[PDF] Top 20 新穎底部填膠材料對覆晶封裝可靠度之研究

... 的。而有限元素法可將複雜的工程結構，切割成ㄧ個個形狀簡單的小 單位元素，而對每ㄧ個小元素即可寫出其受力變形時的微分方程式。 根據有限元素法，將每個小原素拼接起來，加上原本結構的條件限制， 即可建立複雜工程結構的計算模型。隨著電腦功能不斷提高，有限元 素法可以處理更複雜更大量的結構問題。目前，有限元素法在線性結 構力學、溫度場和熱彈性變形分析、熱傳導、電磁場、流體場的計算 ... See full document

... IC 封裝廠實際量測之封裝體破壞數據作可靠 度統計分析，估算封裝體之破壞概率曲面，以作為各各 相關製程參數之調整與日後各類型封裝體研究改善的方 ... See full document

... 五、結果與討論 5-1 金鋁微接點之相變化 此次實驗中，可以明顯觀察到 Au-wire 與 Al-pad 接合處，其經時效熱處理後的介金屬 化合物層相變化，就如同前研究者的反應一 樣，如圖 1 所示，一開始是先出現 Au 5 Al 2 phase，而後會在 Au 5 Al 2 phase 上方生成 Au 4 Al 相，漸漸消耗 Au 5 Al 2 phase 完全轉成 Au 4 Al phase，因為 Au 擴散至 Au ... See full document

... (GIDL) , 還有改善了可靠度，這是因為此種新式結構薄膜電晶體可以降低橫向電 場。 接著，我們進行有關 P 型通道之多重通道(multi-channel)複晶矽薄膜電晶體 的研究。此種元件的電特性如導通電流，臨界電壓(threshold voltage)及次臨限擺 幅(subthreshold swing) ... See full document

... 2.3 可靠度概論 可靠度的觀念起始於二次大戰期間，德國在研製 V-1 火箭時，對於主要 設計理念已有系統強度決定其中最弱環節的觀念，而個別元件的良莠會直接 影響到整個系統的表現，所以在當時被視為相當重要的課題。自從 1952 年 美國電子設備可靠顧問團(AGREE)提出報告之後，其以對電子裝備進行研究 ... See full document

... 化學性侵蝕作業發生，以確保訊號與功能的傳送。所以說，IC 封裝即在保護 IC 晶 片，包括晶圓之晶片切割﹝Wafer Saw﹞、黏晶粒﹝Die Attach﹞、焊金線﹝Wire Bond﹞、封膠﹝Molding﹞、植錫球﹝Solder Ball ... See full document

... 誌謝 終於，兩年的碩士班研究生活，以此論文之告成，即將告一段落。在這兩年裡 首先要感謝張俊彥老師與張鼎張老師的細心指導實驗研究與論文上給予充分詳實的 指導與鼓勵，此外也讓我學到很多寶貴的知識和學問，也學到處理事情的態度和方 法，使我有想法與啟發。感謝我的家人，尤其是我的父親與母親，能在我求學的階 段提供給我莫大的幫助與鼓勵，讓我能無後顧之憂地順利完成學業。 ... See full document

... 再者，我要特別感謝王獻德學長與謝明山學長，學長在研究過程中都很熱心 地幫助我、指導我。尤其是在我徬徨無助、沮喪的時候，適時的拉我一把，讓我 能繼續堅持下去。另外還有實驗室的李名鎮學長、王哲麒學長、李宗霖學長、郭 柏儀學長、小強學長、建豪學長、楊紹明學長、小賢學長，感謝你們這些日子以 來的關心與指導。也要感謝志仰、家文、仁杰、柏浩、源竣、俊嘉、宗元、梓祥、 ... See full document

... 也很感謝實驗室的學長姐與同學提供各種實驗上的專業指導與觀念，在儀器上也給 予許多訓練，讓我在迷失研究方向時能快速找到解決方法。而實驗室的學弟提供許多娛 樂活動，讓我能在輕鬆的心情下完成研究。 特別感謝台灣漢高公司的韓志超先生，很慷慨的提供我紫外光膠，並且在這部份上 額外提供許多專業上的知識與建議。另外，交大奈米中心的徐秀鑾小姐提供詳細的離子 蝕刻參數與意見，使我能順利完成實驗。 ... See full document

... 低溫多晶矽薄膜電晶體變動性 之可靠度研究 Study of Reliability Variation for Low Temperature Polysilicon Thin Film Transistors.[r] ... See full document

... 正由於無焊錫凸塊排列其中，阻擋底膠流動的速度，因此若排列設計若不佳 容易造成外圍流速快，中間區域跟不上外圍速度，外圍的底膠在衝過頭後受到內 聚力的引響而回頭流動，造成底膠成一 C 字將中間空氣包起來，稱之為回包現象。 此回包現象會使得成品的強度減弱，對產品可靠度產生不良影響。本論文根 ... See full document

... 本論文研究分析中因為，在整個覆晶封裝的過程中，晶片、有 機基板、焊錫連接與底膠材料都是不同材質，因此這幾項材料的 熱膨脹係數(CTE)有著相當大的差異，當溫度出現變化時，會產生 不一致的熱膨脹效應使的整個封裝出現變形的現象，若針對基板 ... See full document

... 第一章 緒論 1-1 前言 電子產品在我們生活中已成為不可獲缺的物品，例如現今相當熱 門的無線通訊產品，因此造就了半導體產業的蓬勃發展，而要將矽或 砷化鎵等材料的積體電路製成晶片有一關鍵的技術，就是構裝技術 (圖 1-1)[1]。而隨著半導體製程技術的不斷改良下，使的這些構裝 體足以朝向短小輕薄 (圖 1-1)[2]，高輸出/輸入數，高可靠度及低 ... See full document

... iii 誌謝 感謝陳智老師這四年來的照顧，在博士班這段求學歷程中陳智老師讓我有很大的改 變，無論在專業領域的研究或是待人處世，都讓我獲益良多，老師更積極鼓勵與補助我 們出國參加研討會並拓展國際觀。更感謝陳智老師兩年的查經班的洗禮，讓我能體會到 尊重生命與懂得如何對家人付出更多的愛。並感謝饒達仁老師在實驗與論文上的指導， ... See full document

... 摘要 近年來，無線通訊與成像技術的快速發展，推動其頻率源朝向毫微米與次毫 微米波段，較大的傳輸頻寬、高傳輸速度與高解析度為這些頻率波段良好的特性， 為了實現這些應用，封裝技術扮演了非常重要的角色，不僅提供了晶片與基板的 傳輸途徑，還提供了散熱與保護的功能。在毫米波段的晶片層級封裝上，覆晶封 ... See full document

... 3. 請依學術成就、技術創新、社會影響等方面，評估研究成果之學術或應用價值 （簡要敘述成果所代表之意義、價值、影響或進一步發展之可能性，以500字 為限） 本研究採用晶格波茲曼法模擬射出成型的填充過程，不僅成功的利用自由表面 方法模擬塑料填充的過程，並利用自由表面方法結合被動標量模型，成功模擬 ... See full document

... Bake） 、曝光（Exposure）、顯影（Develop）和定影後，利用光學顯微鏡觀察圖 案之完整程度。微影製程實驗條件參數如表 3.1 所列；其中有幾項要點必須注意， 在旋塗光阻時，因所需旋塗厚度為微米級（50 µm 以上），故採用低轉速，但因 光阻黏度很大，因此光阻易聚集在邊緣，使邊緣的厚度高於帄均厚度，在軟烤時 會出現小氣泡（Edge Bead） ，此現象的發生，使得在曝光過程中，試片與光罩不 ... See full document

... 另外要感謝的是南茂科技公司對學生的研究全力支持，在材料準備、製 程檢驗、作業機台及可靠度測試設備的提供等，都能盡力滿足學生的需求， 使學生的研究得以順利完成。 有家人的支持，這個結果才別具意義。在此也要感謝我的牽手淑貞，在 學生忙碌於事業與學業間分身乏術之時，這期間家中恰巧發生了許許多多 ... See full document

... 老師培養我獨立思考的能力，並時常鼓勵我保持樂觀積極的態度來面 對種種的困境。另外，老師給我許多出國參與國際研討會的機會，這 些難得的機會不僅讓我和國際上知名學者有知識交流的機會，並可以 體驗到各國的風俗民情，更重要的是培養我的國際觀，寬闊我的視野。 ... See full document

... CiSP 結構設計 CiSP 其構想是將已磨薄 (~50 μm) 的 IC 晶片整合進入高密度的增層英文全名 (PCB) 基板中，其基本架構如圖一所示。 CiSP 之基 本精神在於省略晶圓凸塊製程，且因與 PCB 製程相容性高，故可順利與 PCB 增層製程 相結合，而在材料的選擇與製程技術方面， ... See full document