[PDF] Top 20 氟化非晶質碳膜之性質

... 本研究製作出 R = 0.98 成膜及退火後介電常數能達 1.5 及介電強度 超過 35 MV/cm 的非晶質氟化碳膜。而奈米孔(nanovoid)及 sp 2 /sp 3 鍵結 比例可被用來討論及闡述關於電性量測時觀察到膜的巨大電流跳躍及 電傳導現象。 ... See full document

... 類鑽碳膜為一類似鑽石結構的非晶質碳膜， 具有諸多優點，如原子級表面平整性、均勻性、高 硬度、高熱傳導、耐化學侵蝕、高電阻及紅外線穿 透性等[1] 。在電子元件上可作為電絕緣基材，當作 擴散障礙層。光學應用方面可製成光纖、紅外線穿 透材料、及塑膠鏡片的保護層。在機械方面因其具 ... See full document

... [2] 陳秋炳, 羅志平, “有機薄膜材料電荷傳遞性質之理論研究”, 清大博士論文, 2006. [3] Kittel, Introduction to solid state physics, 8 th ed., 2005. [4] 金惟國, 何家充, 陳坤暘, “Studies of polymer gate dielectrics in organic thin film ... See full document

... 4.2 SQUID 磁特性探討 為了能更加了解以及證實 MCD 與磁化率之間的關係，勢必需要 SQUID 數 據的協助，同樣地在這邊我們就[Co(3nm)/C(3nm)] 5 與[Co(3nm)/C(6nm)] 5 兩塊樣 品做磁特性相關的討論。為了能與本實驗室的 MCD 光譜儀相互配合且能一併討 論，在量測上的外加磁場選擇上，與 MCD 相同為垂直膜面的外加磁場。在考慮 ... See full document

... i 誌 謝 來到薄膜實驗室也已第四年，感謝華書老師從我大三那年進到實驗室之 後，這些年來以正向思考的方式積極鼓勵我們學習與進步，在這大學與碩士生 的研究學習中，不斷給予許多研究要領及方向。因為有老師的勉勵，也讓我意 識到這兩年的努力方向。因此在碩一開始接手了產學計畫後，開啟了工業製圖 與程式的學習，解決了產學專案的一些問題，初次完成了專利的撰寫。感謝沅 男與勳隆在產學計畫內的互相合作與幫忙，在互相分工的作業下，順利的將計 ... See full document

... Figure 1 shows carbon concentration of films changing with the sputtering pressure and the number of pieces of iron rods... The maximum is maintained in Fig.[r] ... See full document

... PEMFC 之流道，一方面可作為燃料氣體及反應產物 的傳輸通道，另一方面具有加濕、排水及散熱等功能。優 良的流道設計可增進燃料氣體穿越電極擴散層的對流與 擴散效應，並可降低流動阻力。圖 3 為傳統石墨雙極板在 Z = 3mm 之速度場，結果指出僅在流道四周才會有較均勻 的速度分布，但在肋條內部的流速為零。而圖 4 指出非均 ... See full document

... 以及國際原油投機客的刻意炒作造成石油在期貨市場的飆升。基本上，最 根本原始的問題就是能源的供給在長時間開發中或是已開發中國家為了追 求經濟發展之下已趨於匱乏，同時連帶也造成全球氣候暖化的變遷，也使 得全世界農作物產量比往年的平均水準來的低，因此屬於聯合國糧農組織 (FAO)的會員國將對其它各國的農作物出口開始設置上限，以維持自己國家 基本的民生需求，相對地將對其他無法自給自足的國家產生重大的民生威 ... See full document

... 本研究是應用 ATLAS 模擬軟體複晶矽異質結構太陽能電池中各非晶矽膜層厚度和能隙對於元件效率的影響。我們考慮各 層矽膜在同樣的缺陷密度的情況下，矽膜厚度及能隙的改變，使得開路電壓 (Voc) 和短路電流 (Jsc) 受到光吸收、電場與載 子複合的影響而有所改變，我們發現 i-layer 隨著能隙變化造成開路電壓 (Voc) ... See full document

... 圖 3 為 ZnTPP 單分子層之 π-A 等溫 線，藉由阻隔棒(barrier)壓縮，每分子 佔據面積減少，表面壓力逐漸增加， 等溫線中無明顯轉折點，一直至薄膜 崩潰為止。這是因為 ZnTPP 的環外取 代基只是四個短的苯基，整個分子層 中並無明顯的親水-疏水基的區別所造 成。而壓縮至更緊密時，表面壓並非 持平或急遽下降，而是持續增加，表 示整個分子層並非同時崩潰，而是一 邊崩潰一邊重排。 ... See full document

... 三、結果與討論 (1) 四氧化氟電漿前處理之準分子雷射複晶 矽薄膜電晶體: 首先我們在晶圓成長一層約 500 nm 的 氧化層，用來模擬玻璃基板。再用低壓化學 氣相沉積(LPCVD)爐管沉積 50 nm 的非晶 矽。以 KrF 準分子雷射退火(Annealing)將此 ... See full document

... 耗電量的種種優點，近年來已經漸漸地取代了傳統的陰極射線管 ﹙CRT﹚顯示器。主動矩陣液晶顯示器以往都是利用非晶矽薄膜電晶 體來當作畫素開關元件。然而如果要把週邊驅動電路一起整合到主動 矩陣的玻璃基板上，低溫覆晶矽薄膜電晶體肯定是唯一的選擇，這也 ... See full document

... 之阻抗( impedance ) ，.使聲援能自石英換能器傳入晶體內，於示披器上得到 完整的閱、波圖樣。在溫度 180 法~ 300 守主時，石英換能器與晶面之間只需塗上一 薄層管閏膏做中間材料即可。 測量:聲混在晶體內的速度時，將一方形波與岡按圖形同時展示在示波器上 o 調整方坡的頻率使方波數目與罔渡的數目相配合(成有理數之上的，利用 Hew­ lett Pac[r] ... See full document

... National Chiao Tung University In Partial. Fulfillment of the Requirement For the Degree of Master of Science[r] ... See full document

... 雖然非晶材料之吸放氫能力並不一定比結晶材料來的多，但因為沒有氫化物 的形成，就沒有氫化物所引起的塑性變形，使往覆充放氫的破壞得以減低。 所以 Spit 等人認為可以考慮利用合適的非晶材料來儲存氫。 大概十年前 Zhang 等人及 Peker 和 Johnoon 製造了 Zr 基的塊狀非晶合 ... See full document

... iv 誌謝 感謝眾人的支持與協助，得以完成本文。 首先感謝恩師 卓訓榮教授兩年來的指導及訓練，不管是在邏輯的建立或是 思考的方法上，卓老師都給予很大的啟發，使得學生能夠完成本篇論文。論文口 試之際，感謝韓復華教授與黃家耀教授在百忙之中抽空細審，提出許多建議和指 導，讓學生能夠再予思考並修改論文不足的地方，在此甚表謝意。 ... See full document

... Water - - cooled cooled Cu collector Cu collector Graphite Graphite Quartz tube Quartz tube Temperature: 1200 C (Furnace) Temperature: 1200 C (Furnace) He,. He, Ar Ar flow at 550 flow at[r] ... See full document

... 1.4 碳六十於太陽能電池上的應用 現今文明發展迅速，對於能源的需求量與日俱增，然而傳統的石化能源(石油、 天然氣與煤等)，因為長年大量開採，將很快面臨能源短缺危機，近年來油價節節 高漲就是個明顯例子。此外，使用石化能源也會造成環境汙染的問題，例如溫室 效應與酸雨等現象。因此，發展便宜、方便、無污染的替代能源已成為各界的共 識，希望能替地球盡一份心力，給下一帶更好的環境。無污染的再生能源主要有 ... See full document

... 實驗發現，將玻璃基板由水面下向上拉伸 時，ZnTPP/二十碳酸可轉移到基板上；但由上 往下浸入水中時，已沈積的 ZnTPP 分子會部 分脫落，重新分布在氣液界面上，因此，玻璃 基板無法作多層膜之沉積。造成此現象，可能 因為 ZnTPP 的環外只有四個短的 Phenyl 取代 基，缺乏明顯的親水端，以致 ZnTPP 和玻璃 基板之作用力較弱，而加入促進劑二十碳酸， ... See full document

... 摘要 複晶矽薄膜電晶體的效能受到元件通道中的晶粒邊界（Grain Boundaries, GBs）劇烈影響，這些晶粒邊界會降低載子遷移率並增加元件關閉狀態下的漏電 流。為了降低以上的效應，我們利用外加的熱儲存層（H-REC），來加大雷射退 火後的晶粒尺寸，以減少元件通道中的晶界數量。首先，我們使用數值分析的方 ... See full document