專業科目：(1)通信系統、(2)電子學

【請接續背面】

中華電信股份有限公司 101 年從業人員(基層專員)遴選甄試試題

遴選類別【代碼】 ：工務類專業職(三)專員【C1501】

專業科目：(1)通信系統、(2)電子學

＊請填寫入場通知書編號：

_______________

注意：•作答前須檢查答案卡(卷)、入場通知書編號、桌角號碼、應試類別是否相符，如有不同應立即請 監試人員處理，否則不予計分。

‚本試卷為一張雙面，測驗題型分為【四選一單選選擇題 60 題，每題配分 1 分】與【非選擇題 4 題，每題配分 10 分】。

ƒ選擇題限用 2B 鉛筆於答案卡上作答，請選出最適當答案，答錯不倒扣；未作答者，不予計分。

„非選擇題限用藍、黑色鋼筆或原子筆於答案卷上採橫式作答，不必抄題但須標示題號，並請從答 案卷內第一頁開始書寫，違反者該科酌予扣分。

…請勿於答案卡(卷)上書寫姓名、編號或其他不應有的文字、標記、符號等，違反者該科以零分計算。

†應考人得自備簡易型電子計算器，但不得發出聲響，且不具財務、工程及儲存程式功能。應考人 於測驗時將不符規定之電子計算器放置於桌面或使用，經勸阻無效，仍執意使用者，該科扣 10 分；該電子計算器並由監試人員保管至該節測驗結束後歸還。

‡答案卡(卷)務必繳回，未繳回者該科以零分計算。

第 1 部份：四選一單選選擇題 60 題（每題 1 分）

【2】1.在交換網路中，下列何項通訊協定可以設定 VLAN，讓 overhead 傳送到相同 domain 的所有 Switch 上？

• FTP ‚ VTP ƒ ISDN „ STP

【2】2.下列何者屬於內部路由協定(interior routing protocol)的範疇？(a) RIP (b) BGP (c) OSPF (d) IGRP

• (a)(b)(c) ‚ (a)(c)(d) ƒ (a)(b)(d) „ (b)(c)(d)

【4】3.在下列常見的錯誤檢查方式中，何者同時具偵測錯誤和更正錯誤之功能？(a)同位位元檢查 (b)漢明碼 (c) ECC (d) CRC

• (b)(d) ‚ (a)(c) ƒ (a)(b) „ (b)(c)

【1】4.下列何者不屬 4G LTE 相關技術？

• HSPA ‚ OFDMA ƒ MIMO „ All-IP networks

【2】5.假設 A 公司申請到 168.95.0.0/20 位址。請問其共可切割多少個 Subnets（假設每一 Subnet 需要 30 個 IP）？

• 64 ‚ 128 ƒ 192 „ 256

【3】6.以傳送單一訊息的頻寬來傳送兩種訊號，這種技術屬於何種調變？

• FM ‚ BPSK ƒ QAM „ GMSK

【2】7.請問 IPSec 通訊協定是由何種協定組成？(a) IP (b) AH (c) SSL (d) ESP

•僅(a)(b) ‚僅(b)(d) ƒ僅(c)(d) „ (a)(b)(d)

【3】8.下列何者不屬於三階編碼？

• B8ZS ‚ Bipolar-AMI ƒ Manchester „ MLT-3

【2】9.在 WiMAX 中分執照頻段和非執照頻段，下列何者為國際 FWA(Fixed Wireless Access)頻段所使用？

• 2.50 ~ 2.69 GHz ‚ 3.4 ~3.7 GHz ƒ 5.15 ~ 5.35 GHz „ 5.725 ~ 5.735 GHz

【3】10.在光纖線路中分為多模態與單模態，其中多模態光纖比單模態光纖傳輸能力差，是因為：

•光子吸收 ‚折射率不同 ƒ模態色散 „散射

【2】11.下列的調變方式中，何種是屬於等峰值(constant envelope)的調變方式？

• ASK ‚ MSK ƒ QPSK „ 16QAM

【2】12.下列何種通訊系統不是使用在 2.4GHz 頻帶？

• Bluetooth ‚ IEEE 802.11a ƒ IEEE 802.11b „ IEEE 802.11g

【3】13.下列何種行動通訊系統不是使用展頻技術？

• Bluetooth ‚ IEEE 802.11b ƒ WiMAX „ WCDMA

【3】14.根據 Shannon 的 information capacity theorem，在 AWGN 的通道下若要將單位頻率的資訊容量由 1 提升至 2 bps/Hz，則在相同雜訊功率的條件下，訊號功率需提高至幾倍？

• 1.5 ‚ 2 ƒ 3 „ 10

【2】15. (7, 4)Hamming code 最多可改正幾個位元的錯誤？

• 0 ‚ 1 ƒ 2 „ 3

【4】16.若一接收機希望收到的信號頻率為 18MHz，其所使用的本地振盪器頻率為 19.6MHz，請問其鏡射頻率(image frequency)會產生在哪個頻率？

• 1.6MHz ‚ 16.4MHz ƒ 19.6MHz „ 21.2MHz

【3】17.若使用 CRC(cyclic redundancy check)編碼的方式來傳送一二位元序列 1101011，其生成多項式為 x⁴+x³+1，則 經 CRC 編碼後其傳送之序列為何？

• 11010110000 ‚ 11010110111 ƒ 11010111010 „ 11010111101

【2】18.假設有 12 組不同的訊號，每一個訊號的頻寬都是 10KHz，若要將這些信號用 TDM 和 PAM 的方式多工調變 (multiplexing and modulation)並以傳輸線來傳送，其所需之最小頻寬為何？

• 60KHz ‚ 120KHz ƒ 240KHz „ 480KHz

【4】19.下列之類比調變技術中，何者有最佳的功率使用效率(power efficiency)？

• DSB-SC ‚ SSB-SC ƒ VSB „ FM

【4】20.如果僅考慮 AWGN 通道的影響，下列何種調變技術在相同的 SNR 情形下，其符元錯誤率(probability of symbol error)最低？

• 2-FSK ‚ 4-FSK ƒ 8-FSK „ 16-FSK

【1】21. 802.11 於 1997 年發表，下列何者非其所規範之實體層的使用傳輸技術？

• OFDM ‚ DSSS ƒ FHSS „ Infrared

【3】22. ATM 傳送方式是利用細胞(cell) ，下列何者非 ATM 的傳輸優點？

•寡占式頻寬 ‚支援多種傳輸速率 ƒ非固定式長度細胞 „支援多種傳輸媒介

【4】23.資料以分封交換方式來傳送時，系統可以採用 Datagram（資料元）及下列何種方式來傳送？

•細胞繼送(Cell Relay) ‚訊框繼送(Frame Relay) ƒ電路交換(Circuit-Switching) „虛擬電路(Virtual Circuit)

【2】24.當以市內電話撥打至手機時，這通電話的訊息會先透過公眾交換電話網路，傳送到某一裝置，然後此裝置再 將這通電話轉到基地台，基地台再透過一個無線頻道將訊號傳到手機。請問此裝置為何？

• BSC ‚ MSC ƒ MTP „ NOC

【4】25.下列何項網路設備可以用來分割子網路？

• Repeater ‚ L2 Switch ƒ L3 Switch „ Router

【4】26.下列哪一個頻段不是 GSM 系統使用的頻率？

• 900MHz ‚ 1800MHz ƒ 1900MHz „ 2400MHz

【3】27.下列何種調變與編碼率的組合能傳送的實質資料量最大？

• QPSK 1/2 碼率 ‚ 16QAM 2/3 碼率 ƒ 16QAM 3/4 碼率 „ 64QAM 1/3 碼率

【3】28.下列何種通訊系統使用 OFDM 的技術？

• Bluetooth ‚ GSM ƒ IEEE 802.11a „ IEEE 802.11b

【3】29. GSM 系統是使用何種調變技術？

• ASK ‚ BPSK ƒ GMSK „ 64QAM

【2】30.請問 60~108 KHz 的頻帶若使用 FDM 系統的架構，可分出幾個 4KHz 頻寬的通道？

• 6 ‚ 12 ƒ 18 „ 24

【1】31.如【圖 31】所示之二極體截波器(clipper)，若輸入電壓 v_i為一振福±10 V 的三角波，V_B = 5 V，而二極體的導 通電壓為 0.7 V，則輸出電壓 v_o的最小值約為何？

• 4.3 V

‚ 5.7 V ƒ -5.7 V

„ -9.3 V

【2】32.在考慮歐利效應(Early effect)的 BJT 混合 p 型(hybrid- p)等效電路中，假設熱電壓(thermal voltage)與歐利電壓 (Early voltage)分別為 25 mV 與 50 V，且已知跨導(transconductance) g_m為 50 mA/V，則輸出電阻 r_o為何？

• 50 kO ‚ 40 kO ƒ 25 kO „ 10 kO

【4】33.當溫度上升時，下列何項 FET 參數亦隨之上升？

•載子遷移率(mobility) ‚ MOSFET 的導電參數 ƒ JFET 的跨導參數(transconductance parameter) „電荷載子碰撞頻率

【4】34.一單級差分放大器(difference amplifier)在某一頻率的差模(differential-mode)增益為 20 dB、共模(common-mode) 增益為-10 dB，其在該頻率之共模拒斥比(common-mode rejection ratio, CMRR)為何？

• -200 dB ‚ -2 dB ƒ 10 dB „ 30 dB

【3】35.一交流電壓的基本波(fundamental) 振幅為 1 V_rms，三次諧波(harmonic)與五次諧波分別為 0.4 V_rms與 0.3 V_rms， 其總諧波失真(total harmonic distortion, THD)為何？

• 30 % ‚ 40 % ƒ 50 % „ 70 %

v_i

R +

−

+

−

vo

VB

+

−

【圖 31】

【4】36.矽半導體本質(Intrinsic)濃度 N_i=1.5×10¹⁰原子 cm³，在密度為 5×10²²原子 cm³中，每 10⁸個矽原子加入一個 硼原子，則電子濃度應為多少電子 cm³？

• 1.5×10¹⁰ ‚ 5×10²² ƒ 5×10³² „ 4.5×10⁵

【2】37.一半波整流電路，若輸入交流電壓為 110 伏特有效值，R_L的阻值為 4kO，求直流輸出電壓 E_dc約為多少伏特？

• 35 ‚ 49.5 ƒ 60.5 „ 70

【1】38.設計一具濾波電容 C 與負載 R_L之全波整流電路，其輸入信號為 Vi=120sin(2πx60t)，要求漣波電壓 Vr 為 2 V，

若 R_L=10kO，則濾波電容 C 至少應為多少？

• 50 µF ‚ 100 µF ƒ 150 µF „ 200 µF

【3】39.某差動放大器的 CMRR 為 100dB，A_d為 100，當共模輸入電壓為 10mV 時，其輸出電壓為何？

• 1 mV ‚ 100 µV ƒ 10 µV „ 1 µV

【3】40.三個 MOS 元件 A、B、C， 其閘極寬度(W)與長度(L)分別為 W/L=1µm/10µm, W/L=1µm/20µm, W/L=2µm/10µm, 其餘條件都相同，在相同操作電壓且處於飽和區內，請比較 I_D，g_m (transconductance)，ro(汲極輸出電阻)和 fT(截 止頻率)關係為何？

• g_m (A 元件) < g_m (B 元件) ‚ r_o (B 元件) < r_o (C 元件) ƒ f_T (B 元件) < fT (C 元件) „ I_D (A 元件) < ID (B 元件)

【2】41.設計一具有交換電壓為 V_DD電源電壓一半之 CMOS 反相器，假設 NMOS 與 PMOS 之臨界電壓 V_tn=|Vtp| 且具 有相同通道長度，而其移動率(mobility) µ_nmos=3µpmos，則 PMOS 與 NMOS 電晶體寬度的關係為何？

• W_NMOS=3W_PMOS ‚ 3W_NMOS=W_PMOS ƒ W_NMOS=W_PMOS „與電晶體寬度無關

【1】42.如【圖 42】所示電路中，欲使 I_Z = 5mA，則 R 值應為若干？

• 500 O

‚ 1 kO ƒ 1.5 kO

„ 2 kO

【1】43.在擴大機特性測試中，以 60Hz 正弦波通過一待測之擴大機，得一輸出波形 e(t)=sin377t+0.4sin754t+0.3sin1131t，

則此擴大機之總諧波失真百分率為若干？

• 50% ‚ 41% ƒ 27% „ 13%

【2】44. P 通道空乏型 MOSFET 之夾止電壓 V_GS(P) = 3V，且閘極電壓為 6V、源極電壓為 5V 以及汲極電壓為 0V，則 其工作於何種模式？

•崩潰模式 ‚夾止飽和區模式 ƒ歐姆區模式 „截止區模式

【4】45.若 N 通道空乏型 MOSFET 工作於夾止飽和區，閘源極間電壓為 -2V，夾止電壓為 -5V，飽和電流 I_DSS=2.5mA，

則汲極電流約為何？

• 5 mA k 3.5 mA l 2.25 mA m 0.9 mA

【4】46.某 JFET 夾止電壓 V_GS(P)= -4V，IDSS= 8mA，若汲極電流為 2mA，則其閘-源極間電壓 VGS為何？

• 4V k 2V l -1V m -2V

【3】47.某差動放大器之 CMRR= 60dB，其差模訊號增益為 200，則共模訊號增益為何？

• 10 k 2 l 0.2 m 0.04

【2】48.單相二極體橋式全波整流器，交流輸入電壓

v

_i

= 20sin60 π t V

，則下列敘述何者正確？

•直流電壓頻率為 30Hz ‚直流電壓有效值為 14.1 V

ƒ直流電壓平均值為 14.1 V „二極體之逆向峰值電壓為 40 V

【2】49. BJT 偏壓時若基-射極接面為逆偏，而基-集極接面為順偏，則下列敘述何者正確？

• BJT 耐壓及增益皆提高 k BJT 耐壓及增益皆下降

l BJT 耐壓提高且增益降低 m BJT 耐壓降低且增益提高

【4】50.一般 BJT 基極(B)、集極(C)及射極(E)之? 雜濃度大小依序為何？

• E > C > B k B > C > E l B > E > C m E > B > C

【3】51.在一般 BJT 電流增益的頻率響應圖中，若直流增益為 100，且已知截止頻率(cut-off frequency)為 10⁷ rad/sec，

單位增益頻率(unity-gain frequency)為何？

• 10⁵ rad/sec ‚ 10⁷ rad/sec ƒ 10⁹ rad/sec „ 10¹¹ rad/sec

【3】52.矽(Si)的本質載子濃度(intrinsic carrier concentration)為 1.5×10¹⁰ cm^{- 3}，在同樣的溫度下，若受體(acceptor)濃度 為 1.5×10¹⁵ cm^{- 3}，熱平衡下的電子濃度約為何？

• 1.5×10¹⁵ cm^{- 3} ‚ 1.5×10¹⁰ cm^{- 3} ƒ 1.5×10⁵ cm^{- 3} „ 1×10⁵ cm^{- 3}

【1】53.如【圖 53】所示之 NMOS 電路，若 v₁接地且 v₂接 V_DD = 5 V，則 v_O的準位為何？

•低準位

‚高準位 ƒ無法判別

„高、低準位兩者交換變化

【1】54.在 741 運算放大器中有一補償電容跨接於第二級的電壓放大器，下列何者不會受該補償電容之影響？

•效率 ‚單位增益頻率 ƒ穩定度 „電壓轉換率(slew rate)

【1】55.有一 BJT 偏壓於順向主動區(forward-active region)，若集極(collector)電流 i_C = 2 mA、基極(base)電流 i_B = 20 µA，

其共基極電流增益(common-base current gain)為何？

•

101

100

‚

100

99

ƒ 100 „ 101

【3】56.矽二極體在溫度 20℃時之逆向飽和電流為 2mA，假設溫度上升至 60℃時，則逆向飽和電流變為多少？

• 8 mA ‚ 16 mA ƒ 32 mA „ 64 mA

【3】57.有一基本放大器，其正回授百分數 ß=0.05，若欲使其振盪，則A 值至少應為何？ _v

• 100 ‚ 50 ƒ 20 „ 1

【3】58.有一個 P 通道空乏型 MOSFET，其臨限電壓 V_t=2V，假使其源極(source)接地而閘極(gate)接至+5V，欲使此元 件操作在飽和區(saturation)，則汲極(drain)之最低電壓為何？

• 7 V ‚ 5 V ƒ 3 V „ 2 V

【4】59.下列 BJT 放大器中，何者輸出阻抗最低？

•串級共基極放大器 ‚共基極放大器 ƒ共射極放大器 „共集極放大器

【3】60.下列 BJT 放大器中，何者具高電流增益，且具甚低電壓增益？

•共閘極放大器 ‚共射極放大器 ƒ共集極放大器 „共基極放大器

第 2 部份：非選擇題四大題（每大題 10 分）

題目一：

假設接收到的訊號 r(t)=s(t)+n(t)，其中 s(t)是傳送的訊號，而 n(t)是 AWGN (Additive White Gaussian Noise)，請找出匹配濾波器 h(t)為何？（提示：使用 Schwarz's inequality）【10 分】

題目二：

請列出常見的五種 VPN (Virtual Private Network)協定技術，並簡要說明其特性。【10 分】

題目三：

下圖【圖三】中為兩個 MOS 分壓電路，VDD=3.6 V，電晶體參數：µ

_n

C

_OX

=270 µA/V

²

，µ

_p

C

_OX

=90 µA/V

²

， V

_tn

= |V

_tp

| = 1V，忽略 Body effect(λ=0,γ=0)，且電晶體大小為 NMOS (W/L)

_N

=2 µ m/0.6 µm，PMOS (W/L)

_P

= 6 µm/0.6 µ m：

（一）求 I

₁

與 V

_{o 1}

為何？【5 分】

（二）求 I

₂

與 V

_{o 2}

為何？【5 分】

題目四：

繪出傳統 CMOS 電路圖以實現佈林函數 Y = AB + AB ：

（一）先求出Y ，並展開。【5 分】

（二）以 Y = Y 實現一級(one stage)CMOS 電路圖， A 、 A 、 B 、 B 為輸入。 （提示：其中 Y 以第（一）

小題中展開結果代入） 【5 分】

∫

∫

∫

^−∞∞

^{H ( f ) S ( f ) e}

^j2πft

^df

²

^≤

^−∞∞

^{H ( f )}

²

^df

^−∞∞

^{S ( f )}

²

^df

【圖 42】

R

_D

V

_DD

= 5 V

v

2

v

1

v

_O

【圖 53】

V

_o1

(B) (A)

VDD

I

₁

I

₂

VDD

V

_o2

V

_o1

(B) (A)

VDD

I

₁

I

₂

VDD

V

_o2

【圖三】