Top PDF 利用靜電轉印石墨烯作為透明導電電極並應用於有機發光二極體上

利用靜電轉印石墨烯作為透明導電電極並應用於有機發光二極體上

利用靜電轉印石墨烯作為透明導電電極並應用於有機發光二極體上

54 第四章 實驗結果與討論 4-1 研究動與目的 因石墨具有相當特別的子物理性質,包含先前所提到的 高的載子遷移率、良好的穿透性、優異的械力強度……等等,使 得石墨一個新穎的材料。和目前最常使用的氧化銦錫薄膜 相比,石墨具有價格便宜、製方便、可撓性佳以及反射率低的 種種優勢,因此,我們試圖將石墨取代氧化銦錫薄膜元 件。目前止,最常被用以成長石墨的方法是以銅箔或鎳箔 催化金屬,在低壓高溫的環境下以化學氣相沉積法成長石墨,而在 的過程中,常常會造成物的殘留而使得石墨的性質不如我 們所預期那麼優良。雖然已經文獻指出,可以透過各種後續的處理 讓石墨的表面變得更乾淨,可是整個過程相當的費時。因此,如何 找出一個簡單方法能夠得到高品質的石墨而且能夠元 件,是目前一個相當重要的議題。
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透明電極對透明有機發光二極體之效應

透明電極對透明有機發光二極體之效應

I 致謝 本論文得以順利完成,最先要感謝的是我的指教授吳忠幟老師。自大三跟 隨老師開始做專題,在三年多的時間裡,讓我從一個對懵懂無知 的學生,蛻變成即將畢業的碩士生。學術,謝謝老師在無數多個實驗中,教 我們學會如何去分析數據、解決問題,更指點我們實驗的方向;生活中,謝 謝老師在時間分配給予我們大的自由,也會不定期的安排活動,讓我們在忙 碌的生活中能夠適度放鬆。也謝謝老師在繁忙的日程中,花費心力來批改我的論 文,指出了不足的地方。謝謝口試委員陳例吟教授以及蔡志弘教授,撥冗審閱 我的論文,提出許多的建議,使得本論文能夠更加完善。
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高反射率與高導電率的雙層式陽極應用在上發光有機發光二極體

高反射率與高導電率的雙層式陽極應用在上發光有機發光二極體

3 OLED 的非常廣泛,除了硬質的玻璃基板外,可撓曲式(flexible) 的基板也是目前最熱門的研究題目之一 [4] ,SONY 更在 SID 2010 表可捲 曲的 OLED 搭配 OTFT 顯示器 [5] ,且 OLED 的特性可與 TFT 結 合成一個個的畫素開關,不需透過液晶或濾片來分,更加有利積小、輕便、甚至是可攜式顯示器 [6] 。另一方面,因 OLED 製程 的特性,可以製大面積的面源,無需其他板的燈具,是目前其他 光源做不到的,所以會往照明燈具的方向展;從圖 1.2 可了解 OLED 顯示器從較早的單色光小尺寸顯示器到 SONY 推出的 11 吋視,以 及完整顯現出 OLED 優勢的 Flexible 顯示器,這個演進代表著 OLED 正逐 漸的展現其優勢,踏入顯示器的市場,目前主要的產品還是集中中 小尺寸視、手面板、像等較小尺寸的顯示器商品,但韓國 LG 公司也 表示,預計 2012 年將會表大尺寸的視產品,且成本會下降 50%。
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氧化銦錫透明電極應用於氮化鎵發光二極體

氧化銦錫透明電極應用於氮化鎵發光二極體

氧化銦錫透明電極應用於氮化鎵發光二極體 Transparent contact of Indium Tin Oxide on GaN LED.[r]

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利用原子層沉積技術成長氧化層並製作免轉印上閘極石墨烯及二硫化鉬電晶體

利用原子層沉積技術成長氧化層並製作免轉印上閘極石墨烯及二硫化鉬電晶體

doi:10.6342/NTU201600721 V 成功製造出硫化鉬,其子遷移率 0.13 cm 2 V -1 s -1 。在硫化鉬 薄膜氧化矽/矽基板後,硫化鉬雙閘亦被製作用來比較上下閘 的差異。下閘在原子層沉積氧化層後,元件特性大幅提升的現象亦被 觀察到,子遷移率由 0.0097 cm 2 V -1 s -1 提升至 0.045 cm 2 V -1 s -1 ,接著進行金 屬蒸鍍製程做成雙閘現下閘子遷移率顯著上升,我們 推測乃因鍍金屬時的熱能使得氧化層中的氧原子與硫化鉬形成度較佳的氧 化鉬,因而提升載子遷移律。由載子遷移率可觀察需之上閘硫化鉬的部分較免硫化鉬低,由此可知免可免時造 成的污染而著更加的表現。
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上發光有機電激發光二極體元件結構開發與可撓曲基板應用

上發光有機電激發光二極體元件結構開發與可撓曲基板應用

在交大OLED實驗室兩年的時間裡認識了許多同甘共苦的好夥伴,無論 在知識和處理事物的角度比以前來的成熟。首先要特別感謝孟寰學 長,從我碩一暑假來實驗室學習,在專業領域很熱心的教及幫助我,對 我來說就像大樹一樣。也要感謝世男學長,除了在實驗的指外,也讓 我了解很多人生的道裡,感謝圃成、超榮學長在大型蒸鍍台元件製程的 教,也感謝學長繼聖我們實驗室帶來許多的歡樂及在我遇到困難時給 我的建議和鼓勵,長晏、冠亨兩年來一起討論、奮鬥、扶持、玩樂的好同 伴、好兄弟,希望大家都能往心目中的方向繼續前進,感謝學弟依濠、薪 閔和孟宇的支持與幫助及親切的助理美貞媽媽在實驗室事務方面協助,祝 大家今後一切順利。
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有機發光二極體接面發光的應用

有機發光二極體接面發光的應用

國立交通大學 物理研究所 碩士論文 有機發光二極體接面發光的應用 The junction emission application for conjugated polymer light emitting diode.. Hsin-Fei Meng 教授 Prof.[r]

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新穎陰電極高分子發光二極體

新穎陰電極高分子發光二極體

Advanced Functional Materials 18, 3036-3042 OCT 9(2008) 1. 簡 介 高分子元件結構簡易來說,與陰將高分子層夾其兩者之 中,子和洞克服位障分別從陰與陽注入層中結合達到放。元件表現 好壞取決子、洞結合量多寡,而結合量多寡受到載子傳輸時本身遷移率與所需 跨越能障差影響,高遷移率與低跨越位障成就了一高效率、高亮度之元件表現,而本 文憲主要重點提升子注入。當元件外部施加一壓,子將會從陰金屬注 入,接著通過子傳輸層,到達高分子放層中,如何提升注入子量,陰
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新穎陰電極高分子發光二極體

新穎陰電極高分子發光二極體

Our recent works have shown that an improved “high-yellow” phenyl-substituted poly- (paraphenylenevinylene) copolymer (HY-PPV) based polymer light emitting diode can be constructed by u[r]

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利用金屬孔洞電極提升發光二極體之外部量子效率

利用金屬孔洞電極提升發光二極體之外部量子效率

即使孔洞內填充 SiO 介值會增加金屬損耗,仍可藉由傳播模態 2 提升穿透率以及散射率的提升來增加元件外部量子效率。研究中 現孔洞與週期長度 A/a 比例必須控制恰當,在固定週期長度 A=0.35 μ m 下,過小的孔洞長度 a 0.31 m ≤ μ 會較低的穿透率及較高的金屬 損耗致外部量子效率下降。過大的孔洞長度就算較高的穿透率及 較低的金屬損耗,卻因布拉格散射制的降低使得外部量子效率下 降。針對不同的孔洞長度 a 其厚度也會影響,必須將厚度設 計在第一階 Fabry-Perot 干涉的位置才能最好的外部量子效率。此 外 觀 察 現 孔 洞 的 長 度 越 小 則 厚 度 需 較 厚 才 能 達 到 第 一 階 Fabry-Perot 干涉。
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主動矩陣有機發光二極體於薄膜電晶體之補償驅動電路研究

主動矩陣有機發光二極體於薄膜電晶體之補償驅動電路研究

Research of AMOLED pixel compensation circuit using TFTs. 研 究 生:竹立煒 Li-Wei Chu[r]

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氧化銦錫透明導電層於磷化鋁鎵銦發光二極體的應用 盧俊宇、蕭宏彬

氧化銦錫透明導電層於磷化鋁鎵銦發光二極體的應用 盧俊宇、蕭宏彬

氧化銦錫(Indium-Tin Oxide, ITO)對可見具高度透明度及性,常當做一個透明,被廣泛地使用在元件 。在傳統磷化鋁鎵銦(AlGaInP)材料的(Light-Emitting Diode, LED),會ITO與磷化鎵窗戶層(GaP window layer)難以形成良好歐姆接觸的問題,解決這麼問題,本研究使用Ni/ITO層來與GaP形成良好的歐姆接觸。 本研究使用子束蒸鍍系統在載玻片上面分別蒸鍍ITO(230 nm)與Ni(6 nm)/ITO(230 nm),進行穿透率和片阻的量測,接 著鍍在AlGaInP的LED,與GaP和GaP/ITO結構的LED進行I-V和L-I的特性分析。
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有機發光二極體用高分子奈米複合材料之光電性質研究

有機發光二極體用高分子奈米複合材料之光電性質研究

3.8 荷深層能階瞬間譜儀 (Q-DLTS) 研究 了進一步探討CdSe/ZnS量子點在元件中的特性,我們使用Q-DLTS 儀器來研究元件中的荷陷域,其計算理論在第二章已介紹過。Fig. 3-27 元件ITO/PEDOT/MEH-PPV/Al在施加△V= + 1V不同充時間下 的Q-DLTS圖譜,隨著充時間的增加,釋放出來的飽和的趨 勢。利公式可將圖譜分解成四個不同的波峰,分別標示Peak I、Peak II、Peak III和Peak IV,分解的圖譜顯示Fig. 3-28,四個不同的波峰即表 示至少四個不同的陷域(trap)存在元件中,接著利在不同溫度下所紀 錄的Q-DLTS圖譜,如Fig. 3-29 所示,即可計算出每一個陷域的參數,每 一個陷域隨著溫度改變而位移的圖譜分別列Fig. 3-30、3-31 和 3-32,利 第二章的公式( 3 ),從-ln (τT 2 ) v.s. 1/KT圖譜的斜率和截距可以得到活化 能E A 和陷域交錯區域σ,Peak I、Peak II和Peak III每一個陷域的arrhenius圖 形則分別表示Fig. 3-33、3-34 和 3-35,陷域密度N T 則是利每個波峰的 最大值而計算出來的,所有陷域的參數結果整理Table 3-7。
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多晶矽薄膜電晶體於主動矩陣式有機發光二極體顯示器之應用

多晶矽薄膜電晶體於主動矩陣式有機發光二極體顯示器之應用

求學過程幸賴許多師長朋友的協助,讓我得以度過挫折與困難。感謝吳逸蔚 博士、蔡耀銘博士及石安博士引領我進入以及低溫多晶矽薄膜的領域,讓我能在這方面全心投入研究。感謝昭宇、文源、瑋傑及勝捷在 實驗不厭其煩地指我,讓我在台的架設與使用,還學術知識裡獲得豐 富的知識,也讓我感受到歡樂的氣氛和誠摰的友情。此外,更賴許多朋友的精 神支持,甚或實質協助,我才能順利完成學業。感謝研究所學長宗閔、仲豪、豐 旭,同學乙白、克偉、郁芬、智中,裕國、均合、仁宇與企桓,因你們的陪伴 使我在新竹的歲月每天都能夠很開心,因你們使我的研究生活變得十分有 趣,掛一漏萬,可能尚一些未提及的朋友們,在此均一併致謝。
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有機發光二極體採用非晶態薄膜電晶體之驅動補償電路研究

有機發光二極體採用非晶態薄膜電晶體之驅動補償電路研究

Enhancement of OLED compensation pixel circuit using amorphous TFTs 研 究 生:聶建名 Chien-Ming Nieh 指導教授:劉柏村 教授 Dr.. Po-Tsun Liu 中華民國九十六年六月 中華民國九十六年六月 中華民國九十六年六月 中華民國九十六年六[r]

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時間解析光致電流應用在InGaN 發光二極體

時間解析光致電流應用在InGaN 發光二極體

A-2 -致螢原理 由材料的能階介與絕緣之間,一般子都是位 在價,若今天將一能量高能階的(通常是使用雷射)打向 樣品,則會部分子吸收光源能量後而躍遷至較高能階,隨後又會 掉至低能階,而掉落的過程其能量若以的形式釋放,此出的就 是致螢,圖 A-2。致螢是研究半材料時常被使用的非破 壞性量測技術,可以從其中了解到材料的能隙大小。而我們實驗是 800nm 的近紅外雷射來激 LED,由我們所量測到的影像大 部分是反射影像,故我們 NIR 的濾片來濾除反射,使我們 順利量測到致螢影像。
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增光膜於有機發光二極體之設計與應用

增光膜於有機發光二極體之設計與應用

黃乙白博士的專業意見指,使此論文得以更加完善。 在實驗室的日子裡,首先要感謝韋安琪學姐在實驗與專業知識的指與協助,樂 觀踏實的研究精神與時常誠心的祈禱,讓我能得以順利克服一關關的難關,更因而得到 2005 OPT學生論文獎,你是非常棒的Supervisor。而實驗室其他的學長姐們:鄭榮安博 士、李企桓、鄭裕國、莊喬舜、陳均合、楊柏儒、林泩宏、林芳正、陳予潔提供了許多 寶貴的經驗與意見,讓我受益匪淺。同時我要感謝俞文、映頻、佳峰、枝福、郡弘、子 怡、淑萍、琬琳、傳偉、亦智、耀中、卓至、哲仁、健翔及活潑可愛的學弟妹們,在課 業、研究與生活的幫助,陪我一起渡過這些日子。我也要特別感謝倪淑賢小姐、專班 助理佩璟、雅絃,平日點點滴滴的幫忙以及讓我能順利克服行政程序得以順利一年半 畢業。
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發光二極體列印頭驅動電路之設計

發光二極體列印頭驅動電路之設計

A Thesis Submitted to Department of Electronics College of Electrical Engineering and Computer Science National Chiao Tung University in partial Fulfillment of the Requirements for the D[r]

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石墨烯複合導電奈米纖維應用於超級電容之製作

石墨烯複合導電奈米纖維應用於超級電容之製作

1.5 超級容簡介與展 超級容簡介與展 超級容簡介與展 超級容簡介與展 自十八世紀工業革命後,對石油及煤礦等石化能源的依賴與日俱增,經 過日復一日的過度開採,使得石化能源的總量日漸短缺,然而提煉與燃燒的 同時,所產生的空氣污染也直接影響溫室效生與惡化,此,全 球各國家皆共識朝向低碳排放、永續生態且可再生的能源技術展。風 力、水力、地熱、潮汐、太陽能及生質能等再生能源的技術躍進,也帶動了 環保科技之動車及混合動車的誕生。然而天候陰晴不定,太陽無法終日 照耀,大氣運動所產生的風力也無法恆久穩定,如何效率地將再生能源分 配加以使用,「儲能系統」在其中即扮演著重要的角色,因此帶動了 儲能系統核心技術之超級容器和池的市場需求與技術展。
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應用光致電化學法製作高效率氮化鎵基發光二極體

應用光致電化學法製作高效率氮化鎵基發光二極體

鎂掺雜 p 型氮化鎵,至此完成主要結構。接下來 VTF-LED 製程步驟, 將 p 型氮化鎵利 Cr,Ag,Ni 等金屬在 350 度左右和矽基板接合,此即晶圓 接合技術(wafer bonding technique),接著雷射剝離技術(laser lift-off technique)將藍寶石基板去除,再 ICP dry etching 將未摻雜氮化鎵去除,以 及定義出 mesa 尺寸, 1mm x 1mm,至此 n-side up 的結構。優 點在將原本藍寶石基板置換成高熱性矽基板,可大幅降低時元件產生 的熱效問題,由熱性增加,因此可將元件做成 1mm x 1mm 大尺寸,同時注 入 流 也 能 有 所 提 升 。 在 元 件 製 完 成 後 我 們 化 學 氧 化 法 VTF-LED,汞燈強度 500 瓦,外加偏壓 10 伏特,在三種不同成長時間下觀察 氧化層成長之變化,以及量測其 L-I-V 特性圖。由 VTF-LED n-side up 結構,因此主動層放射之光子會經由 n 型氮化鎵表面逸散至結構外,因此 我們在 n 型氮化鎵表面成長厚度約 100 奈米氧化鎵以提昇 VTF-LED 外部出 效率,製流程如圖 4-1 所示。
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