[PDF] Top 20 以四埠散射參數量測射頻金氧半電晶體特性並製作其高頻等效電路模型
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以四埠散射參數量測射頻金氧半電晶體特性並製作其高頻等效電路模型
... 要務。傳統雙埠量測方式並無法有效的完整探測四端點金氧半電晶體 特性，通常必須將金氧半電晶體設定為共源組態，將源極和基板連接 ... See full document
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四埠射頻金氧半電晶體與共用源汲極主動區之新型串疊結構的小訊號等效電路模型
... 摘要 本論文中，建立了小訊號等效電路模型，其中包括新型基板網路模型及其參數萃取 方法，以應用於含有深 N 型槽(deep n-well)的射頻互補式金氧半場效電晶體電路模擬 ... See full document
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射頻金氧半電晶體小訊號等效電路模型參數萃取方法建立以應用於各種偏壓與幾何結構
... 此傳統的雙埠測試元件將無法得到完整的四端點金氧半電晶體的特點，也無法代表正確 ... See full document
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四極射頻金氧半電晶體於雙埠量測下的去寄生效應方法與參數萃取之研究
... I extract the initial values under low frequency and then do some fine-tune work to make the simulated y-parameters curves of equivalent circuit fit the y-parameter curve of measured dat[r] ... See full document
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三端點與四端點的射頻金氧半電晶體模型參數萃取方法之建立及等效電路模擬之驗證
... Submitted to Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics College of Electrical and Computer Engineering. National Chiao Tung University in partial Fulfillment [r] ... See full document
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射頻金氧半場效電晶體元件佈局對高頻特性與低頻雜訊之影響以應用於射頻與類比電路
... 為了提高的 STI 垂直方向的應力，我們設計了狹窄型 OD 和多重 OD MOSFETs 兩種元 件，其概念是由標準多指元件(Standard multi-finger MOSFETs)延伸而來的。而維繞式 MOSFET 是我們所設計的另一種全新結構，它在從垂直方向完全不受到 STI 應力影響， 關鍵就是在於它完全在 width 方向避開了的 STI/OD 界面，並藉此改善低頻雜訊。 但是 ... See full document
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橫向擴散的射頻金氧半場效電晶體之特性分析與模型建立
... 誌 謝 學期結束，代表青澀的學生時代劃下了完美的句點，歷經了兩年 碩士班的努力和奮鬥，終於得到了豐碩的成果，也留下了滿滿的回 憶。這一路來要感謝許多人，首要是我的指導教授張俊彥院士，老師 對於學術的熱忱及分析事物的觀點都深深的影響我做研究的態度。感 謝國家奈米元件實驗室研究員陳坤明博士和黃國威博士在研究上經 驗的傳承以及提供完善的實驗設備與資源，並給予我最完善的建議。 ... See full document
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深次微米金氧半場效電晶體高頻雜訊特性及其在電晶体小訊號等效電路應用之研究
... 深次微米金氧半場效電晶体高頻雜訊特性及其在電晶体小訊號等效電路應用之研究 High-Frequency Noise Property of deep submicron MOSFET and its application in small-signal equivalent ... See full document
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微機電技術整合金氧半場效電晶體射頻積體電路(II)
... 關鍵字：RFIC ， MEMS ， TR Switch ， Transformer ， LNA ， PA ， VCO ， Mixer 近年來由於短距離無線通訊的蓬勃發展，使 得射頻前端電路的設計受到重視，其中CMOS RFIC因為其具有可和基頻電路整合和良率高等 ... See full document
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應力後奈米金氧半場效電晶體高頻雜訊特性研究
... 主持人：張勝良 執行機構及單位名稱 台灣科技大學 一、中文摘要 本報告是研究奈米金氧半場效電晶體熱載 子應力後的高頻雜訊特性。使用雙埠及解 析方法來計算奈米極金氧半場效電晶體應 ... See full document
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寬頻混頻器暨24GHz鎖相迴路之互補式金氧半導體射頻積體電路研製
... 在這二年的研究所學習過程中，衷心的感謝指導教授鍾世忠教授的指導，感 謝指導教授在這兩年內給予非常大的自由度，並且在廣大的思考空間內不斷的指 引正確的方向，使我在高頻晶片設計領域獲益良多。也衷心地感謝口試委員孟慶 宗、邱煥凱、黃天偉教授在畢業口試時不吝指正與提供寶貴的意見。 ... See full document
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低電壓５-GHz互補式金氧半電晶體直接降頻式射頻前端接收器
... 這對於選用架構簡單的直接移頻接收器十分有利，並且也增加了單晶片整合的機 會。本論文使用互補式金氧半電晶體製作一個直接移頻接收器，透過國家晶片系 ... See full document
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氮化鎵族化合物半導體之高功率電子元件製作及其高頻特性量測分析
... 一、參加會議經過 本次會議於美國猶他州的鹽湖城舉行，該地為 2002 年冬季奧運的所在地。議場在 市中心的 Little America Hotel 的 Sawtooth Room 舉行。我們參加的是: ”State-of-The-Art Program on Semiconductiors XXXVII”，會議內容主要分成三個大 ... See full document
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高性能金氧半製程相容射頻電感器的研製
... 三、研究的方法與成果 各種懸空結構的新型射頻電感器 The samples in this study were prepared using conventional 0.18um CMOS technology. After having finished the single-layer inductor with a thickness of 1.2ìm and desired ... See full document
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金氧半導體元件雜訊對射頻積體電路的影響
... 入阻抗之變化情形，首先經由雙埠網路觀察最小雜訊指數和等效輸入 電阻隨源極電感而產生的變化。其次，經由等效模型萃取出影響最小 雜訊指數和等效輸入電阻之主要元素，在 C 頻段下使用此技術，可同 時獲得具有負 23 分貝的優良輸入反射損失和 1 分貝的最小雜訊指 ... See full document
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前瞻性毫微米金氧半電晶體雙共振注入鎖定除頻器特性研究
... 1.中文摘要 我們提出雙頻帶除二四相位注入鎖定除頻器，具高速、低功耗、寬除頻範圍、四相位輸出特性，這 個除二四相位注入鎖定除頻器包含了兩個雙頻帶差動輸出電壓控制振盪器、四個耦合 NMOS 形成環型架 構，注入架構使用上述之四個耦合 NMOS ... See full document
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奈米金氧半場效電晶體高頻雜訊模擬研究
... 主持人：張勝良 執行機構及單位名稱 台灣科技大學 一、中文摘要 這個計畫的目的是研究奈米金氧半場效電 晶體的高頻雜訊特性及模型。奈米極金氧 半場效電晶體具有不同於傳統元件之物裡 ... See full document
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高電子遷移率電晶體高頻參數萃取與微波模型建立
... 極高頻應用上受到相當大的阻礙。然而近兩三年來，無線高 頻通訊的產品發展迅速，使得Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體得以脫穎 而出。近幾年來Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體由於有較高的電子移動 率，所以已經廣泛地應用在高頻率、高效能、高增益、低雜 ... See full document
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橫向擴散的射頻金氧半場效電晶體之佈局設計與熱特性分析
... 低。為了能更進一步了解元件參數對高頻特性的影響，我們以小訊號等效 電路將其參數萃出作為分析比較。實驗結果顯示，ring 結構之所以有較佳的 特性是由於其寄生的汲極電阻比 fishbone 來的小。在 ring 結構中，汲極擺 ... See full document
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