考 試 別： 司法人員、調查人員 等 別： 三等考試

105年公務人員特種考試司法人員、法務部 調查局調查人員、國家安全局國家安全情報 人員、海岸巡防人員及移民行政人員考試試題

代號：10740 40840

全一張

（正面）

考 試 別： 司法人員、調查人員 等 別： 三等考試

類 科 組： 檢察事務官電子資訊組、電子科學組 科 目： 電子學與電路學

考試時間 ： 2 小時 座號：

※注意： 可以使用電子計算器。

不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題上作答者，不予計分。

（請接背面）

一、設圖一所示電路中，兩個二極體於 V D = − 4 kV 逆偏壓下之逆向漏電流（reverse leakage current） ，分別為 I S ₁ = 20 mA 與 I S ₂ = 25 mA ，試求 R _{1 =} R _{2 =} 100 k _Ω 時之二極體上跨 壓值 V _{D 1} 與 V _{D 2} 。（20 分）

圖一

二、圖二所示電路為具流控相依電壓源（ICVS dependent source）之雙網目電路，請運用 網目分析法求取其中 I ₁ 與 I ₂ 電流值。 （20 分）

圖二 I D

I 0

I 1 2 Ω I ₂

Ω Ω 3

1 ^{3 I}

V

5 4 V

V D

D 2

D 1

2

I

1

I

105年公務人員特種考試司法人員、法務部 調查局調查人員、國家安全局國家安全情報 人員、海岸巡防人員及移民行政人員考試試題

代號：10740 40840

全一張

（背面）

考 試 別： 司法人員、調查人員 等 別： 三等考試

類 科 組： 檢察事務官電子資訊組、電子科學組 科 目： 電子學與電路學

三、圖三所示電路中，NMOS 場效電晶體之 V t = 2 V ， μ

C

= 20 μ A/V ² ， L = 10 μ m 與

m 400 μ

=

W ，試求可使 NMOS 場效電晶體操作於 I _D = 0 . 576 mA 及 V _D = + 1 V 下之 R _s 與 R _D 電阻值。（通道長度調變效應可予忽略） （20 分）

圖三

四、試求圖四所示交流電路中，壓控相依電壓源上之瞬時功率。（20 分）

圖四

五、試求圖五所示電路之電壓增益轉移函數 H ( s ) = V _out ( s ) / V _in ( s ) ，設電路中的運算放大 器皆為理想元件。（20 分）

圖五 V in

V

V

V

V D

I

I D