Top PDF 元件可靠度的改善及類比電路應用時之影響

元件可靠度的改善及類比電路應用時之影響

元件可靠度的改善及類比電路應用時之影響

子工程學系 子研究所 博士班 摘要 隨著半導體工業科技日新月異,製程技術快速進步,使各種功能能夠同 置入於一顆晶片之中可行性就不斷在提升,也就是希望利先進半導體製 程來整合數位和類功能於單一晶片中,此對於半導體元件可靠度除了傳統 數位考量,在類路使用可靠性研究也隨而來,.

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射頻金氧半場效電晶體元件佈局對高頻特性與低頻雜訊之影響以應用於射頻與類比電路

射頻金氧半場效電晶體元件佈局對高頻特性與低頻雜訊之影響以應用於射頻與類比電路

為了提高 STI 垂直方向力,我們設計了狹窄型 OD 和多重 OD MOSFETs 兩種元 件,其概念是由標準多指元件(Standard multi-finger MOSFETs)延伸而來。而維繞式 MOSFET 是我們所設計另一種全新結構,它在從垂直方向完全不受到 STI , 關鍵就是在於它完全在 width 方向避開了 STI/OD 界面,並藉此改善低頻雜訊。 但是 在某些元件量測結果顯示,我們無法從 STI 力解釋在極端狹窄元件反而有更 低低頻雜訊。因次我們從 STI 頂邊 TCR 導致W 角度去分析,推導出一
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奈米CMOS之前瞻射頻類比電路設計-子計畫二:奈米CMOS射頻類比電路之可靠度設計與研究(1I)

奈米CMOS之前瞻射頻類比電路設計-子計畫二:奈米CMOS射頻類比電路之可靠度設計與研究(1I)

臺灣 IC 製程已進入奈米量產代,90 奈 米 IC 製程也已經在量產中,65 奈米也已經 接近研發完成階段。不過由於製程技術進 步為了維持晶體元件特性與提高積體可靠度,使得晶體最大接面操作壓和 閘極氧化層厚度也隨之下降。也因為隨著半 導體製程進步,晶體閘極氧化層變得更 為脆弱更容易遭受破壞,操作壓越來越低也 讓類積體路設計日益困難。本計畫針對閘 極氧化層可靠度對類積體路所造成 ,進行分析與研究,並提出適於低操作 壓,且具有溫度補償特性能隙參考壓源 (bandgap reference)新型路設計技術。
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質子化機制對發光材料放光波長及效率的影響-於有機電激發光元件之應用

質子化機制對發光材料放光波長及效率的影響-於有機電激發光元件之應用

為0.2%(w/v),隨著酸增加所產生現象是發光光譜紅位移, 且放光強大幅衰減。不論加入是草酸或苯磺酸,都可觀察到 似的現象。此原因在於:當酸被加入後,解離帶正氫離子,會與 C545T分子上具有未鍵結空軌域原子產生鍵結,形成新產物。此新 產物在濃彼此碰撞機會增加,容易產生自身淬熄現象,此會 發生非輻射能量轉移現象,導致放光強減弱。
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0.5V 低電壓類比前端電路應用於生醫訊號紀錄

0.5V 低電壓類比前端電路應用於生醫訊號紀錄

設計規格 為了使前端具有長間使用特性,整體壓選擇工作在 0.5V,而 如此低壓下便會產生許多設計上。此外要讓系統使用間超過一年,功率 消耗訂定在 5μW 以下。在如此低系統下工作,輸出訊號失真程度也是一個重 要考量。為了使輸出訊號到數位轉換器,能夠有良好資料轉換率,系統放大 倍率則是越大越好。在實際使用,都會存在著 50/60 Hz 雜訊,而在低壓系統 更是劇烈,所以擁有良好共模拒斥(Common mode rejection ratio)將是非常重要 規 格 。 根 據 國 際 臨 床 神 經 生 理 學 聯 合 會 (International Federation of Clinical Neurophysiology),共模拒斥最好大於 110 dB。總諧波失真(Total harmonic distortion) 比例要小於 1%。另一項規格為動態放大操作範圍,它定義為最大輸入訊號在總諧波 失真小於 1%情形下放大倍率。而總相對輸入雜訊(input-referred noise)關係到訊號對 雜訊(signal to noise ratio),以一個十位元數位轉換器來說,總相對輸入雜訊要 小於 1μV rms 。表 3-1 為本系統規格表。
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高性能離子感應電晶體之可靠度研究及應用

高性能離子感應電晶體之可靠度研究及應用

Acknowledgement 一轉眼,幾年間就過了,期間交錯著無數酸甜苦辣,不過一路走來總 算是水到渠成,也算是不負所望,對於多年來,從碩士到博士一路悉心照料指 導教授張國明博士,心中充滿無數感激。由於老師自由寬宏指導方式,因而 增加了學生思考力與創造力,也由於老師淵博學識,因而提供了學生無數 建議與幫助,更難能可貴是,老師總是諄諄教誨學生待人處事態度,也培養學 生積極樂觀態度,讓學生受益良多。另外,桂正楣教授在這段間內亦提供學 生大量協助與關心,在此,學生由衷感謝兩位教授多年來包容照顧。
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先進金氧半場效電晶體閘極工程對改善元件特性及可靠度之研究

先進金氧半場效電晶體閘極工程對改善元件特性及可靠度之研究

謹記在心並奉為圭臬。 感謝在我博士求學生涯帶我、指導我張勝傑學長與李耀仁學長。在學校求學以及 在台積工作期間,因為有張勝傑學長對我許多指導與幫助,讓我學到很多,也讓 我人生規劃明確多。李耀仁學長在學術實驗上嚴謹態度是我最推崇,在我畢業前 這一年,也給予我很多課業上討論與想法。在此也感謝在台積工作期間一起工作 所有同事們,你們讓我人生眼界寬廣不少。也感謝一起渡過漫長求學路實驗室成員 們,讓我在學校生活更加多采多姿。相信不久後在職場中,我們會再相遇
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低電壓互補式金氧半製程下的類比電路設計與可靠度

低電壓互補式金氧半製程下的類比電路設計與可靠度

半導體製程微縮化造成晶體元件尺寸越來越小、閘極氧化層也越 來越薄,晶體閘極氧化層變得更為脆弱更容易遭受破壞,目前已有文 獻針對閘極氧化層可靠度對數位與射頻積體進行分析與探討,可 是在類積體路上仍未有深入研究與分析。因此,在第三章中,針對 閘極氧化層可靠度對類進行研究與分析,針對有無堆疊結構 主動式負載共源級放大器(Common-Source Amplifier)和雙級式(Two Stage) 與折疊式(Folded Cascade)運算放大器(Operational Amplifier)進行探討,分析 閘極氧化層可靠度對類,並針對閘極氧化層軟式崩潰(Soft Breakdown)與閘極氧化層硬式崩潰(Hard Breakdown)對類作 了詳細分析。本論文所探討測試路已經在 1 伏 130 奈米互補式金氧 半製程裡實現,並已在 2.5 伏操作壓環境下進行分析。
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焦耳熱效應對覆晶銲錫電遷移可靠度之影響

焦耳熱效應對覆晶銲錫電遷移可靠度之影響

大胃王俊宏;黑大仙德聖;老實詠湟;頑皮豹淵明;資格考救星百分;傳說中台北 帥哥哲誠;Jacky Chen-誠風;活潑明慧;神經很大條小山;籃球一把罩鬼手; 認真程昶;投資理財專家宏誌;長榮寶貝學弟宗寬;馬拉松小子健民;細心佩君; 不當兵校隊旻峰;迷途羔羊柏榮...。還有清大仲毅、家銘、彥良;義守柳金、

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應用於功率積體電路之700伏特LIGBT元件設計與結構改善

應用於功率積體電路之700伏特LIGBT元件設計與結構改善

第二章 元件理論與特性 2.1 前言 功率半導體元件子領域扮演著重要角色,它具有耐高壓、高特性。功率元件發展,隨著推進,製造技術隨逐步改良,在積體 上也逐漸受到重視。雙極性功率晶體(Bipolar Power Transistor)在 1960 年代期被發展出來,其操作功率表現上相當出色,但由於雙極性功率 晶體切換頻率稍低而限制了功率晶體範圍。1970 年代後,利 MOS 技術發展出功率場效晶體(Power MOSFETs),它具有較高頻寬、高耐 壓與高輸入組抗特性。在這些優點下,Power MOSFETs 取代 Bipolar Power Device 成為中低功率、高頻切換系統中主流功率元件。但是由於受到元件本身 特性限制,Power MOSFETs 在導通能力並不理想。直到 1980 年代絕 緣閘控晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡稱 IGBT)被發展出來,其具 備 Power MOSFETs 高輸入阻抗特性並兼具 Bipolar Power Transistor 高流承 載能力特性,使得功率元件更為廣泛。
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網路可靠度分析與最佳化之應用-以電腦網路與物流運輸網路為例

網路可靠度分析與最佳化之應用-以電腦網路與物流運輸網路為例

第四章 利用最小路徑求算 利用最小路徑求算 利用最小路徑求算 利用最小路徑求算最佳 最佳 最佳 最佳資源配置下 資源配置下 資源配置下多商品 資源配置下 多商品 多商品可靠 多商品 可靠 可靠 可靠 近年來,如何配置網資源以達最佳化可靠已成為另一重要課 題。在該傳輸邊上有多個資源可選擇,每個資源具有多重狀態,而資 源採隨機方式配置於網傳輸邊上,讓網需求量(商品)可以順利從起點運 至終點。例如於運輸網中,供商需要運送多種商品至顧客手上,由於每家物 流運輸公司維修、故障、被預約等機率分配不同,因而供商可在滿足需求量 前提下,找到各傳輸邊上合適運輸公司。
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改善轉導器線性度及應用轉導-電容運算放大器架構之可程式化類比陣列晶片設計

改善轉導器線性度及應用轉導-電容運算放大器架構之可程式化類比陣列晶片設計

可配置類比方塊採 G m -C Opamp 路架構,由轉導器、運算放大器 與可程式化容陣列所構成,其中轉導值具有高度可調範圍,且容值可 經程式化容陣列做選擇,因此提供整體路更具彈性可規劃範圍。參 考源則是由寬振幅固定轉導偏壓路所構成,提供穩定且與供壓無 關偏壓流源。互聯網路路由類開關 CMOS 傳輸閘所組成,經由 類開關規劃,可調整系統內部連線路徑,使得可配置類比方塊相互 間具有更多樣連結方式,以實現所設計函數路,因此更可提升整體 路可程式化能力。可配置記憶體則由移位暫存器所構成,其中暫存器 可由 D 型正反器所實現。藉由移位暫存器儲存數位控制訊號,而使路系 統具有可重複規劃功能。
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低溫複晶矽薄膜電晶體元件均勻性及類比緩衝電路設計之研究

低溫複晶矽薄膜電晶體元件均勻性及類比緩衝電路設計之研究

在設計源極隨耦器形式緩衝路方面,首先我們針對傳統架構源極隨耦 器進行路模擬探討。根據模擬結果,我們發現傳統源極隨耦器具有輸出不飽 和以及嚴重輸出變異問題。因此我們提出了一個新式源極隨耦器形式緩 衝路來解決這些問題。我們所提出補償路由兩個 N 型薄膜晶體,一個儲存四各開關所組成。在此類緩衝路之中,我們藉由加入一個主動負載來抑制傳 統源極隨耦器中,因為低溫複晶矽薄膜晶體較大次臨界流所引起輸出不飽和 現象。並且藉由儲存容以及適當驅動過程來進行元件變異性補償。經由模擬以 及實際量測結果證實,我們所提出路架構確實可以有效地補償元件變異性問題。
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應用於薄膜電晶體之平面顯示器玻璃基底上的類比電路設計

應用於薄膜電晶體之平面顯示器玻璃基底上的類比電路設計

Submitted to Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics College of Electrical and Computer Engineering. National Chiao-Tung University in Partial Fulfillment [r]

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適用於類比與混合訊號電路系統之時間延遲電路設計與製作

適用於類比與混合訊號電路系統之時間延遲電路設計與製作

一步一腳印堅持不放棄,這是對我自己試鍊。 首先要感謝指導教授曹恆偉博士,給了我再一次挑戰自己機會。並於學術 研究上提供我諸多寶貴意見。再來感謝我口試委員,包括本校盧奕璋教授、 台灣科大陳伯奇教授以及台北科大黃育賢教授、雲林科大黃崇禧教授與立 積子副總紀翔峰博士。在口試給予我指正與建議,使我論文能夠更加完 善,在未來研究道路上也能秉持著更加專注與精實來面對。
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一種改良的介面缺陷之橫向剖面分析應用於奈米級應變矽CMOS元件之可靠度探討

一種改良的介面缺陷之橫向剖面分析應用於奈米級應變矽CMOS元件之可靠度探討

感謝大正學長,親切認真並且不厭其煩地指導讓我能很快地進入狀況。感 謝亞峻、俊賢和元亨學長,不斷給予我學業和操作儀器上教導與協助。感謝 汪大暉實驗室優秀學長們,小鄭、小馬、達達、阿雄和阿多肯,有了你們,讓 實驗室充滿了溫暖和友情,還有彥君吃飯候是全世界最幸福一刻,最正妹 元元歌聲讓實驗室充滿了生氣,實驗室猛男熊勳庭還有聰明周佑亮謝謝你們 陪我度過這兩年甘苦。感謝實驗室同學們,文彥,跟我一起度過了無數地熬夜 做實驗夜晚,你無私友情特別令我感動。感謝家銘,你成熟待人處世與作 人作事態度是我永遠值得效法學習,感謝健鴻,你細膩心思和熱心開朗 言行,一直是大家值得依靠對象。感謝友良,有你在實驗室總是充滿了笑容和 歡樂,但是你對所追求事情是認真而執著。還有學弟,老王、健宏、安舜以 及可愛學妹米華,你們幫我分擔了很多實驗室行政和管理工作,讓我能夠專 心於研究上,謝謝你們。
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類比電路

類比電路

人數上限 25 人 已選人數 已選人數 11人 起始週 / 結束週 / 上課地點 / 上課間 第1週 / 第18週 / I320 / 星期1第2節 第1週 / 第18週 / I320 / 星期1第3節 第1週 / 第18週 / I320 / 星期1第4節 請各位同學遵守智慧財產權觀念;請勿非法影印。

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底膠填充於金對金覆晶接合高頻元件封裝可靠度影響之研究

底膠填充於金對金覆晶接合高頻元件封裝可靠度影響之研究

子傳導性佳、性質穩定,不易產生氧化物、低訊號損失…等優點,故適合 使用在高頻元件覆晶連結使用。 2.3 可靠度概論 可靠觀念起始於二次大戰期間,德國在研製 V-1 火箭,對於主要 設計理念已有系統強度決定其中最弱環節觀念,而個別元件良莠會直接 到整個系統表現,所以在當被視為相當重要課題。自從 1952 年 美國子設備可靠顧問團(AGREE)提出報告後,其以對子裝備進行研究 所得到結論為基礎,並依此結論定義可靠度:產品於既定間內,在特 定使用環境條件下,執行特定功能,成功完成工作目標機率。
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應用於高可靠度奈米元件之內連線材料其成長與特性之研究

應用於高可靠度奈米元件之內連線材料其成長與特性之研究

With oxide, instead of contact area, single crystal PtSi grains start forming either near the center between two adjacent pads or from the ends of Si nanowires, resulting in the hetero[r]

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快速熱退火及不同鰭寬度的NCFET 之電性分析及HCI可靠度研究

快速熱退火及不同鰭寬度的NCFET 之電性分析及HCI可靠度研究

首先要感謝是我指導教授葉文冠老師,帶我進入了半導體領域,並且提供良好 實驗室環境與充足資源,令我在學習上得到莫大幫助,老師也常常分享業界經驗, 並且給予我未來就業方向。再來感謝高雄師範大學楊宜霖教授師母章聞奇博士,他 們也教導了我許多知識,有困難也會耐心地替我解決問題,並提供了許多幫助,感謝以 上三位在半導體專業知識、論文架構與方向、實驗技巧、數據分析等對我耐心指導與幫 助。也要特別感謝國家奈米實驗室李耀仁博士給予我們研究上各種幫助以及解決我們 問題,並不厭其煩教導我們新知識,另我萬分感激。
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