經濟部所屬事業機構 106 年新進職員甄試試題類別

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1.電路學 2.電子學第 1 頁，共 6 頁

經濟部所屬事業機構 106 年新進職員甄試試題

類別 : 電機 ( 甲 ) 、儀電節次 : 第二節科目 : 1 . 電路學 2 . 電子學

注意事項

1.本試題共 6 頁(含 A3 紙 1 張、A4 紙 1 張)。

2.可使用本甄試簡章規定之電子計算器。

3.本試題為單選題共 50 題，每題 2 分，共 100 分，須用 2B 鉛筆在答案卡畫記作答，於本試題或其他紙張作答者不予計分。

4.請就各題選項中選出最適當者為答案，各題答對得該題所配分數，答錯或畫記多於 1 個選項者，倒扣該題所配分數 3 分之 1，倒扣至本科之實得分數為零為止；未作答者，不給分亦不扣分。

5.本試題採雙面印刷，請注意正、背面試題。

6.考試結束前離場者，試題須隨答案卡繳回，俟本節考試結束後，始得至原試場或適當處所索取。

7.考試時間：90 分鐘。

3

[B] 1. 求右圖電路中的V=？

(A) -4 V (B) -2 V (C) 2 V (D) 4 V

6

[B] 2. 求右圖電路中的I=？

(A) 0.5 A (B) 1 A (C) 1.5 A (D) 2 A

9

[C] 3. 有關重疊定理(Principle of Superposition)的應用，下列何者有誤？

(A)獨立電壓源可以用短路代替 (B)獨立電流源可以用開路代替 (C)相依電源可以用開路或短路代替 (D)可適用於線性系統

12

[A] 4. 兩個磁耦合線圈的自感分別為L₁= 10 mH，L₂= 16 mH，設耦合係數為0.85，求互感量為？

(A) 10.75 mH (B) 11.66 mH (C) 12.65 mH (D) 14.88 mH

15

[C] 5. 求右圖所示電路，a、b兩端的等效電容？

(A) 1 nF (B) 1.52 nF (C) 2 nF (D) 2.52 nF

18

[B] 6. 理想二極體組成之箝位器(Diode Clampers)電路，

如右圖所示，若輸入為0 ~10 V之方波，試求其輸出電壓範圍？

(A) -10~0 V (B) -7~3 V (C) -3~7 V (D) 3~10 V

【請翻頁繼續作答】

(2)

21

[D] 7. 若一齊納二極體(Zener Diode)在25 ℃時崩潰電壓為15 V，溫度係數為0.02 %/℃，若崩潰電壓升為15.135 V，求當時溫度為何？

(A) 35 ℃ (B) 45 ℃ (C) 60 ℃ (D) 70 ℃

[一律給分] 8. 關於蕭特基二極體(Schottky Diode)特性，下列敘述何者有誤？

(A)並非一般二極體的pn接面，而是半導體與金屬接面 (B)對於偏壓改變有快速反應能力，應用於高頻與高速切換 (C)順向電壓降約為0.3 V

(D)靠多數載子操作，有大量逆向漏電流

1

[D] 9. 經過全波整流器(Full-Wave Rectifier)之正弦波信號，輸出電壓平均值𝑉_𝑎𝑣𝑔與輸入電壓峰值𝑉_𝑝的關係為？

(A) 𝑉_𝑎𝑣𝑔= ¹₂𝑉_𝑝 (B) 𝑉_𝑎𝑣𝑔= ₄³𝑉_𝑝 (C) 𝑉_𝑎𝑣𝑔= _𝜋¹ 𝑉_𝑝 (D) 𝑉_𝑎𝑣𝑔= _𝜋²𝑉_𝑝

4

[C] 10. 有關於BJT電晶體(npn)之敘述，下列敘述何者有誤？

(A)基極-射極、基極-集極接面皆施與順向偏壓，電晶體將工作於飽和區 (B)當基極電流逐漸下降為0，電晶體將進入截止區

(C)在飽和區工作之電晶體，𝐼_𝐶 = β_𝐷𝐶𝐼_𝐵

(D)一般BJT之電壓增益參數β_𝐷𝐶會隨著接面溫度𝑇_𝑗上升而增加

7

[A] 11. 求右圖電路中的V =？

(A) 50 V (B) 60 V (C) 70 V (D) 80 V

10

[C] 12. 求右圖電路中，5 Ω所消耗的功率？

(A) 2.4 W (B) 3.8 W (C) 7.2 W (D) 8.4 W

13

[A] 13. 有一個戴維寧等效電路是由一獨立電壓源𝑉_𝑇ℎ串聯一電阻𝑅_𝑇ℎ組成，請問轉換為諾頓等效電路後的獨立電流源𝐼_𝑁為？

(A) ^𝑉_𝑅^𝑇ℎ

𝑇ℎ (B) 𝑉_𝑇ℎ𝑅_𝑇ℎ (C) 𝑉_𝑇ℎ−𝑅_𝑇ℎ (D) 𝑉_𝑇ℎ+ 𝑅_𝑇ℎ

16

[A] 14. 有一負載的功率因數為1.0，請問此負載屬何種性質負載？

(A)純電阻性負載 (B)純電容性負載 (C)純電感性負載 (D)複合性負載

19

[C] 15. 右圖所示電路是理想的運算放大器，求𝑉₀=？

(A) -11 V (B) -5 V (C) 5 V (D) 11 V

(3)

22[A或B] 16.

一BJT電晶體直流工作電路如右圖，若不希望電晶體進

入飽和區，請問𝑉_𝑖𝑛在基極端所產生之電流最大允許增加量為何？

(A) 100 μA (B) 150 μA (C) 175 μA (D) 200 μA

25

[D] 17. 若一BJT電晶體分壓器偏壓電路如右圖，若電晶體β_𝐷𝐶=100，試求𝑉_𝐶？ (A) 2 V

(B) 4.3 V (C) 5 V (D) 8.5 V

2

[C] 18. 有一差動放大器，CMRR= 2000、共模增益𝐴_𝐶𝑀 = 0.2、輸入電壓分別為200 μV、100 μV，求輸出電壓？

(A) 39.97 mV (B) 40 mV (C) 40.03 mV (D) 40.06 mV

5

[D] 19. 對於電晶體組成共射極放大器(Common-Emitter Amplifier)電路特性，下列敘述何者有誤？

(A)高電壓增益 (B)加入射極旁路電容可提高電壓增益

(C)高電流增益 (D)輸出與輸入電壓同相

8

[B] 20. 關於達靈頓對(Darlington Pair)組成之射極隨耦器，下列敘述何者正確？

(A)輸入阻抗低 (B)可作為低阻抗負載緩衝器

(C)高電壓增益 (D)輸出阻抗高

11

[D] 21. 右圖所示電路為理想的運算放大器，求 Rin =？

(A) ¹₄ Ω (B) ¹₂ Ω (C) 1 Ω (D) ⁵₄ Ω

14

[B] 22. 一電感器兩端的電壓為V ( t ) = 40𝑒^−10𝑡 𝑉，請問電感器的電壓變成10 V時，t 為何值？

(A) 128.629 ms (B) 138.629 ms (C) 148.371 ms (D) 158.371 ms

17

[D] 23. 一RLC並聯電路的電阻值、電感值以及電容值分別為2500 Ω、2.5 H、4 nF，其電壓響應應屬於何種性質？

(A)欠阻尼 (B)無阻尼 (C)臨界阻尼 (D)過阻尼

20

[A] 24. 有一個10 Ω電阻器與一個5 mH電感器並聯，然後再跟一個5 Ω電阻，以及一個10 μF的電容器串聯，求此電路在ω = 2000 𝑟𝑎𝑑 𝑠⁄ 時的阻抗？

(A) 10-j45 Ω (B) 10+j45 Ω (C) 12.5-j75 Ω (D) 12.5+j75 Ω

23

[B] 25. 已知一弦波電壓為V=10 cos(1256𝑡 − 53.13°)，求其週期為？

(A) 4 ms (B) 5 ms (C) 6 ms (D) 7 ms

(4)

28

[A] 26. 關於放大器之敘述，下列敘述何者有誤？

(A) A類放大器效率最高約有79 % (B) B類放大器偏壓在截止點

(C) AB類放大器可改善交越失真現象(Crossover Distortion) (D) C類放大器偏壓在截止點以下

31

[B] 27. 有一AB類放大器電路如右圖，試求其交流輸出功率為？

(A) 0.5 W (B) 0.9 W (C) 1.25 W (D) 1.5 W

34

[A] 28. 如右圖之JFET共源極放大器電路，若𝑉_𝐺𝑆= 20 V時、反向漏電流𝐼_𝐺𝑆𝑆=50 nA，由信號源看入之輸入阻抗為何？

(A) 19.05 MΩ (B) 20 MΩ (C) 20.95 MΩ (D) 23.33 MΩ

37

[B] 29. 對JFET自給偏壓(Self-Bias)電路，若希望工作點設定在轉換特性曲線的中點，意即𝐼_𝐷 =¹₂𝐼_𝐷𝑆𝑆

，下列哪一種方式可達成？

(A) 𝑉_𝐺𝑆 = 𝑉_{𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓)}/2 (B) 𝑉_𝐺𝑆 = 𝑉_{𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓)}/3.4 (C) 𝑉_𝐷 = 𝑉_𝐷𝐷/2 (D) 𝑉_𝐷 = 𝑉_𝐷𝐷/3.4

40

[A] 30. 有一增強型MOSFET，其臨界電壓𝑉_{𝐺𝑆(𝑡ℎ)}=2 V，當𝑉_𝐺𝑆=8 V時、對應之𝐼_{𝐷(𝑜𝑛)}=200 mA，求 𝑉_𝐺𝑆=5 V時之𝐼_𝐷值？

(A) 50 mA (B) 100 mA (C) 125 mA (D) 150 mA

43

[D] 31. 有關弦波穩態功率的敘述，下列何者有誤？

(A)瞬間功率的頻率為電壓或電流頻率的二倍 (B)平均功率等於瞬間功率經過一週期的平均值 (C)複數功率等於實功率與無效功率的複數和 (D)功率因數等於電壓與電流之間相角的正弦值

46

[C] 32. 如右圖所示電路，轉移到負載阻抗ZL的

最大功率為何？

(A) 6 W (B) 9 W (C) 18 W (D) 36 W

49

[A] 33. 有一平衡三相電路𝑉_𝐴𝑁為120∠-30° V，且為正相序，𝑉_𝐵𝐶的值為？

(A) 207.85∠-120° V (B) 207.85∠120° V (C) 207.85∠-150° V (D) 207.85∠150° V

【請另頁繼續作答】

(5)

26

[C] 34. 有一個三相額定平均功率為20 kW的負載，已知電源的三相線路的線電壓額定值為240 V，線電流為50 A，求負載所吸收的無效功率？

(A) 3.66 kVAR (B) 4.66 kVAR (C) 5.66 kVAR (D) 6.66 kVAR

29

[C] 35. 有一函數F ( s ) =

^18𝑆

²

^+66𝑆+54

(𝑆+1)(𝑆+2)(𝑆+3)

，求f ( t )？

(A) 𝑒^−𝑡+2𝑒^−2𝑡+3𝑒^−3𝑡 (B) 2𝑒^−𝑡+4𝑒^−2𝑡+6𝑒^−3𝑡 (C) 3𝑒^−𝑡+6𝑒^−2𝑡+9𝑒^−3𝑡 (D) 4𝑒^−𝑡+8𝑒^−2𝑡+12𝑒^−3𝑡

32

[A] 36. 下列敘述何者有誤？

(A) JFET共源極放大器相較於BJT共射極放大器，輸入阻抗較低 (B) JFET共源極放大器，輸入𝑉_𝐺𝑆與輸出𝑉_𝐷𝑆電壓呈現180°反相 (C) JFET源極隨耦器電壓增益𝐴_𝑉約略等於1

(D) JFET共閘極放大器具有低輸入阻抗

35

[A] 37. 如右圖之MOSFET電路架構，A、B為輸入，𝑉_𝑜𝑢𝑡為輸出，

若希望輸出得到高電位(𝑉_𝐷𝐷)，試問A、B輸入應為何？

(A) 0、0 (B) 0、𝑉_𝐷𝐷 (C) 𝑉_𝐷𝐷、0 (D) 𝑉_𝐷𝐷、𝑉_𝐷𝐷

38

[C] 38. 下列何者對電晶體放大電路高頻響應影響較大？

(A)耦合電容 (B)旁路電容 (C)電晶體內部電容 (D)反耦合電容

41

[B] 39. 關於負回授與非負回授運算放大器比較，下列敘述何者有誤？

(A)負回授運算放大器輸入與輸出電壓呈現180°反相 (B)負回授運算放大器可提高閉迴路電壓增益

(C)負回授運算放大器可依需求調整電路以達到控制輸入、輸出阻抗目的 (D)負回授運算放大器可以得到較大頻寬

44

[D] 40. 如右圖之理想運算放大器電路，具有100 dB開迴路增益和 4 MHz的單位增益頻寬𝑓_𝑇，下列敘述何者有誤？

(A)屬於反相放大器 (B)電壓增益為-5 (C)輸入阻抗約為1 kΩ (D)閉迴路頻寬約為80 kHz

47

[D] 41. 求右圖電路中，流經5 Ω的電流 i =？

(A) 0.5 A (B) 1 A (C) 1.5 A (D) 2 A

(6)

50

[D] 42. 利用一50 mH的電感器設計一個截止頻率為1500 Hz的RL低通濾波器，求電阻器R值？

(A) 118 Ω (B) 236 Ω (C) 314 Ω (D) 471 Ω

27

[B] 43. 右圖所示為一帶通濾波器求共振頻率𝑊₀？

(A) 10⁵𝑟𝑎𝑑 𝑠⁄ (B) 10⁶𝑟𝑎𝑑 𝑠⁄ (C) 10⁷𝑟𝑎𝑑 𝑠⁄ (D) 10⁸𝑟𝑎𝑑 𝑠⁄

30

[C] 44. 有一個0.3 mF的電容器，其端點電壓為40𝑒^−150𝑡sin 300𝑡 𝑉，求電容器上的電流 i ( 0 )？

(A) 1.2 A (B) 2.4 A (C) 3.6 A (D) 4.8 A

33

[C] 45. 一般家庭用戶所使用的110 V為弦波電壓的均方根值，請問110 V的最大值為？

(A) 63.51 V (B) 77.78 V (C) 155.56 V (D) 190.52 V

36

[C] 46. 若有一BJT電晶體在工作區時，其基極電流為0.2 mA、射極電流為20 mA，試求其直流增益 β_𝐷𝐶為何？

(A) 49 (B) 50 (C) 99 (D) 100

39

[B] 47. 試求如右圖中低通濾波器臨界頻率𝑓_𝐶為何？

(A) 3.98 kHz (B) 7.96 kHz (C) 12.58 kHz (D) 15.92 kHz

42

[A] 48. 關於振盪器之敘述，下列敘述何者有誤？

(A)回授信號相位移必須為180°

(B)柯畢子振盪器(Colpitts Oscillator)使用LC回授電路 (C)迴路增益必須為1

(D)相移振盪器至少需使用三級RC相移電路

45

[B] 49. 有一MOSFET，若𝐼_𝐷𝑆𝑆=10 mA、𝑉_{𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓)}= -4 V，當𝑉_𝐺𝑆= -2 V時，試求其轉換電導𝑔_𝑚？ (A) 1 mS (B) 2.5 mS (C) 5 mS (D) 9 mS

48

[C] 50. 如右圖JFET共源極放大器電路，試求電壓增益𝐴_𝑉為何？

(A) -5 (B) -4 (C) -1.6 (D) -1.2

經濟部所屬事業機構 106 年新進職員甄試試題 類 別