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[PDF] Top 20 可切換頻帶式低雜訊放大器之設計

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可切換頻帶式低雜訊放大器之設計

可切換頻帶式低雜訊放大器之設計

... 此包含了一個輸入匹配電路,兩個共源級 放大器和使用來量測輸出緩衝器。 並且分析輸入匹配電路步驟[9],此對我們輸入 匹配電路很重要。 提出放大器擁有兩個使用 NMOS 當切電容開關負載以用來得到 ... See full document

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X頻帶接收器前端電路與E頻帶低雜訊放大器設計與實現

X頻帶接收器前端電路與E頻帶低雜訊放大器設計與實現

... 感謝已畢業的林益璋學長、施宏達學長、林繼揚學長、鍾懿威學長、周健平 學長,熱心的教導關於射電路的相關知識,以及在電路、模擬和晶片佈局 上寶貴的經驗,讓我戰鬥力大大的提升。感謝系辦的鄭琇文學姐幫我們處理大大 小小報帳的事情,蘇婷節助教在研究所期間課程、畢業相關的協助,以及葉嘉安 學長在實驗課的幫助、量測儀器的架,與各個軟體的伺服器建置,如果沒有你 ... See full document

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低功率、低電壓之超寬頻低雜訊放大器設計

低功率、低電壓之超寬頻低雜訊放大器設計

... 摘要 放大器在無線通接收前端電路扮演一個重要的角色,負責放大接收 天線後的微弱號並維持最小的為原則。功率消耗、寬輸入阻抗的匹配、 ... See full document

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使用串疊式設計之微波低雜訊放大器

使用串疊式設計之微波低雜訊放大器

... 此外因無線通備常常都是手持式,而在電池 技術還無法達到長久的持久性時,因此如何降電路 的耗電量就是相當重要的目標了。在本篇論文中,我 們使用一組電流鏡來降偏壓電流,進而達到消耗 功率,並且一符合802.11a的微波放大器。 ... See full document

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以堆疊式pHEMT架構設計L頻段低雜訊放大器

以堆疊式pHEMT架構設計L頻段低雜訊放大器

... 4 1.6GHz組件製作 4•1 1.6GHz兩級堆疊示架構放大器放大器及製作的中心率為1575 MHZ,零件及匹配電路大部份採用Discrete元 件,電路板為厚度31 mil FR4。圖10是兩級放大器模擬結果,模擬增益偏高,此問題尚待探 ... See full document

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應用於超寬頻系統之低雜訊放大器之設計

應用於超寬頻系統之低雜訊放大器之設計

... 5-GHz 無線區域網路高增益放 大器。此放大器使用達靈頓對兩倍截止特性來達到高增益目的。實驗結果顯 示此一放大器在 6GHz 率有著最高功率增益(S21) ... See full document

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應用於超寬頻系統之電流再利用低雜訊放大器、9-26GHz寬頻互補式電晶體低雜訊放大器之設計與研究

應用於超寬頻系統之電流再利用低雜訊放大器、9-26GHz寬頻互補式電晶體低雜訊放大器之設計與研究

... 致謝 能夠完成碩士這兩年的學業,首先我要先感謝我的指導老師周復芳博士,再這兩年的期 間總是能適時的給我關心以及指導,不僅讓我在射積體電路的領域上有很好的基 礎也讓我的心態與態度都有所成長。也感謝電子工程學系胡樹一教授給我一個機會能開 始 接 觸 如 何 放 大 器 以 及 論 文 口 試 ... See full document

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應用於802.11a與數位直播衛星的雙頻低雜訊放大器與可調式鏡像拒斥帶通濾波器之設計

應用於802.11a與數位直播衛星的雙頻低雜訊放大器與可調式鏡像拒斥帶通濾波器之設計

... 再則,MMR 寬濾波器的插入損失比起一般均勻平行耦合通濾 波器要得多,更適合與放大器作串接使用。 在電路實現方面,SIR 架構使用微線來實現電路,優點在於成 本廉、容易、可以應用於印刷電路技術。由一般均勻平行耦合 ... See full document

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應用於超寬頻系統之低雜訊放大器與混波器設計

應用於超寬頻系統之低雜訊放大器與混波器設計

... 本篇論文主要是利用標準 0.18µm CMOS 製程應用於超寬系統前端接 收器放大器和混波器積體電路。在第一顆晶片裡,適用於接收端超寬 ... See full document

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K頻帶互補式金氧半功率放大器設計

K頻帶互補式金氧半功率放大器設計

... 3.1 簡介 由於製程技術越來越先進,閘極長度越來越小而降低了電晶體崩潰電壓,限 制住了單顆電晶體輸出功率,因此為了提高輸出功率,功率結合是最常用的技術, 常見的功率結合技術有直接並聯結合(Direct Shunt combine)、Wilkinson 功率結合 器(Wilkinson Power Combiner)、90 度耦合器(90˚ coupler)、變壓器結合(Transformer ... See full document

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應用於Millimeter Wave 射頻接收機之CMOS低雜訊放大器與CMOS降頻器設計研究

應用於Millimeter Wave 射頻接收機之CMOS低雜訊放大器與CMOS降頻器設計研究

... LO 號為 17.5 GHz,將此段的號降到 0.1~8.8 GHz(IF 端)。該降器有將近 10 GHz 的 IF 寬,Conversion Gain 7dB,線性 度大於 8dBm(IIP3)。此外該降器會使用到兩個 Balun,分別將 RF 和 LO 號分 ... See full document

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2.4/5.8GHz利用被動混頻器設計低雜訊低功率接收機和HEMT 低雜訊放大器

2.4/5.8GHz利用被動混頻器設計低雜訊低功率接收機和HEMT 低雜訊放大器

... e-Taiwan 劃,台灣區電機電子工業同業無 線通聯盟及工業局無線通產業發展推動小組 共 同公布全國統一 的「公眾 WLAN(Wireless LAN 無線區域網路)上網標章」,以加 速推動產業的發展與應用。在 1999 年 ...ISM 段上數據傳輸速率 逹 54Mbit/s 的實體層,其有同時使用多 ... See full document

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應用於超寬頻無線射頻接收機之CMOS低雜訊放大器與混頻器設計與研究

應用於超寬頻無線射頻接收機之CMOS低雜訊放大器與混頻器設計與研究

... 國立交通大學電信工程學系碩士班 摘 要 本論文討論應用於超寬接收機的高電路且主要分為兩個主題探 討。其中第ㄧ主題是超寬放大器的分析和。第一主題中:探討兩種 ... See full document

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利用順向基極偏壓設計之低功耗低雜訊放大器

利用順向基極偏壓設計之低功耗低雜訊放大器

... 指數為 3.9 ~ 4.1 dB,輸入端反射係數和輸出端反射係數皆分別小於 -6.7dB 和 -5.8dB, 而 S12 皆小於 -27.3 dB。此超寬功耗放大器的功率消耗能有效降主要是利 用對電晶體使用順向基極偏壓技術來降臨界電壓進一步降 VDD 來達成。 ... See full document

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應用於無線網路之低電壓(0.7V)變壓器迴授低雜訊放大器與應用於超寬頻系統之低雜訊放大器之設計

應用於無線網路之低電壓(0.7V)變壓器迴授低雜訊放大器與應用於超寬頻系統之低雜訊放大器之設計

... 中文摘要 本論文的第一部份介紹電壓放大器電路方法,利用變壓器迴授來提升 輸入輸出的隔絕度取代原有的疊接的放大器架構。實作的放大器顯示其並 ... See full document

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雙頻帶鏡像抑制混頻器與小型低功率低相位雜訊壓控振盪器設計

雙頻帶鏡像抑制混頻器與小型低功率低相位雜訊壓控振盪器設計

... 綜合以上考量,本論文選擇超外差接收機架構。操作率分別訂在 2.5GHz、5.2GHz 主要給 WiFi 的應用,中定在 500MHz 則是除了提出的 鏡像抑制混器外,靠著架構本身的機制能達到抑制更多的鏡像。雙本 ... See full document

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V 頻帶CMOS低雜訊放大器設計與分析

V 頻帶CMOS低雜訊放大器設計與分析

... Wu, “A High Performance V Band Low Noise Amplifier Using Thin-film MicrostripTFMS Lines in 0.13um CMOS Technology,” Asia Pacific Microwave Conference 2010 [15] Bo-Jr Huang, Chi-Hsueh Wan[r] ... See full document

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直序式超寬頻無線射頻接收機之CMOS帶陷可調式低雜訊放大器設計與研究

直序式超寬頻無線射頻接收機之CMOS帶陷可調式低雜訊放大器設計與研究

... 刻意避開了 5~6G 的,達到降信號干擾的目地。電路架構上是先以兩個電 感所形成的 Transformer feedback,做第一級的輸入匹配,達到寬匹配與 抑制的效果,再於第一級的放大器後方加上一調陷濾波器,用來衰減干 ... See full document

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4-20GHz 超寬頻低雜訊放大器設計

4-20GHz 超寬頻低雜訊放大器設計

... Here, the novel wide-band feedback mechanism provided by the transistor’s intrinsic gate–drain capacitor will be analyzed in detail with both the derived input reflection coefficient and[r] ... See full document

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射頻低雜訊放大器與被動元件之實作與設計

射頻低雜訊放大器與被動元件之實作與設計

... Hsinchu, Taiwan, Republic of China.. Nowadays, an accurate inductor or transformer device model can really help for circuit designer due to its importance in RF circuit. Because high ga[r] ... See full document

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