,各題答對得該題所配分數,答錯或畫記多於 1 個 選項者,倒扣該題所配分數 3 分之 1,倒扣至本科之實得分數為零為止;未作答者,不 給分亦不扣分。
5.本試題採雙面印刷,請注意正、背面試題。
6.考試結束前離場者,試題須隨答案卡繳回,俟本節考試結束後,始得至原試場或適當處 所索取。
7.考試時間:90 分鐘。
3 [D] 1. 如右圖所示,為使電路中消耗的總功率為2.5 kW,電阻器Rx的值 為何?
(A) 10 Ω (B) 15 Ω (C) 19 Ω (D) 38 Ω
6 [C] 2. 求6sin(3t) – 4cos(5t)的拉普拉斯變換為何?
(A) 4𝑠𝑠
𝑠𝑠2+9
+
𝑠𝑠218+25 (B)𝑠𝑠218+9+
𝑠𝑠24𝑠𝑠+25 (C)𝑠𝑠218+9−
𝑠𝑠24𝑠𝑠+25 (D)𝑠𝑠24𝑠𝑠+9−
𝑠𝑠218+259 [B] 3. 將4 A的直流電流入未充電的20 μF電容器持續3 ms時。求電容器兩端的電壓為何?
(A) 300 V (B) 600 V (C) 1200 V (D) 1800 V
12 [B] 4. 一個120 mH的純電感與一個25 μF電容器並聯,並且連接到100 V、60 Hz電源。其電源電流及 其相角為何?
(A) 0.786 A,電壓超前電流90度 (B) 1.267 A,電壓超前電流90度 (C) 0.786 A,電流超前電壓90度 (D) 1.267 A,電流超前電壓90度
15 [D] 5. 如右圖所示,流經2 Ω電阻之電流為何?
(A) 2 A (B) 3 A (C) 4 A (D) 5 A
18 [A] 6. 三個電阻值均為30 Ω的電阻器,接線法與其等效電阻值間之關係,下列何者有誤?
(A)兩電阻串聯後,再與另一電阻並聯,等效電阻值15 Ω (B)兩電阻並聯後,再與另一電阻串聯,等效電阻值45 Ω (C)三電阻並聯,等效電阻值10 Ω
(D)三電阻串聯,等效電阻值90 Ω
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21 [C] 7. 如右圖所示,流經2 Ω電阻之電流為何?
(A) 5.95 A (B) 6.35 A (C) 6.75 A (D) 7.15 A
24 [B] 8. 如右圖所示,有一40∠0° V,內部電阻為20 kΩ的交流電
源,通過一匝數比為20:1之理想變壓器與負載RL連接。
求最大功率傳輸的負載電阻值及負載的消耗功率為何?
(A) 50 Ω、0.1 W (B) 50 Ω、0.02 W (C) 10 Ω、0.1 W (D) 10 Ω、0.02 W
1 [D] 9. 交流電壓v的周期時間為0.01 s,峰值為40 V。當時間t為零時,v = -20 V。其瞬時電壓的表示 式為何?
(A) 40sin(100πt – π/2) (B) 40sin(100πt – π/6) (C) 40sin(200πt – π/2) (D) 40sin(200πt – π/6)
4 [A] 10. 利用一20 nF電容器與電阻器R,設計一個截止頻率為800 Hz的高通無源濾波器,求R值為何?
(A) 9.95 kΩ (B) 10.88 kΩ (C) 11.24 kΩ (D) 12.65 kΩ
7 [D] 11. 有一電感為0.2 H,電阻為60 Ω的線圈與20 μF電容器並聯連接在20 V可變頻率電源上。其發生 並聯共振之頻率為何?
(A) 57.34 Hz (B) 59.42 Hz (C) 61.18 Hz (D) 63.66 Hz
10 [A] 12. 有一電路由0.5 μF電容器串聯連接一電阻器組成,其時間常數為12 ms。假設初始電容器電荷
為零,將此電路連接到10 V直流電源後7 ms,其電容器的電壓值為何?
(A) 4.42 V (B) 5.53 V (C) 6.64 V (D) 7.75 V
13 [B] 13. 有一電感為3 H,電阻為15 Ω的線圈,在t = 0 時連接到120 V直流電源,其在0.3 s後之電流值
為何?
(A) 5.542 A (B) 6.215 A (C) 7.582 A (D) 8.000 A
16 [D] 14. 如右圖所示,求理想運算放大器之輸出電壓Vo為何?
(A) -6.2 V (B) -6.3 V (C) -6.4 V (D) -6.5 V
19 [A] 15. 將-0.75 V的穩定電壓,施加到電阻值R = 200 kΩ、電容值C = 2.5 μF之運算放大積分器。假設 初始電容器電荷為零,則在施加輸入後100 ms的輸出電壓值為何?
(A) 0.15 V (B) 0.3 V (C) 0.45 V (D) 0.6 V 22 [D] 16. 如右圖所示的差分放大器電路中,R1 = 10 kΩ、R2 = 10 kΩ、
R3 = 100 kΩ、Rf = 100 kΩ。如果V1 = 25 mV和V2 = 50 mV,
則輸出電壓Vo為何?
(A) -50 mV (B) 50 mV (C) -250 mV (D) 250 mV
1.電路學 2.電子學 第 3 頁,共 6 頁 25 [C] 17. 如右圖所示的維恩電橋電路中,R2 = R3 = 30 kΩ,R4 = 1 kΩ,
C2 = C3 = 1 nF。當電橋平衡時,電阻R1的值為何?
(A) 300 Ω (B) 400 Ω (C) 500 Ω (D) 600 Ω
2 [A] 18. 三相交流馬達的輸入功率測得為5 kW。如果馬達的電壓和電流分別為400 V和8.6 A,則系統 的功率因數為何?
(A) 0.839 (B) 0.856 (C) 0.878 (D) 0.894
5 [C] 19. 一個400 V的三相星形連接之交流電源提供一個三角形連接的負載,該負載的每相具有30 Ω的 電阻和40 Ω的感抗。若忽略交流電源和負載之間線路的損耗,求交流電源提供的輸出功率為 何?
(A) 3.22 kW (B) 4.54 kW (C) 5.76 kW (D) 6.68 kW
8 [A] 20. 在電源電壓為(120 + j200) V的電路中流過(7 + j16) A的電流,求此電路的等效阻抗值為何?
(A) 13.25 − j1.705 Ω (B) 13.25 + j1.705 Ω (C) 13.25 − j0.705 Ω (D) 13.25 + j0.705 Ω
11 [D] 21. 如右圖所示,有一電阻為R歐姆且電感為L亨利的線圈與50 μF
電容器串聯連接。若電源電壓為225∠0◦ V、60 Hz時,電路中 流動的電流為I = 1.5∠-30◦ A,則線圈的R和L值為何?
(A) R =129.9 Ω、L= 0.04 H (B) R =129.9 Ω、L= 0.14 H (C) R =129.9 Ω、L= 0.24 H (D) R =129.9 Ω、L= 0.34 H
14 [B] 22. 有一單埠電路,其戴維寧等效電壓為20 伏特,諾頓等效電流為4 安培,請問其諾頓與戴維寧 等效電阻各為何?
(A)同為1
5Ω (B)同為5 Ω (C) 1
5Ω與5 Ω (D) 5 Ω與1 5Ω
17 [C] 23. 如右圖所示,電源電流I的值為何?
(A) 9.12∠15.48◦ (B) 10.78∠16.67◦ (C) 11.55∠17.96◦ (D) 12.63∠18.16◦
20 [B] 24. 如右圖所示,求A和B間產生的有效功率為何?
(A) 310.2 W (B) 339.5 W (C) 355.8 W (D) 378.3 W
23 [C] 25. 有一RLC串聯電路,電阻值為10 Ω,電容值為5 μF和一個可變電感L組成,電源電壓為20∠0◦
伏特,頻率為318.3 Hz。當調整電感值至跨越10 Ω電阻的電壓為最大值時,則此電感L的值為 何?
(A) 30 mH (B) 40 mH (C) 50 mH (D) 60 mH
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1.電路學 2.電子學 第 4 頁,共 6 頁 28 [B] 26. 關於p-n接面二極體(p-n junction diode)之敘述,下列何者有誤?
(A)開路狀態下,空乏區(Depletion region)的寬度會較深入摻雜濃度低的一邊 (B)逆向偏壓時,空乏區所形成的電容變大
(C)順向偏壓時,電流與電壓呈指數關係 (D)多數載子之移動形成擴散電流
31 [D] 27. 對直接耦合(direct-coupling)放大器而言,下列敘述何者正確?
(A)低頻響應佳,工作點較穩定 (B)高頻和低頻響應皆佳,工作點穩定 (C)高頻響應較差,工作點較不穩定 (D)低頻響應較佳,工作點較不穩定
34 [D] 28. 某npn型電晶體操作在vBE= 710 mV,IC= 4 mA,其iC對vCE的特性有一斜率為4×10-5 ʊ,
當電晶體操作在IC = 10 mA時,其輸出阻抗值為多少?
(A) 40 kΩ (B) 30 kΩ (C) 20 kΩ (D) 10 kΩ
37 [A] 29. 當電晶體共射極放大器加入射極電阻,但不加射極旁路電容,則下列敘述何者正確?
(A)電壓增益降低 (B)輸出阻抗降低 (C)輸入阻抗降低 (D)非線性失真增加 40 [C] 30. 如右圖所示之穩壓電路,假設 Q1、Q2的 IC = IE(IB忽略),
VBE = 0.7 V,VL = 12 V,則R1:R2為下列何者?
(A) 1:2 (B) 3:4 (C) 5:7 (D) 7:9
43 [A] 31. 如右圖所示之電路,二電晶體參數均為VTH = 0.4 V及𝑘𝑘𝑛𝑛′ = 120 µA/V2, 若M1和M2長寬比為(W/L)1 = 30 和 (W/L)2 = 15,則 ID為以下何者?
(A) 5.45 mA (B) 7.94 mA (C) 10.11 mA (D) 12.62 mA
46 [B] 32. 比較晶體基本偏壓組態之敘述,下列何者正確?
(A)共閘極:輸入阻抗大,輸出阻抗小,輸入與輸出信號同相 (B)共射極:電壓增益大,輸入與輸出信號反相
(C)共汲極或源極隨耦器:輸入阻抗小,輸出阻抗大,輸入與輸出信號反相 (D)達靈頓晶體:輸入阻抗大,輸出阻抗小,輸入與輸出信號反相
49 [D] 33. 有關負回授放大器的穩定性敘述,下列何者有誤?
(A)增益邊界(gain margin)為正值則不穩定
(B)如1 + Aβ的零點皆在複數頻率平面的左邊則穩定 (C)暫態干擾影響會漸漸消失則穩定
(D)相位邊界(phase margin)為負值則穩定
26 [B] 34. 如右圖所示之差動放大器。電晶體參數如下,𝜇𝜇𝑛𝑛𝐶𝐶𝑜𝑜𝑜𝑜 = 100 μA/V2
,VA = 10, 但Q1,2之(W/L)1,2 = 25,Q3之(W/L)3 = 50,Q4之 (W/L)4 = 10。電阻 RD = 10 kΩ。假設偏壓維持節點電壓 VB = VX
,若電路的差模電壓增益Ad = (VO2 – VO1) / (Vi1 – Vi2)要達到5 V / V
,則IB為何?
(gm = 2�𝐾𝐾𝑛𝑛𝐼𝐼𝐷𝐷𝐷𝐷)
(A) 4.25 mA (B) 7.18 mA (C) 9.12 mA (D) 12.26 mA
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1.電路學 2.電子學 第 5 頁,共 6 頁 29 [C] 35. 如右圖所示CMOS數位電路,請問輸出 Y為何種邏輯函數?
(A) Y = 𝐵𝐵� + 𝐴𝐴̅𝐵𝐵� + 𝐵𝐵�𝐷𝐷�
(B) Y = 𝐴𝐴̅ + 𝐴𝐴̅𝐶𝐶̅ + 𝐵𝐵�𝐷𝐷�
(C) Y = 𝐴𝐴̅ + 𝐵𝐵�𝐶𝐶̅ + 𝐵𝐵�𝐷𝐷�
(D) Y = 𝐴𝐴𝐵𝐵���� + 𝐵𝐵�𝐶𝐶̅ + 𝐵𝐵�𝐷𝐷�
32 [A] 36. 下列敘述何者有誤?
(A)直接耦合串級放大電路前後級阻抗容易匹配 (B)直接耦合串級放大電路之低頻響應佳
(C)變壓器耦合串級放大電路易受磁場干擾
(D)電阻電容耦合串級放大電路偏壓電路獨立,設計容易
35 [D] 37. 一差動放大器,其兩輸入電壓分別為Vi1 = 55 μV,Vi2 = 45 μV,共模拒斥比CMRR(dB) = 40 dB
,差模增益為Ad = 500,則下列何者正確?
(A)共模增益Ac = 10 (B)差模輸入電壓Vd = 5 μV (C)共模輸入電壓Vc=100 μV (D)輸出電壓Vo = 5.25 mV 38 [C] 38. 如右圖所示之集極回授偏壓電路,VCC = 12 V,VBE = 0.7 V,
電晶體β =120,RC = 1 kΩ,若 VCE = 6.7 V,則RB為何?
(A) 48.5 kΩ (B) 76.4 kΩ (C) 136.9 kΩ (D) 203.4 kΩ
41 [B] 39. 如右圖所示之振盪電路,於正常工作下,輸出電壓Vo之頻率
為何?
(A) 398 Hz (B) 796 Hz (C) 1.592 kHz (D) 2.388 kHz
44 [D] 40. 如右圖所示電路,電晶體工作於作用區,β = 99,
VBE = 0.7 V,熱電壓(thermal voltage) VT = 26 mV,
則此放大電路之電流增益𝐴𝐴𝑖𝑖 = 𝐼𝐼𝐼𝐼𝑜𝑜
𝑖𝑖為下列何者?
(A) 27.3 (B) 22.1 (C) 15.2 (D) 12.4
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1.電路學 2.電子學 第 6 頁,共 6 頁 47 [B] 41. 如右圖所示,其中接面場效電晶體(JFET)之夾止電壓
VP = -4 V。已知此接面場效電晶體放大電路的工作點 為VDS = 3 V、ID = 1 mA,汲極電阻 rd 忽略不計,則 此電路之小訊號電壓增益Vo / Vi為何?
(A) -1.1 (B) -2.0 (C) -4.2 (D) -6.4
50 [A] 42. 若量測電路中的pnp型雙極性接面電晶體,得知其射極接地,基極電壓為0.7 V,集極電壓為 -3 V,請問電晶體操作在哪個區域?
(A)截止區 (B)順向主動區 (C)飽和區 (D)逆向主動區 27 [D] 43. 有關由兩個共射極放大器構成RC耦合串級放大電路的敘述,下列何者正確?
(A)第一級直流工作點的變化會影響到第二級的直流工作點 (B)高頻的電壓增益受到耦合電阻的影響而降低
(C)第一級直流工作點的變化會影響到第二級的交流電壓增益 (D)低頻的電壓增益受到耦合電容的影響而降低
30 [A] 44. 當二極體於逆向偏壓時,下列敘述何者正確?
(A)空乏區變寬、障壁電位增加 (B)空乏區變窄、障壁電位增加 (C)空乏區變寬、障壁電位減少 (D)空乏區變窄、障壁電位減少
33 [C] 45. 對於一個放大器,其電壓增益A = -100,輸入阻抗為20 kΩ,使用一電阻R = 100 kΩ,跨接在 輸入和輸出端,其輸入阻抗變為多少?
(A) 3.7 kΩ (B) 2.1 kΩ (C) 943 Ω (D) 900 Ω 36 [B] 46. 如右圖所示之理想運算放大器電路,流經齊納(Zener)二極體之電
流IZ =1.5 mA,運算放大器之飽和電壓為±15 V,則R值為何?
(A) 1 kΩ (B) 2 kΩ (C) 3 kΩ (D) 5 kΩ
39 [C] 47. 對A類放大器性質的敘述,下列何者有誤?
(A)具有低輸出阻抗值
(B)使用電晶體電路時,射極隨耦器是常用的輸出級 (C)最常用於射頻(radio-frequency)功率放大
(D)總諧波失真均低於 AB類、B類及C類等放大器
42 [A] 48. 若某雙極性接面電晶體的基極電流IB = 20 μA,集極電流IC = 2 mA,且電晶體的β = 150,則此
電晶體工作在下列哪一區?
(A)飽和區 (B)截止區 (C)逆向作用區 (D)作用區
45 [C] 49. 一串級放大電路,已知第一級電壓增益為20 dB,第二級電壓增益為30倍,若此串聯放大電路 輸入電壓Vi為20 μA時,則輸出電壓Vo為何?
(A) 800 μV (B) 2 mV (C) 6 mV (D) 10 mV
48 [C] 50. 有一 N通道增強型MOSFET的臨界電壓VT = 2 V,當VGS = 5 V時,MOSFET工作於飽和區(夾止
區),ID = 3 mA。若VGS = 8 V,則轉移電導gm為下列何者?
(A) 1 mS (B) 2 mS (C) 4 mS (D) 6 mS