專業科目:(1)通信系統、(2)電子學

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(1)

【請接續背面】

中華電信股份有限公司 101 年從業人員(基層專員)遴選甄試試題

遴選類別【代碼】 :工務類專業職(四)第一類專員【C1601-C1603】

專業科目:(1)通信系統、(2)電子學

*請填寫入場通知書編號:

_______________

注意:•作答前須檢查答案卡(卷)、入場通知書編號、桌角號碼、應試類別是否相符,如有不同應立即請 監試人員處理,否則不予計分。

‚本試卷為一張雙面,測驗題型分為【四選一單選選擇題 60 題,每題配分 1 分】與【非選擇題 4 題,每題配分 10 分】。

ƒ選擇題限用 2B 鉛筆於答案卡上作答,請選出最適當答案,答錯不倒扣;未作答者,不予計分。

„非選擇題限用藍、黑色鋼筆或原子筆於答案卷上採橫式作答,不必抄題但須標示題號,並請從答 案卷內第一頁開始書寫,違反者該科酌予扣分。

…請勿於答案卡(卷)上書寫姓名、編號或其他不應有的文字、標記、符號等,違反者該科以零分計算。

†應考人得自備簡易型電子計算器,但不得發出聲響,且不具財務、工程及儲存程式功能。應考人 於測驗時將不符規定之電子計算器放置於桌面或使用,經勸阻無效,仍執意使用者,該科扣 10 分;該電子計算器並由監試人員保管至該節測驗結束後歸還。

‡答案卡(卷)務必繳回,未繳回者該科以零分計算。

第 1 部份:四選一單選選擇題 60 題(每題 1 分)

【3】1.雙絞線是使用何種接頭?

• BNC ‚ RJ–11 ƒ RJ–45 „ T 型

【1】2.紅外線傳輸有許多特性,但下列何者不是紅外線特性?

•傳輸距離長 ‚不受電磁干擾 ƒ保密性佳 „低成本

【4】3.在 IEEE802 標準中,資料連結層(data link layer)再切割成哪兩層?

• HDLC、MAC ‚ MAC、DSL ƒ PDU、MAC „ MAC、LLC

【1】4.從電信網路服務提供者到用戶家中之間的線路稱為下列何者?

•區域迴路(Local Loops) ‚主幹線路(Trunk Circuits) ƒ區域網路(LAN) „交換線路(switching circuits)

【3】5.在 IPv4 中,其封包之 Header 不包含哪些欄位?

• Time to Live ‚ Destination Address ƒ Class of service „ Source Address

【3】6.寬頻傳輸是屬於類比傳輸方式,基頻傳輸是屬於數位傳送方式,其中寬頻傳輸優點為何? (a)成本低廉 (b) 傳輸距離較長 (c)資料容量較大 (d)傳輸多種型態資料

• (a)(b)(d) ‚ (a)(b)(c) ƒ (b)(c)(d) „ (a)(c)(d)

【2】7.乙太網路是使用下列何種方式做為媒介存取控制?

• ARCnet ‚ CSMA/CD ƒ Token-Ring „ FDDI

【3】8.假設訊號的最高頻率和最低頻率分別為 150KHz、2MHz,其頻寬為多少?

• 147KHz ‚ 1075KHz ƒ 1850KHz „ 2.15MHz

【1】9.專供工業、科學與醫療使用的頻段稱之為何?

• ISM ‚ GPRS ƒ SMR „ AMPS

【2】10.在乙太網路 100BaseT 中,依照 TIA / TIE 568A 標準,RJ-45 接頭會使用到哪些接腳?

• 1、2、5、6 ‚ 1、2、3、6 ƒ 2、3、4、6 „ 1、2、3、8

【2】11.一脈衝訊號(impulse signal), δ(t), 其傅利葉轉換(Fourier transform)之數值為何?

• 0 ‚ 1 ƒ無限大 „無法計算

【4】12.若發射機的發射功率為 20W,假設在其他條件都相同下,且僅考慮自由空間的路徑損失(Free space path lo ss),

在下列四個不同距離所量測到的功率何者最低?

• 100 公尺 ‚ 1 公里 ƒ 10 公里 „ 20 公里

【1】13.單純考慮熱雜訊時,若工作溫度相同,下列哪一個頻寬的訊號所產生的熱雜訊最大?

• 10MHz ‚ 1MHz ƒ 100KHz „ 10KHz

【3】14.使用 16QAM 傳送兩進位序列之訊號,若其鮑率(baud rate)為 1200sps,請問每秒能傳送多少位元?

• 1200 ‚ 2400 ƒ 4800 „ 9600

【3】15.如果一頻寬為 4KHz 的訊號要能被完整還原,其最小的取樣速率為何?

• 2Ksps ‚ 4Ksps ƒ 8Ksps „ 16Ksps

【2】16.下列何者不屬於無線通訊的應用?

•行動電話 ‚ ADSL ƒ GPS „ Bluetooth

【2】17.若一 7 位元的二進位序列以 even parity 的方式傳送,則在接收端收到下列何種型式,我們即可判定傳送之資 料錯誤?

• 00000000 ‚ 01011101 ƒ 10101010 „ 11111111

【3】18.下列哪一個頻率的電磁波,波長最短?

• 900MHz ‚ 88MHz ƒ 2.4GHz „ 1KHz

【1】19.下列哪一個系統未使用通道編碼技術來降低資料傳輸之錯誤率?

• AMPS ‚ GSM ƒ WCDMA „ IEEE 802.11b

【4】20.若僅以涵蓋率為主要考量,使用下列哪一個頻段的蜂巢式系統所需之基地站台數最少?

• 2.6GHz ‚ 1800MHz ƒ 900MHz „ 700MHz

【1】21. 802.11 於 1997 年發表,下列何者非其所規範之實體層的使用傳輸技術?

• OFDM ‚ DSSS ƒ FHSS „ Infrared

【3】22. ATM 傳送方式是利用細胞(cell) ,下列何者非 ATM 的傳輸優點?

•寡占式頻寬 ‚支援多種傳輸速率 ƒ非固定式長度細胞 „支援多種傳輸媒介

【4】23.資料以分封交換方式來傳送時,系統可以採用 Datagram(資料元)及下列何種方式來傳送?

•細胞繼送(Cell Relay) ‚訊框繼送(Frame Relay) ƒ電路交換(Circuit-Switching) „虛擬電路(Virtual Circuit)

【2】24.當以市內電話撥打至手機時,這通電話的訊息會先透過公眾交換電話網路,傳送到某一裝置,然後此裝置再 將這通電話轉到基地台,基地台再透過一個無線頻道將訊號傳到手機。請問此裝置為何?

• BSC ‚ MSC ƒ MTP „ NOC

【4】25.下列何項網路設備可以用來分割子網路?

• Repeater ‚ L2 Switch ƒ L3 Switch „ Router

【4】26.下列哪一個頻段不是 GSM 系統使用的頻率?

• 900MHz ‚ 1800MHz ƒ 1900MHz „ 2400MHz

【3】27.下列何種調變與編碼率的組合能傳送的實質資料量最大?

• QPSK 1/2 碼率 ‚ 16QAM 2/3 碼率 ƒ 16QAM 3/4 碼率 „ 64QAM 1/3 碼率

【3】28.下列何種通訊系統使用 OFDM 的技術?

• Bluetooth ‚ GSM ƒ IEEE 802.11a „ IEEE 802.11b

【3】29. GSM 系統是使用何種調變技術?

• ASK ‚ BPSK ƒ GMSK „ 64QAM

【2】30.請問 60~108 KHz 的頻帶若使用 FDM 系統的架構,可分出幾個 4KHz 頻寬的通道?

• 6 ‚ 12 ƒ 18 „ 24

【4】31.下列何者非三族(group III)元素?

•硼(B) ‚鋁(Al) ƒ鎵(Ga) „鍺(Ge)

【2】32.對於以矽(Si)為主的 pn 接面(junction),下列何者為可能的逆偏飽和電流(reverse-bias saturation current)值?

• 10- 20 A ‚ 10- 15 A ƒ 10- 10 A „ 10- 5 A

【1】33.一共射極組態的 BJT 電路操作於飽和區域(saturation region),若共射極電流增益β為 100、基極電流 IB為 10 µA,

則集極電流 IC可能為下列何者?

• 0.7 mA ‚ 1 mA ƒ 1.5 mA „ 2 mA

【3】34.在共射極組態的 BJT 放大器中,於射極電阻旁並接一電容的主要目的為:

•增加穩態操作點的穩定性 ‚增加直流增益 ƒ增加交流增益 „增加輸入阻抗

【3】35.某 BJT 基極工作點電流為 0.025 mA,熱電壓 VT = 26 mV,且 ß=100,則其共射極交流電阻為何?

• 2.5 O k 5.8 O l 10.3 O m 15.2 O

【1】36.有關 FET 共汲極放大器的敘述,下列何者正確?

•輸入與輸出同相位 ‚輸入阻抗很小 ƒ電壓增益甚高 „又稱為汲極隨耦器

【4】37.某運算放大器之變動率 SR=62.8V/µs,若輸出正弦波峰值電壓為 10V,則其線性放大之最高頻率為何?

• 15 MHz k 8 MHz l 3 MHz m 1 MHz

【1】38.下列何種串級放大電路之低頻響應最佳?

•直接耦合串級放大電路 ‚變壓器耦合串級放大電路

ƒ RC 耦合串級放大電路 „電感耦合串級放大電路

【1】39.下列何者同時具有空乏型與增強型特性?

• D-MOSFET k E-MOSFET l BJT m JFET

【3】40.有關 JFET 之敘述,下列何者正確?

• N 通道 JFET 所傳導的載子為電洞 k P 通道 JFET 所傳導的載子為電子 l N 通道 JFET 之閘極為 P 型半導體 m P 通道 JFET 為雙極性載子元件

【3】41.在一般 BJT 電流增益的頻率響應圖中,若直流增益為 100,且已知截止頻率(cut-off frequency)為 107 rad/sec,

單位增益頻率(unity-gain frequency)為何?

• 105 rad/sec ‚ 107 rad/sec ƒ 109 rad/sec „ 1011 rad/sec

(2)

【3】42.矽(Si)的本質載子濃度(intrinsic carrier concentration)為 1.5×1010 cm- 3,在同樣的溫度下,若受體(acceptor)濃度 為 1.5×1015 cm- 3,熱平衡下的電子濃度約為何?

• 1.5×1015 cm- 3 ‚ 1.5×1010 cm- 3 ƒ 1.5×105 cm- 3 „ 1×105 cm- 3

【1】43.如【圖 43】所示之 NMOS 電路,若 v1接地且 v2接 VDD = 5 V,則 vO的準位為何?

•低準位

‚高準位 ƒ無法判別

„高、低準位兩者交換變化

【1】44.在 741 運算放大器中有一補償電容跨接於第二級的電壓放大器,下列何者不會受該補償電容之影響?

•效率 ‚單位增益頻率 ƒ穩定度 „電壓轉換率(slew rate)

【1】45.有一 BJT 偏壓於順向主動區(forward-active region),若集極(collector)電流 iC = 2 mA、基極(base)電流 iB = 20 µA,

其共基極電流增益(common-base current gain)為何?

• 101

100 ‚

100

99 ƒ 100 „ 101

【3】46.矽二極體在溫度 20℃時之逆向飽和電流為 2mA,假設溫度上升至 60℃時,則逆向飽和電流變為多少?

• 8 mA ‚ 16 mA ƒ 32 mA „ 64 mA

【3】47.有一基本放大器,其正回授百分數 ß=0.05,若欲使其振盪,則A 值至少應為何? v

• 100 ‚ 50 ƒ 20 „ 1

【3】48.有一個 P 通道空乏型 MOSFET,其臨限電壓 Vt=2V,假使其源極(source)接地而閘極(gate)接至+5V,欲使此元 件操作在飽和區(saturation),則汲極(drain)之最低電壓為何?

• 7 V ‚ 5 V ƒ 3 V „ 2 V

【4】49.下列 BJT 放大器中,何者輸出阻抗最低?

•串級共基極放大器 ‚共基極放大器 ƒ共射極放大器 „共集極放大器

【3】50.下列 BJT 放大器中,何者具高電流增益,且具甚低電壓增益?

•共閘極放大器 ‚共射極放大器 ƒ共集極放大器 „共基極放大器

【2】51.一 n 型通道 JFET 的夾止電壓(pinch-off voltage)為 Vp,其操作於歐姆區(ohmic region)的條件為何?

• vGS ≤ Vp < 0 ‚ Vp < vGS < 0 且 vDG ≤ - Vp

ƒ Vp < vGS < 0 且 vDG ≥ - Vp „ vGS > 0

【4】52.有關共汲極 MOSFET 放大器的敘述,下列何者錯誤?

•等效輸入電阻很高 ‚電流增益很高 ƒ電壓增益小於 1 „等效輸出電阻很高

【1】53.某一電子系統的頻率響應圖中,在斜率為-40 dB/dec 的線段上,若頻率為 10 kHz 的增益為 5,則 100 kHz 時的 增益為何?

• 0.05 ‚ 0.5 ƒ 5 „ 50

【4】54.有關放大器加上負回授之後的效果,下列敘述何者錯誤?

•頻寬增加 ‚非線性失真減少 ƒ增益減少 „穩定度增加

【2】55. P 型半導體中,傳導電流的載子主要是:

•電子 ‚電洞 ƒ質子 „離子

【3】56.當 P 型及 N 型材料相接觸時,即會產生一空乏層,而 P 型半導體之空乏層內應有:

•電洞 ‚電子 ƒ負離子 „正離子

【2】57.若流入電晶體各極的電流取正值,且已知基極電流是 0.2 mA,集極電流是 2 mA,則射極電流值為若干?

• +2.2 mA ‚ -2.2 mA ƒ +1.8 mA „ -1.8 mA

【3】58.如【圖 58】所示之電路,Vo約為何?

• 3V k 2V l 1V m -2V

【2】59. JFET 之工作原理為何?

•控制通道之導電係數 ‚控制通道空乏區之厚度(寬度)

ƒ控制通道接面之電流 „控制通道中的載子濃度

【2】60.相較於 BJT 之特性,下列何者非 FET 之優點?

•負溫度特性 ‚操作速度較快 ƒ高輸入阻抗 „製造密度高

第 2 部份:非選擇題四大題(每大題 10 分)

題目一:

一操作在 950MHz 頻段的發射機,其發射功率為 20 瓦特,若發射端的天線增益為 12dB,纜線接頭等 相關的損耗為 5dB:

(一)發射端之等效發射功率 EIRP(Equivalent Isotropically Radiated Power)為多少 dBm?【3 分】

(二)若接收端使用增益為 0dB(unity gain)之天線,而其接收靈敏度為-102dBm 且須保留 10dB 的餘裕 (fading margin),則此系統可容許之最大路徑損失為多少 dB?【3 分】

(三)假設在近距離時,電波傳播以自由空間(free space)損耗的模式遞減,在距離發射機 100 公尺時路 徑損失正好衰落了 72dB,超過 100 公尺後電波訊號則以距離的 3.5 次方衰落,則此發射機的涵 蓋範圍約為多少公里?【4 分】

(註:log2 = 0.301, log3 = 0.477, log7 = 0.845)

題目二:

下圖【圖二】為量測某無線通道所得到之訊號到達時間與強度之分佈圖,亦可稱之為多重路徑功率延 遲輪廓(Power Delay Profile):

(一)此無線通道之平均延遲(mean delay, 亦即延遲平均到達的時間)以及均方根延遲σ(rms delay spread, 亦即延遲分布之標準差)為何?【5 分】

(二)如果我們定義σ> 0.2T

b

即表示此系統會產生 inter-symbol interference(ISI, 符際干擾),T

b

為訊號 週期(symbol period),請問在此無線通道中若傳送 200kbps 的訊號是否會造成 ISI 的現象?【3 分】

(三)假設某信號在此無線通道中會產生 ISI 的現象,則增加信號的傳送功率能不能改善接收品質?為 什麼?【2 分】

題目三:

【圖三】為一採用主動負載(active load)的 MOSFET 放大器,各 MOSFET 的跨導與輸出電阻分別為 g

mi

與 r

oi

,i 為 MOSFET 之編號:

(一)以 MOSFET 參數表示整個主動負載的小信號模型等效電阻 R

o

。 【4 分】

(二)以 MOSFET 參數表示該放大器之小信號電壓增益。【6 分】

題目四:

如【圖四】所示之 MOSFET 分壓器,若 V

t 1

= 2 V、V

t 2

= 1 V,且通道寬度比 W

1

/W

2

= 5/8,請求出通 道長度比。 【10 分】

【圖 58】

RD VDD = 5 V

v2

v1

vO

【圖 43】

【圖三】

VDD

vI

vO

Q3 Q2

Q1

IREF C

RL Ro

M

1

M

2

10 V

- 6V

【圖四】

0 V P(τ)

-10dB 0dB

-20dB -30dB

0 1 2 5

τ(μs)

【圖二】

數據

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參考文獻

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