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第三章 實驗結果與討論分析

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Academic year: 2021

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數據

圖 3-6 雷射功率 1~20mW(間隔 1mW),寫入時間 100~1000ns(間隔 50ns)之光學反射訊號圖;樣 品結構為 Si-substrate/ZnS-SiO 2 (130nm)/Ge 2 Sb 2 Te 5 (40nm)。  藉由分析所寫下之範圍矩陣,首先固定寫入時間為 550ns 之數據, 觀察記錄點隨雷射功率增加的情形。發現其結晶點之形成趨勢可整理 如下:(一)、在寫入功率 1~6mW 之區段,成長情形會由無反應區域 成長至結晶態亮點標記,並隨功率增加而直徑有加大情形。推測原因 應是在此
圖 3-7 雷射功率 1~20mW(間隔 1mW),寫入時間 100~1000ns(間隔 50ns)之原子力顯微儀表面形 貌圖;樣品結構為 Si-substrate/ZnS-SiO 2 (130nm)/Ge 2 Sb 2 Te 5 (40nm)。
圖 3-19(c)室溫下 DVD+RW 基板之表面形貌圖。 圖 3-19(d)室溫下 DVD+RW 基板之表面形貌圖。
圖 3-20 結構為 ZnS-SiO 2 (130nm)/Ge 2 Sb 2 Te 5 (20nm)/ ZnS-SiO 2 (20nm)以 DVD+RW 之基板包夾 之;寫入功率為 20mW,寫入策略為 2T10T,2T=200nm,表示寫入 200nm 之記錄點與間隔 (spacing)1000nm。旋轉方式為固定線速度(CLV),速度為 3.5m/s。圖 3-20(c)為經過功率 5mW 擦 拭後之導電式原子力顯微儀實驗結果。  第二組實驗樣品結構同第一組實驗,唯一改變的是寫入功率,由 20mW 改為
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參考文獻

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