【11】證書號數：I433337
【45】公告日： 中華民國 103 (2014) 年 04 月 01 日
【51】Int. Cl.： H01L31/09 (2006.01) H01L31/18 (2006.01)
發明 全 7 頁 【54】名 稱：光感測元件之製備方法以及使用該方法所製得之光感測元件
METHOD OF FABRICATING A PHOTO SENSOR AND PHOTO SENSOR FABRICATED BY THE SAME
【21】申請案號：099145183 【22】申請日： 中華民國 99 (2010) 年 12 月 22 日 【11】公開編號：201228003 【43】公開日期： 中華民國 101 (2012) 年 07 月 01 日 【72】發 明 人： 蕭鉉樺 (TW) SHIAU, SHIUAN HUA；楊承勳 (TW) YANG, CHEN HSUN；
高騏 (TW) GAU, CHIE
【71】申 請 人： 國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
臺南市東區大學路 1 號 【74】代 理 人： 吳冠賜；蘇建太
【56】參考文獻：
Shiuan-Hua Shiau et al., “Selective Growth of High Purity Single-walled Carbon Nanotubes Network from Alcohol”, Proceedings of the 7th IEEE International Conference on Nanotechnology, 2007, pp. 202-.205.
Yumeng Shi et al., “Photoresponse in Self-Assembled Films of Carbon Nanotubes”, Journal of Physical Chemistry C, Vol. 112, pp.13004–13009, 2008.
Anastasios John Hart et al., “Growth of Conformal Single-Walled Carbon Nanotube Films from Mo/Fe/Al2O3 Deposited by Electron Beam Evaporation”, Carbon Vol. 44, pp. 348–359, 2006.
審查人員：王丕政 [57]申請專利範圍 1. 一種光感測元件之製備方法，包括步驟：(A)將複數含金屬之奈米顆粒放入於一溶劑中以 形成一催化劑；(B)提供一基板，將該基板浸泡於該催化劑中；(C)將該經浸泡後之基板 拿出，並將該基板進行煅燒處理；(D)加熱該經煅燒處理後之基板，並同時提供一醇類之 成長氣源，使藉由該醇類之成長氣源於該基板之表面形成複數單璧奈米碳管，其中，該 些複數單璧奈米碳管係互相連接形成一網狀結構之薄膜，其中所形成之該複數單璧奈米 碳管經由拉曼散射光譜(Raman Scattering Spectrum)分析後，所得到之 G/D 比值為 10 至 20；以及(E)形成至少二電極，並使該至少二電極各自獨立地與該網狀結構之薄膜連接。 2. 如申請專利範圍第 1 項所述之光感測元件之製備方法，該步驟(E)之後更包括一步驟(F)：
提供一外加電壓單元，使該外加電壓單元與該至少二電極連接。
3. 如申請專利範圍第 1 項所述之光感測元件之製備方法，其中，該步驟(D)中，加熱該基板 之溫度係為 600℃至 900℃。
5. 如申請專利範圍第 1 項所述之光感測元件之製備方法，其中，該步驟(C)中，煅燒處理之 溫度係為 320℃至 480℃。 6. 如申請專利範圍第 1 項所述之光感測元件之製備方法，其中，該步驟(D)與步驟(C)之 間，更包括一步驟(D0)：提供一氨氣以進行還原反應。 7. 如申請專利範圍第 1 項所述之光感測元件之製備方法，其中，該步驟(D)中，由複數單璧 奈米碳管互相連接形成之該網狀結構薄膜之厚度係為 100nm 至 400nm。 8. 如申請專利範圍第 1 項所述之光感測元件之製備方法，其中，該步驟(A)中，該複數含金 屬之奈米顆粒之金屬係選自由：鈷、鉬、及其混合所組成之群組。 9. 如申請專利範圍第 1 項所述之光感測元件之製備方法，其中，該步驟(A)中，該溶劑係選 自由：乙醇、甲醇、丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、正戊醇、及其混合溶液所組成之 群組。 10. 一種光感測元件，係包括：一基板；複數單璧奈米碳管，係位於該基板上，該些複數單 璧奈米碳管係互相連接形成一網狀結構之薄膜，且該些複數單璧奈米碳管經由拉曼散射 光譜(Raman Scattering Spectrum)分析後，所得到之 G/D 比值為 10 至 20；以及 至少二電 極，係各自獨立地與該網狀結構之薄膜連接。 11. 如申請專利範圍第 10 項所述之光感測元件，其中，當光照射至該複數單璧奈米碳管時， 該複數單璧奈米碳管之導電度係增加。 12. 如申請專利範圍第 11 項所述之光感測元件，其中，該所照射之光之波長範圍為 100nm 至 700nm。 13. 如申請專利範圍第 10 項所述之光感測元件，其中，由複數單璧奈米碳管互相連接形成之 該網狀結構薄膜之厚度係為 100nm 至 400nm。 14. 如申請專利範圍第 10 項所述之光感測元件，其中，更包括一外加電壓單元，係與該至少 二電極連接。 圖式簡單說明 圖 1 係本發明實施例 1 之光感測元件之示意圖。 圖 2 係本發明測試例 1 之光感測元件照射不同光強度之 I-V 特性圖；其所使用之光感測元 件通道長度 L=10μm，寬度 W=20μm。 圖 3 係本發明測試例 1 之光感測元件照射不同光強度之 I-V 特性圖；其所使用之光感測元 件通道長度 L=10μm，寬度 W=50μm。 圖 4 係本發明測試例 1 之光感測元件照射不同光強度之 I-V 特性圖；其所使用之光感測元 件通道長度 L=10μm，寬度 W=100μm。 圖 5 係本發明測試例 1 之光感測元件照射不同光強度之 I-V 特性圖；其所使用之光感測元 件通道長度 L=10μm，寬度 W=100μm。 圖 6 係本發明測試例 2 中，於光感測元件通道長度 L=20μm 時，不同寬度相較不同光強度 之光電流增益圖。 圖 7 係本發明測試例 2 中，於光感測元件通道長度 L=10μm 時，不同寬度相較不同光強度 之光電流增益圖。 圖 8 係本發明測試例 3 中，光感測元件照光與不照光之電流測試圖。 圖 9 係本發明測試例 4 中，光感測元件於不同光源照射之效能測試圖。 (2) 9851
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