中國鋼鐵股份有限公司

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【圖一】

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110 年新進人員甄試試題

甄試類別：員級－電機

專業科目：1.電工及電子學 2.數位系統 3.電工機械

壹、選擇題—單選題 25 題(每題 1.5 分，答錯不倒扣；未作答者，不予計分)

1.二極體的耐壓 100 V，在二極體加逆向偏壓 50 V，二極體承受的電壓為何？

○^A 0 V ○^B 25 V ○^C 50 V ○^D 100 V

2.一平行板電容器 C=12 pF，在該電容器兩側施加直流電壓 10 V，該電容器儲存之能量為？

○^A 600 nJ ○^B 0.6nJ ○^C 6 pJ ○^D 60pJ

3.承上題，如何增加平行板電容器之電容量？

○^A 減少平行板之面積 ○^B 在平行板之間不放置任何材料

○^C 減少平行板之間的距離 ○^D 減少施加電壓

4.NPN 電晶體當放大器使用時，條件為何？

○^A 基極射極順向偏壓 ○^B 基極集極逆向偏壓

○^C 基極射極順向偏壓或基極集極逆向偏壓 ○^D 基極射極順向偏壓且基極集極逆向偏壓

5.一電阻-電容電路如圖一所示，C=10 nF，R=10kΩ，該電路之時間常數為？

○^A 100ms ○^B 10ms ○^C 1ms ○^D 0.1ms

6.標稱規格 12V/20A 之鋰鐵電池，欲以 1C 放電 2 小時，理論上能釋放之能量為何？

○^A 480Whr ○^B 240Whr ○^C 120Whr ○^D 60Whr

7.圖二之交換函數為何？

○^A Ｚ＋ＸＹ ○^B Ｚ＋ＸＹ ○^C Ｚ＋ＸＹ ○^D Ｚ＋ＸＹ

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YZ YZ YZ YZ

00 01 11 10

X 0 F T T T

X 1 F T T F

【圖二】

8.以下何者非一般 PN 二極體所能提供之功能？

○^A 整流電路 ○^B 箝位電路 ○^C 可變電容 ○^D 以上皆非

9.一運算放大器電路如圖三所示，輸出電壓為？

○^A 2.4 V ○^B ̶ 2.4 V ○^C 0.8 V ○^D ̶ 0.8 V

10.順序控制電路圖中，兩∣∣接點並聯，代表何意 ?

○^A 邏輯或運算 ○^B 邏輯及運算

○^C 邏輯反運算 ○^D 邏輯互斥運算

11.以 BJT 形成共射極放大電路時，在電路的輸入端及輸出端皆會連結至一耦合電容，該耦合電容之功用為？

○^A 增加放大電路的增益 ○^B 防止 BJT 崩潰

○^C 避免小訊號與直流偏壓互相影響 ○^D 改善放大器的線性度

12.下列描述何者使用運算放大器的電路？

○^A 隔離變壓器 ○^B 被動濾波器 ○^C 加法器 ○^D 無線充電電路

13.二極體與雙極性接面電晶體之比較，何者為非？

○^A 兩者皆具有 pn 接面

○^B 二極體可作為開關，雙極性接面電晶體則否

【圖三】

+ v^o -

(3)

○^C 雙極性接面電晶體可用於小訊號放大，二極體則否

○^D 雙極性接面電晶體有三個電極，二極體僅有兩個電極

14.有關無線充電系統，下列描述何者錯誤？

○^A 法拉第感應理論的應用 ○^B 耦合係數低 ○^C 傳輸效率高 ○^D 使用磁場傳遞能量

15.關於金屬-氧化物-半導體場效應電晶體(MOSFET)之敘述，何者為非？

○^A 使用電位效應調變輸出電流 ○^B 輸入電阻趨近於無窮大

○^C 輸出電流可由閘極之寬/長比例進行改變 ○^D 一般而言，氧化物層使用二氧化矽

16.單相電路電壓 110V，連接 1kW 負載，功率因數 0.5 落後，負載的平均功率為何？

○^A 1000W ○^B 866W ○^C 500W ○^D 0W

17.三相電路線電壓 220V，連接一 Y 接 100Ω 平衡電阻負載，功率因數為何？

○^A 1 ○^B 0.866 ○^C 0.5 ○^D 0

18.一電路圖如圖四所示，該電路功用為？

○^A 低通濾波器 ○^B 高通濾波器

○^C 帶通濾波器 ○^D 帶阻濾波器

19.一部 480V/50Hz/Y 連接六極同步發電機，額定為 50kVA、0.8 功率因數落後，此電機最大電樞電流為何？

○^A 35A ○^B 60A ○^C 104A ○^D 120A

20.兩邏輯輸入 A=1 與 B=1，下列何者錯誤？

○^A A+B=1 ○^B A‧B=0 ○^C A⊕B=0 ○^D A⊕B=1

21.馬達中的反電動勢用於？

○^A 增加馬達輸出功率 ○^B 減少磁通量

○^C 增加線圈電流 ○^D 減少電樞電流

22.一個由 MOSFET 所構成之共源極放大器電路如圖五所示，電阻 R1及 R2之功用為？

○^A 決定 MOSFET 之工作點 ○^B 增加輸入電阻

○^C 改善電路穩定度 ○^D 保護電路，避免直接與電源接觸

23.太陽能發電系統需要具備有最大功率追蹤能力，原因為何 ?

【圖五】

【圖四】

Vout

Vin

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4

○^A 太陽能發電輸出功率無法預測 ○^B 太陽能發電可能故障

○^C 電網頻率可能變動 ○^D 電網電壓可能變動

24.關於光二極體(Photodiode)之敘述何者為非？

○^A 操作於逆向偏壓 ○^B 半導體的能隙決定其感測波長

○^C 操作於順向偏壓時，不可作為發光二極體 ○^D 未照光時所量測到的逆向電流稱為暗電流

25.一部 208V/60Hz/Y 連接四極感應電動機，滿載轉差率為 5%，此電機在滿載時轉子頻率為何？

○^A 3Hz ○^B 60Hz ○^C 57Hz ○^D 63Hz

貳、選擇題—複選題 7 題(每題 2.5 分，全部答對才給分，答錯不倒扣；未作答者，

不予計分)

26.NPN 電晶體工作於飽和區時，下列描述何者正確 ?

○^A 電晶體可作為開關元件 ○^B 集極射極可允許順向電流

○^C 集極射極可允許逆向電流 ○^D 電晶體之導通損失小

27.以下哪種邏輯閘可以作為通用邏輯閘？

○^A NAND ○^B NOR ○^C XOR ○^D XNOR

28.有關邏輯運算，下列何者正確？

○^A X+Y=Y+X ○^B XY=YX ○^C X+Y= X Y ○^D X∙Y= X + Y

29.關於理想金屬-氧化物-半導體場效應電晶體(MOSFET)之敘述何者為是？

○^A 閘極電流為零

○^B 偏壓為 VDS>VGS ̶ VT之增益高於偏壓為 VDS<VGS ̶ VT之增益

○^C 對於空乏型 n 通道 MOSFET，VGS=0 V，MOSFET 之 IDS=0 A

○^D 對於矽基 MOSFET 而言，N-MOSFET 在頻率響應的表現優於 P-MOSFET

30.併網型(Grid-Connected)太陽能逆變器(INVERTER)，下列描述何者正確 ?

○^A 太陽能逆變器以輸出實功率為主 ○^B 太陽能逆變器的輸出功率為定值

○^C 太陽能逆變器的輸出功率與電網頻率無關 ○^D 太陽能逆變器具有最大功率追蹤能力

31.共源極放大器之電路圖如圖六所示，以下敘述何者為是？

○^A 所使用的 MOSFET 是 P 型通道 MOSFET

○^B 若移除 C3，放大器的電壓增益會下降

○^C 若該放大器的電壓增益為 2，若輸入端(Vin)為直流電壓 2 V，

輸出端則可以得到直流電壓 4 V

○^D 當該放大器進行小訊號放大時，所產生之小訊號電流大部

【圖六】

V^out

Vⁱⁿ

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分會流向 C3，而非 RS

32.獨立運轉型(Islanded)太陽能轉換器(CONVERTER)，下列描述何者正確 ?

○^A 可連接直流負載 ○^B 不須安裝低頻(60Hz)隔離變壓器

○^C 需要安裝儲能系統 ○^D 需具有最大功率追蹤能力

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