為了提高的 STI 垂直方向的應力,我們設計了狹窄型 OD 和多重 OD MOSFETs 兩種元 件,其概念是由標準多指元件(Standard multi-finger MOSFETs)延伸而來的。而維繞式 MOSFET 是我們所設計的另一種全新結構,它在從垂直方向完全不受到 STI 應力影響,
關鍵就是在於它完全在 width 方向避開了的 STI/OD 界面,並藉此改善低頻雜訊。 但是 在某些元件的量測結果顯示,我們無法從 STI 的應力解釋在極端狹窄的元件的反而有更 低的低頻雜訊。因次我們從 STI 頂邊 TCR 導致的W 的角度去分析,推導出一
Submitted to Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics College of Electrical and Computer Engineering. National Chiao-Tung University in Partial Fulfillment [r]
With oxide, instead of contact area, single crystal PtSi grains start forming either near the center between two adjacent pads or from the ends of Si nanowires, resulting in the hetero[r]