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[PDF] Top 20 利用靜電轉印石墨烯作為透明導電電極並應用於有機發光二極體上

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利用靜電轉印石墨烯作為透明導電電極並應用於有機發光二極體上

利用靜電轉印石墨烯作為透明導電電極並應用於有機發光二極體上

... 催化金屬,在低壓高溫的環境下以化學氣相沉積法成長石墨,而在 的過程中,常常會造成物的殘留而使得石墨的性質不如我 們所預期那麼優良。雖然已經文獻指出,可以透過各種後續的處理 讓石墨的表面變得更乾淨,可是整個過程相當的費時。因此,如何 ... See full document

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透明電極對透明有機發光二極體之效應

透明電極對透明有機發光二極體之效應

... 的學生,蛻變成即將畢業的碩士生。學術,謝謝老師在無數多個實驗中,教 我們學會如何去分析數據、解決問題,更指點我們實驗的方向;生活中,謝 謝老師在時間分配給予我們大的自由,也會不定期的安排活動,讓我們在忙 碌的生活中能夠適度放鬆。也謝謝老師在繁忙的日程中,花費心力來批改我的論 ... See full document

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高反射率與高導電率的雙層式陽極應用在上發光有機發光二極體

高反射率與高導電率的雙層式陽極應用在上發光有機發光二極體

... 2010 表可捲 曲的 OLED 搭配 OTFT 顯示器 [5] ,且 OLED 的特性可與 TFT 結 合成一個個的畫素開關,不需透過液晶或濾片來分,更加有利積小、輕便、甚至是可攜式顯示器 [6] 。另一方面,因 OLED ... See full document

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氧化銦錫透明電極應用於氮化鎵發光二極體

氧化銦錫透明電極應用於氮化鎵發光二極體

... 氧化銦錫透明電極應用於氮化鎵發光二極體 Transparent contact of Indium Tin Oxide on GaN LED.[r] ... See full document

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利用原子層沉積技術成長氧化層並製作免轉印上閘極石墨烯及二硫化鉬電晶體

利用原子層沉積技術成長氧化層並製作免轉印上閘極石墨烯及二硫化鉬電晶體

... 薄膜氧化矽/矽基板後,硫化鉬雙閘亦被製作用來比較上下閘 的差異。下閘在原子層沉積氧化層後,元件特性大幅提升的現象亦被 觀察到,子遷移率由 ... See full document

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上發光有機電激發光二極體元件結構開發與可撓曲基板應用

上發光有機電激發光二極體元件結構開發與可撓曲基板應用

... 在交大OLED實驗室兩年的時間裡認識了許多同甘共苦的好夥伴,無論 在知識和處理事物的角度比以前來的成熟。首先要特別感謝孟寰學 長,從我碩一暑假來實驗室學習,在專業領域很熱心的教及幫助我,對 我來說就像大樹一樣。也要感謝世男學長,除了在實驗的指外,也讓 我了解很多人生的道裡,感謝圃成、超榮學長在大型蒸鍍台元件製程的 ... See full document

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有機發光二極體接面發光的應用

有機發光二極體接面發光的應用

... 國立交通大學 物理研究所 碩士論文 有機發光二極體接面發光的應用 The junction emission application for conjugated polymer light emitting diode.. Hsin-Fei Meng 教授 Prof.[r] ... See full document

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新穎陰電極高分子發光二極體

新穎陰電極高分子發光二極體

... 介 高分子元件結構簡易來說,與陰將高分子層夾其兩者之 中,子和洞克服位障分別從陰與陽注入層中結合達到放。元件表現 ... See full document

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新穎陰電極高分子發光二極體

新穎陰電極高分子發光二極體

... Our recent works have shown that an improved “high-yellow” phenyl-substituted poly- (paraphenylenevinylene) copolymer (HY-PPV) based polymer light emitting diode can be constructed by u[r] ... See full document

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利用金屬孔洞電極提升發光二極體之外部量子效率

利用金屬孔洞電極提升發光二極體之外部量子效率

... 即使孔洞內填充 SiO 介值會增加金屬損耗,仍可藉由傳播模態 2 提升穿透率以及散射率的提升來增加元件外部量子效率。研究中 現孔洞與週期長度 A/a 比例必須控制恰當,在固定週期長度 A=0.35 μ m 下,過小的孔洞長度 a 0.31 m ≤ μ 會較低的穿透率及較高的金屬 損耗致外部量子效率下降。過大的孔洞長度就算較高的穿透率及 ... See full document

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主動矩陣有機發光二極體於薄膜電晶體之補償驅動電路研究

主動矩陣有機發光二極體於薄膜電晶體之補償驅動電路研究

... Research of AMOLED pixel compensation circuit using TFTs. 研 究 生:竹立煒 Li-Wei Chu[r] ... See full document

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氧化銦錫透明導電層於磷化鋁鎵銦發光二極體的應用 盧俊宇、蕭宏彬

氧化銦錫透明導電層於磷化鋁鎵銦發光二極體的應用 盧俊宇、蕭宏彬

... 氧化銦錫(Indium-Tin Oxide, ITO)對可見具高度透明度及性,常當做一個透明,被廣泛地使用在元件 。在傳統磷化鋁鎵銦(AlGaInP)材料的(Light-Emitting Diode, ... See full document

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有機發光二極體用高分子奈米複合材料之光電性質研究

有機發光二極體用高分子奈米複合材料之光電性質研究

... 3.8 荷深層能階瞬間譜儀 (Q-DLTS) 研究 了進一步探討CdSe/ZnS量子點在元件中的特性,我們使用Q-DLTS ...3-27 元件ITO/PEDOT/MEH-PPV/Al在施加△V= + 1V不同充時間下 ... See full document

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多晶矽薄膜電晶體於主動矩陣式有機發光二極體顯示器之應用

多晶矽薄膜電晶體於主動矩陣式有機發光二極體顯示器之應用

... 求學過程幸賴許多師長朋友的協助,讓我得以度過挫折與困難。感謝吳逸蔚 博士、蔡耀銘博士及石安博士引領我進入以及低溫多晶矽薄膜的領域,讓我能在這方面全心投入研究。感謝昭宇、文源、瑋傑及勝捷在 ... See full document

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有機發光二極體採用非晶態薄膜電晶體之驅動補償電路研究

有機發光二極體採用非晶態薄膜電晶體之驅動補償電路研究

... Enhancement of OLED compensation pixel circuit using amorphous TFTs 研 究 生:聶建名 Chien-Ming Nieh 指導教授:劉柏村 教授 Dr.. Po-Tsun Liu 中華民國九十六年六月 中華民國九十六年六月 中華民國九十六年六月 中華民國九十六年六[r] ... See full document

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時間解析光致電流應用在InGaN 發光二極體

時間解析光致電流應用在InGaN 發光二極體

... A-2 -致螢原理 由材料的能階介與絕緣之間,一般子都是位 在價,若今天將一能量高能階的(通常是使用雷射)打向 ... See full document

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增光膜於有機發光二極體之設計與應用

增光膜於有機發光二極體之設計與應用

... 黃乙白博士的專業意見指,使此論文得以更加完善。 在實驗室的日子裡,首先要感謝韋安琪學姐在實驗與專業知識的指與協助,樂 觀踏實的研究精神與時常誠心的祈禱,讓我能得以順利克服一關關的難關,更因而得到 2005 OPT學生論文獎,你是非常棒的Supervisor。而實驗室其他的學長姐們:鄭榮安博 士、李企桓、鄭裕國、莊喬舜、陳均合、楊柏儒、林泩宏、林芳正、陳予潔提供了許多 ... See full document

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發光二極體列印頭驅動電路之設計

發光二極體列印頭驅動電路之設計

... A Thesis Submitted to Department of Electronics College of Electrical Engineering and Computer Science National Chiao Tung University in partial Fulfillment of the Requirements for the D[r] ... See full document

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石墨烯複合導電奈米纖維應用於超級電容之製作

石墨烯複合導電奈米纖維應用於超級電容之製作

... 1.5 超級容簡介與展 超級容簡介與展 超級容簡介與展 超級容簡介與展 自十八世紀工業革命後,對石油及煤礦等石化能源的依賴與日俱增,經 ... See full document

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應用光致電化學法製作高效率氮化鎵基發光二極體

應用光致電化學法製作高效率氮化鎵基發光二極體

... 入 流 也 能 有 所 提 升 。 在 元 件 製 完 成 後 我 們 化 學 氧 化 法 VTF-LED,汞燈強度 500 瓦,外加偏壓 10 伏特,在三種不同成長時間下觀察 氧化層成長之變化,以及量測其 L-I-V ... See full document

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