經濟部所屬事業機構 106 年新進職員甄試試題 類 別

全文

(1)

1.電路學 2.電子學 第 1 頁,共 6 頁

經濟部所屬事業機構 106 年新進職員甄試試題

類 別 : 電 機 ( 甲 ) 、 儀 電 節 次 : 第 二 節 科 目 : 1 . 電 路 學 2 . 電 子 學

注 意 事 項

1.本試題共 6 頁(含 A3 紙 1 張、A4 紙 1 張)。

2.可使用本甄試簡章規定之電子計算器。

3.本試題為單選題共 50 題,每題 2 分,共 100 分,須用 2B 鉛筆在答案卡畫記作答,於本 試題或其他紙張作答者不予計分。

4.請就各題選項中選出最適當者為答案,各題答對得該題所配分數,答錯或畫記多於 1 個 選項者,倒扣該題所配分數 3 分之 1,倒扣至本科之實得分數為零為止;未作答者,不 給分亦不扣分。

5.本試題採雙面印刷,請注意正、背面試題。

6.考試結束前離場者,試題須隨答案卡繳回,俟本節考試結束後,始得至原試場或適當處 所索取。

7.考試時間:90 分鐘。

3

[B] 1. 求右圖電路中的V=?

(A) -4 V (B) -2 V (C) 2 V (D) 4 V

6

[B] 2. 求右圖電路中的I=?

(A) 0.5 A (B) 1 A (C) 1.5 A (D) 2 A

9

[C] 3. 有關重疊定理(Principle of Superposition)的應用,下列何者有誤?

(A)獨立電壓源可以用短路代替 (B)獨立電流源可以用開路代替 (C)相依電源可以用開路或短路代替 (D)可適用於線性系統

12

[A] 4. 兩個磁耦合線圈的自感分別為L1= 10 mH,L2= 16 mH,設耦合係數為0.85,求互感量為?

(A) 10.75 mH (B) 11.66 mH (C) 12.65 mH (D) 14.88 mH

15

[C] 5. 求右圖所示電路,a、b兩端的等效電容?

(A) 1 nF (B) 1.52 nF (C) 2 nF (D) 2.52 nF

18

[B] 6. 理想二極體組成之箝位器(Diode Clampers)電路,

如右圖所示,若輸入為0 ~10 V之方波,試求其輸 出電壓範圍?

(A) -10~0 V (B) -7~3 V (C) -3~7 V (D) 3~10 V

【請翻頁繼續作答】

(2)

1.電路學 2.電子學 第 2 頁,共 6 頁

21

[D] 7. 若一齊納二極體(Zener Diode)在25 ℃時崩潰電壓為15 V,溫度係數為0.02 %/℃,若崩潰電壓 升為15.135 V,求當時溫度為何?

(A) 35 ℃ (B) 45 ℃ (C) 60 ℃ (D) 70 ℃

[一律給分] 8. 關於蕭特基二極體(Schottky Diode)特性,下列敘述何者有誤?

(A)並非一般二極體的pn接面,而是半導體與金屬接面 (B)對於偏壓改變有快速反應能力,應用於高頻與高速切換 (C)順向電壓降約為0.3 V

(D)靠多數載子操作,有大量逆向漏電流

1

[D] 9. 經過全波整流器(Full-Wave Rectifier)之正弦波信號,輸出電壓平均值𝑉𝑎𝑣𝑔與輸入電壓峰值𝑉𝑝的 關係為?

(A) 𝑉𝑎𝑣𝑔= 12𝑉𝑝 (B) 𝑉𝑎𝑣𝑔= 43𝑉𝑝 (C) 𝑉𝑎𝑣𝑔= 𝜋1 𝑉𝑝 (D) 𝑉𝑎𝑣𝑔= 𝜋2𝑉𝑝

4

[C] 10. 有關於BJT電晶體(npn)之敘述,下列敘述何者有誤?

(A)基極-射極、基極-集極接面皆施與順向偏壓,電晶體將工作於飽和區 (B)當基極電流逐漸下降為0,電晶體將進入截止區

(C)在飽和區工作之電晶體,𝐼𝐶 = β𝐷𝐶𝐼𝐵

(D)一般BJT之電壓增益參數β𝐷𝐶會隨著接面溫度𝑇𝑗上升而增加

7

[A] 11. 求右圖電路中的V =?

(A) 50 V (B) 60 V (C) 70 V (D) 80 V

10

[C] 12. 求右圖電路中,5 Ω所消耗的功率?

(A) 2.4 W (B) 3.8 W (C) 7.2 W (D) 8.4 W

13

[A] 13. 有一個戴維寧等效電路是由一獨立電壓源𝑉𝑇ℎ串聯一電阻𝑅𝑇ℎ組成,請問轉換為諾頓等效電路 後的獨立電流源𝐼𝑁為?

(A) 𝑉𝑅𝑇ℎ

𝑇ℎ (B) 𝑉𝑇ℎ𝑅𝑇ℎ (C) 𝑉𝑇ℎ−𝑅𝑇ℎ (D) 𝑉𝑇ℎ+ 𝑅𝑇ℎ

16

[A] 14. 有一負載的功率因數為1.0,請問此負載屬何種性質負載?

(A)純電阻性負載 (B)純電容性負載 (C)純電感性負載 (D)複合性負載

19

[C] 15. 右圖所示電路是理想的運算放大器,求𝑉0=?

(A) -11 V (B) -5 V (C) 5 V (D) 11 V

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1.電路學 2.電子學 第 3 頁,共 6 頁

22[A或B] 16.

一BJT電晶體直流工作電路如右圖,若不希望電晶體進

入飽和區,請問𝑉𝑖𝑛在基極端所產生之電流最大允許增 加量為何?

(A) 100 μA (B) 150 μA (C) 175 μA (D) 200 μA

25

[D] 17. 若一BJT電晶體分壓器偏壓電路如右圖,若電晶體β𝐷𝐶=100,試求𝑉𝐶? (A) 2 V

(B) 4.3 V (C) 5 V (D) 8.5 V

2

[C] 18. 有一差動放大器,CMRR= 2000、共模增益𝐴𝐶𝑀 = 0.2、輸入電壓分別為200 μV、100 μV,求 輸出電壓?

(A) 39.97 mV (B) 40 mV (C) 40.03 mV (D) 40.06 mV

5

[D] 19. 對於電晶體組成共射極放大器(Common-Emitter Amplifier)電路特性,下列敘述何者有誤?

(A)高電壓增益 (B)加入射極旁路電容可提高電壓增益

(C)高電流增益 (D)輸出與輸入電壓同相

8

[B] 20. 關於達靈頓對(Darlington Pair)組成之射極隨耦器,下列敘述何者正確?

(A)輸入阻抗低 (B)可作為低阻抗負載緩衝器

(C)高電壓增益 (D)輸出阻抗高

11

[D] 21. 右圖所示電路為理想的運算放大器,求 Rin =?

(A) 14 Ω (B) 12 Ω (C) 1 Ω (D) 54 Ω

14

[B] 22. 一電感器兩端的電壓為V ( t ) = 40𝑒−10𝑡 𝑉,請問電感器的電壓變成10 V時,t 為何值?

(A) 128.629 ms (B) 138.629 ms (C) 148.371 ms (D) 158.371 ms

17

[D] 23. 一RLC並聯電路的電阻值、電感值以及電容值分別為2500 Ω、2.5 H、4 nF,其電壓響應應屬於 何種性質?

(A)欠阻尼 (B)無阻尼 (C)臨界阻尼 (D)過阻尼

20

[A] 24. 有一個10 Ω電阻器與一個5 mH電感器並聯,然後再跟一個5 Ω電阻,以及一個10 μF的電容器 串聯,求此電路在ω = 2000 𝑟𝑎𝑑 𝑠⁄ 時的阻抗?

(A) 10-j45 Ω (B) 10+j45 Ω (C) 12.5-j75 Ω (D) 12.5+j75 Ω

23

[B] 25. 已知一弦波電壓為V=10 cos(1256𝑡 − 53.13°),求其週期為?

(A) 4 ms (B) 5 ms (C) 6 ms (D) 7 ms

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(4)

1.電路學 2.電子學 第 4 頁,共 6 頁

28

[A] 26. 關於放大器之敘述,下列敘述何者有誤?

(A) A類放大器效率最高約有79 % (B) B類放大器偏壓在截止點

(C) AB類放大器可改善交越失真現象(Crossover Distortion) (D) C類放大器偏壓在截止點以下

31

[B] 27. 有一AB類放大器電路如右圖,試求其交流輸出功 率為?

(A) 0.5 W (B) 0.9 W (C) 1.25 W (D) 1.5 W

34

[A] 28. 如右圖之JFET共源極放大器電路,若𝑉𝐺𝑆= 20 V時、反向 漏電流𝐼𝐺𝑆𝑆=50 nA,由信號源看入之輸入阻抗為何?

(A) 19.05 MΩ (B) 20 MΩ (C) 20.95 MΩ (D) 23.33 MΩ

37

[B] 29. 對JFET自給偏壓(Self-Bias)電路,若希望工作點設定在轉換特性曲線的中點,意即𝐼𝐷 =12𝐼𝐷𝑆𝑆

,下列哪一種方式可達成?

(A) 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓)/2 (B) 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓)/3.4 (C) 𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝐷/2 (D) 𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝐷/3.4

40

[A] 30. 有一增強型MOSFET,其臨界電壓𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ)=2 V,當𝑉𝐺𝑆=8 V時、對應之𝐼𝐷(𝑜𝑛)=200 mA,求 𝑉𝐺𝑆=5 V時之𝐼𝐷值?

(A) 50 mA (B) 100 mA (C) 125 mA (D) 150 mA

43

[D] 31. 有關弦波穩態功率的敘述,下列何者有誤?

(A)瞬間功率的頻率為電壓或電流頻率的二倍 (B)平均功率等於瞬間功率經過一週期的平均值 (C)複數功率等於實功率與無效功率的複數和 (D)功率因數等於電壓與電流之間相角的正弦值

46

[C] 32. 如右圖所示電路,轉移到負載阻抗ZL的

最大功率為何?

(A) 6 W (B) 9 W (C) 18 W (D) 36 W

49

[A] 33. 有一平衡三相電路𝑉𝐴𝑁為120∠-30° V,且為正相序,𝑉𝐵𝐶的值為?

(A) 207.85∠-120° V (B) 207.85∠120° V (C) 207.85∠-150° V (D) 207.85∠150° V

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(5)

1.電路學 2.電子學 第 5 頁,共 6 頁

26

[C] 34. 有一個三相額定平均功率為20 kW的負載,已知電源的三相線路的線電壓額定值為240 V,線 電流為50 A,求負載所吸收的無效功率?

(A) 3.66 kVAR (B) 4.66 kVAR (C) 5.66 kVAR (D) 6.66 kVAR

29

[C] 35. 有一函數F ( s ) =

18𝑆

2

+66𝑆+54

(𝑆+1)(𝑆+2)(𝑆+3)

,求f ( t )?

(A) 𝑒−𝑡+2𝑒−2𝑡+3𝑒−3𝑡 (B) 2𝑒−𝑡+4𝑒−2𝑡+6𝑒−3𝑡 (C) 3𝑒−𝑡+6𝑒−2𝑡+9𝑒−3𝑡 (D) 4𝑒−𝑡+8𝑒−2𝑡+12𝑒−3𝑡

32

[A] 36. 下列敘述何者有誤?

(A) JFET共源極放大器相較於BJT共射極放大器,輸入阻抗較低 (B) JFET共源極放大器,輸入𝑉𝐺𝑆與輸出𝑉𝐷𝑆電壓呈現180°反相 (C) JFET源極隨耦器電壓增益𝐴𝑉約略等於1

(D) JFET共閘極放大器具有低輸入阻抗

35

[A] 37. 如右圖之MOSFET電路架構,A、B為輸入,𝑉𝑜𝑢𝑡為輸出,

若希望輸出得到高電位(𝑉𝐷𝐷),試問A、B輸入應為何?

(A) 0、0 (B) 0、𝑉𝐷𝐷 (C) 𝑉𝐷𝐷、0 (D) 𝑉𝐷𝐷、𝑉𝐷𝐷

38

[C] 38. 下列何者對電晶體放大電路高頻響應影響較大?

(A)耦合電容 (B)旁路電容 (C)電晶體內部電容 (D)反耦合電容

41

[B] 39. 關於負回授與非負回授運算放大器比較,下列敘述何者有誤?

(A)負回授運算放大器輸入與輸出電壓呈現180°反相 (B)負回授運算放大器可提高閉迴路電壓增益

(C)負回授運算放大器可依需求調整電路以達到控制輸入、輸出阻抗目的 (D)負回授運算放大器可以得到較大頻寬

44

[D] 40. 如右圖之理想運算放大器電路,具有100 dB開迴路增益和 4 MHz的單位增益頻寬𝑓𝑇,下列敘述何者有誤?

(A)屬於反相放大器 (B)電壓增益為-5 (C)輸入阻抗約為1 kΩ (D)閉迴路頻寬約為80 kHz

47

[D] 41. 求右圖電路中,流經5 Ω的電流 i =?

(A) 0.5 A (B) 1 A (C) 1.5 A (D) 2 A

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(6)

1.電路學 2.電子學 第 6 頁,共 6 頁

50

[D] 42. 利用一50 mH的電感器設計一個截止頻率為1500 Hz的RL低通濾波器,求電阻器R值?

(A) 118 Ω (B) 236 Ω (C) 314 Ω (D) 471 Ω

27

[B] 43. 右圖所示為一帶通濾波器求共振頻率𝑊0

(A) 105𝑟𝑎𝑑 𝑠⁄ (B) 106𝑟𝑎𝑑 𝑠⁄ (C) 107𝑟𝑎𝑑 𝑠⁄ (D) 108𝑟𝑎𝑑 𝑠⁄

30

[C] 44. 有一個0.3 mF的電容器,其端點電壓為40𝑒−150𝑡sin 300𝑡 𝑉,求電容器上的電流 i ( 0 )?

(A) 1.2 A (B) 2.4 A (C) 3.6 A (D) 4.8 A

33

[C] 45. 一般家庭用戶所使用的110 V為弦波電壓的均方根值,請問110 V的最大值為?

(A) 63.51 V (B) 77.78 V (C) 155.56 V (D) 190.52 V

36

[C] 46. 若有一BJT電晶體在工作區時,其基極電流為0.2 mA、射極電流為20 mA,試求其直流增益 β𝐷𝐶為何?

(A) 49 (B) 50 (C) 99 (D) 100

39

[B] 47. 試求如右圖中低通濾波器臨界頻率𝑓𝐶為何?

(A) 3.98 kHz (B) 7.96 kHz (C) 12.58 kHz (D) 15.92 kHz

42

[A] 48. 關於振盪器之敘述,下列敘述何者有誤?

(A)回授信號相位移必須為180°

(B)柯畢子振盪器(Colpitts Oscillator)使用LC回授電路 (C)迴路增益必須為1

(D)相移振盪器至少需使用三級RC相移電路

45

[B] 49. 有一MOSFET,若𝐼𝐷𝑆𝑆=10 mA、𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓)= -4 V,當𝑉𝐺𝑆= -2 V時,試求其轉換電導𝑔𝑚? (A) 1 mS (B) 2.5 mS (C) 5 mS (D) 9 mS

48

[C] 50. 如右圖JFET共源極放大器電路,試求電壓增益𝐴𝑉為何?

(A) -5 (B) -4 (C) -1.6 (D) -1.2

數據

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參考文獻

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