• 沒有找到結果。

[PDF] Top 20 元件可靠度的改善及類比電路應用時之影響

Has 10000 "元件可靠度的改善及類比電路應用時之影響" found on our website. Below are the top 20 most common "元件可靠度的改善及類比電路應用時之影響".

元件可靠度的改善及類比電路應用時之影響

元件可靠度的改善及類比電路應用時之影響

... 子工程學系 子研究所 博士班 摘要 隨著半導體工業科技日新月異,製程技術快速進步,使各種功能能夠同 置入於一顆晶片之中可行性就不斷在提升,也就是希望利先進半導體製 程來整合數位和類功能於單一晶片中,此對於半導體元件可靠度除了傳統 ... See full document

134

射頻金氧半場效電晶體元件佈局對高頻特性與低頻雜訊之影響以應用於射頻與類比電路

射頻金氧半場效電晶體元件佈局對高頻特性與低頻雜訊之影響以應用於射頻與類比電路

... STI , 關鍵就是在於它完全在 width 方向避開了 STI/OD 界面,並藉此改善低頻雜訊。 但是 在某些元件量測結果顯示,我們無法從 STI 力解釋在極端狹窄元件反而有更 低低頻雜訊。因次我們從 STI 頂邊 TCR 導致W ... See full document

132

奈米CMOS之前瞻射頻類比電路設計-子計畫二:奈米CMOS射頻類比電路之可靠度設計與研究(1I)

奈米CMOS之前瞻射頻類比電路設計-子計畫二:奈米CMOS射頻類比電路之可靠度設計與研究(1I)

... 臺灣 IC 製程已進入奈米量產代,90 奈 米 IC 製程也已經在量產中,65 奈米也已經 接近研發完成階段。不過由於製程技術進 步為了維持晶體元件特性與提高積體可靠度,使得晶體最大接面操作壓和 ... See full document

10

質子化機制對發光材料放光波長及效率的影響-於有機電激發光元件之應用

質子化機制對發光材料放光波長及效率的影響-於有機電激發光元件之應用

... 為0.2%(w/v),隨著酸增加所產生現象是發光光譜紅位移, 且放光強大幅衰減。不論加入是草酸或苯磺酸,都可觀察到 似的現象。此原因在於:當酸被加入後,解離帶正氫離子,會與 C545T分子上具有未鍵結空軌域原子產生鍵結,形成新產物。此新 ... See full document

56

0.5V 低電壓類比前端電路應用於生醫訊號紀錄

0.5V 低電壓類比前端電路應用於生醫訊號紀錄

... Hz 雜訊,而在低壓系統 更是劇烈,所以擁有良好共模拒斥(Common mode rejection ratio)將是非常重要 規 格 。 根 據 國 際 臨 床 神 經 生 理 學 聯 合 會 (International Federation of Clinical Neurophysiology),共模拒斥最好大於 ... See full document

95

高性能離子感應電晶體之可靠度研究及應用

高性能離子感應電晶體之可靠度研究及應用

... Acknowledgement 一轉眼,幾年間就過了,期間交錯著無數酸甜苦辣,不過一路走來總 算是水到渠成,也算是不負所望,對於多年來,從碩士到博士一路悉心照料指 導教授張國明博士,心中充滿無數感激。由於老師自由寬宏指導方式,因而 增加了學生思考力與創造力,也由於老師淵博學識,因而提供了學生無數 ... See full document

107

先進金氧半場效電晶體閘極工程對改善元件特性及可靠度之研究

先進金氧半場效電晶體閘極工程對改善元件特性及可靠度之研究

... 謹記在心並奉為圭臬。 感謝在我博士求學生涯帶我、指導我張勝傑學長與李耀仁學長。在學校求學以及 在台積工作期間,因為有張勝傑學長對我許多指導與幫助,讓我學到很多,也讓 我人生規劃明確多。李耀仁學長在學術實驗上嚴謹態度是我最推崇,在我畢業前 ... See full document

148

低電壓互補式金氧半製程下的類比電路設計與可靠度

低電壓互補式金氧半製程下的類比電路設計與可靠度

... 半導體製程微縮化造成晶體元件尺寸越來越小、閘極氧化層也越 來越薄,晶體閘極氧化層變得更為脆弱更容易遭受破壞,目前已有文 獻針對閘極氧化層可靠度對數位與射頻積體進行分析與探討,可 是在類積體路上仍未有深入研究與分析。因此,在第三章中,針對 ... See full document

206

焦耳熱效應對覆晶銲錫電遷移可靠度之影響

焦耳熱效應對覆晶銲錫電遷移可靠度之影響

... 大胃王俊宏;黑大仙德聖;老實詠湟;頑皮豹淵明;資格考救星百分;傳說中台北 帥哥哲誠;Jacky Chen-誠風;活潑明慧;神經很大條小山;籃球一把罩鬼手; 認真程昶;投資理財專家宏誌;長榮寶貝學弟宗寬;馬拉松小子健民;細心佩君; ... See full document

111

應用於功率積體電路之700伏特LIGBT元件設計與結構改善

應用於功率積體電路之700伏特LIGBT元件設計與結構改善

... 第二章 元件理論與特性 2.1 前言 功率半導體元件子領域扮演著重要角色,它具有耐高壓、高特性。功率元件發展,隨著推進,製造技術隨逐步改良,在積體 ... See full document

112

網路可靠度分析與最佳化之應用-以電腦網路與物流運輸網路為例

網路可靠度分析與最佳化之應用-以電腦網路與物流運輸網路為例

... 多商品 可靠 可靠 可靠 近年來,如何配置網資源以達最佳化可靠已成為另一重要課 題。在該傳輸邊上有多個資源可選擇,每個資源具有多重狀態,而資 ... See full document

86

改善轉導器線性度及應用轉導-電容運算放大器架構之可程式化類比陣列晶片設計

改善轉導器線性度及應用轉導-電容運算放大器架構之可程式化類比陣列晶片設計

... Opamp 路架構,由轉導器、運算放大器 與可程式化容陣列所構成,其中轉導值具有高度可調範圍,且容值可 經程式化容陣列做選擇,因此提供整體路更具彈性可規劃範圍。參 考源則是由寬振幅固定轉導偏壓路所構成,提供穩定且與供壓無 ... See full document

154

低溫複晶矽薄膜電晶體元件均勻性及類比緩衝電路設計之研究

低溫複晶矽薄膜電晶體元件均勻性及類比緩衝電路設計之研究

... 在設計源極隨耦器形式緩衝路方面,首先我們針對傳統架構源極隨耦 器進行路模擬探討。根據模擬結果,我們發現傳統源極隨耦器具有輸出不飽 和以及嚴重輸出變異問題。因此我們提出了一個新式源極隨耦器形式緩 ... See full document

137

應用於薄膜電晶體之平面顯示器玻璃基底上的類比電路設計

應用於薄膜電晶體之平面顯示器玻璃基底上的類比電路設計

... Submitted to Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics College of Electrical and Computer Engineering. National Chiao-Tung University in Partial Fulfillment [r] ... See full document

2

適用於類比與混合訊號電路系統之時間延遲電路設計與製作

適用於類比與混合訊號電路系統之時間延遲電路設計與製作

... 一步一腳印堅持不放棄,這是對我自己試鍊。 首先要感謝指導教授曹恆偉博士,給了我再一次挑戰自己機會。並於學術 研究上提供我諸多寶貴意見。再來感謝我口試委員,包括本校盧奕璋教授、 台灣科大陳伯奇教授以及台北科大黃育賢教授、雲林科大黃崇禧教授與立 ... See full document

143

一種改良的介面缺陷之橫向剖面分析應用於奈米級應變矽CMOS元件之可靠度探討

一種改良的介面缺陷之橫向剖面分析應用於奈米級應變矽CMOS元件之可靠度探討

... 感謝大正學長,親切認真並且不厭其煩地指導讓我能很快地進入狀況。感 謝亞峻、俊賢和元亨學長,不斷給予我學業和操作儀器上教導與協助。感謝 汪大暉實驗室優秀學長們,小鄭、小馬、達達、阿雄和阿多肯,有了你們,讓 實驗室充滿了溫暖和友情,還有彥君吃飯候是全世界最幸福一刻,最正妹 ... See full document

115

類比電路

類比電路

... 人數上限 25 人 已選人數 已選人數 11人 起始週 / 結束週 / 上課地點 / 上課間 第1週 / 第18週 / I320 / 星期1第2節 第1週 / 第18週 / I320 / 星期1第3節 第1週 / 第18週 / I320 / 星期1第4節 請各位同學遵守智慧財產權觀念;請勿非法影印。 ... See full document

2

底膠填充於金對金覆晶接合高頻元件封裝可靠度影響之研究

底膠填充於金對金覆晶接合高頻元件封裝可靠度影響之研究

... 2.3 可靠度概論 可靠觀念起始於二次大戰期間,德國在研製 V-1 火箭,對於主要 設計理念已有系統強度決定其中最弱環節觀念,而個別元件良莠會直接 到整個系統表現,所以在當被視為相當重要課題。自從 1952 年 ... See full document

61

應用於高可靠度奈米元件之內連線材料其成長與特性之研究

應用於高可靠度奈米元件之內連線材料其成長與特性之研究

... With oxide, instead of contact area, single crystal PtSi grains start forming either near the center between two adjacent pads or from the ends of Si nanowires, resulting in the hetero[r] ... See full document

13

快速熱退火及不同鰭寬度的NCFET 之電性分析及HCI可靠度研究

快速熱退火及不同鰭寬度的NCFET 之電性分析及HCI可靠度研究

... 首先要感謝是我指導教授葉文冠老師,帶我進入了半導體領域,並且提供良好 實驗室環境與充足資源,令我在學習上得到莫大幫助,老師也常常分享業界經驗, 並且給予我未來就業方向。再來感謝高雄師範大學楊宜霖教授師母章聞奇博士,他 ... See full document

65

Show all 10000 documents...