[PDF] Top 20 超薄氧化層n-MOSFET元件之低頻雜訊分析

... A Thesis Submitted to Institute Electronics College of Electrical Engineering and Computer Science National Chiao Tung University in Partial Fulfillment of the Requirements for the Degre[r] ... See full document

... 3-3. 雜訊量測 實驗的架構，如 (圖 3-6)所見。這是關於 1/f niose 基本的儀器架構，樣品與另外 兩個可變電阻形成電阻橋，我們會在這上面輸入一個交流電，當然也可以使用直流 電，但是目的以及結果並不相同，這部分之後會有說明，圖中的兩個電阻為可變電 阻，他的目的是讓我們可以調整此二電阻的大小，藉此達成𝑟 𝑎 : 𝑟 𝑏 = 𝑟 𝐴 : 𝑟 𝐵 ，當然因為電 ... See full document

... 最後，吾人探討在超薄氧化層 (15Å) 金氧半導體場效電晶體元件 中低頻雜訊的物理來源。根據研究結果，吾人提出一種由 valence band tunneling 所導致之低頻雜訊來源。在 strong inversion 的情形下，valence band ... See full document

... MOSFETs)延伸而來的。而維繞式 MOSFET 是我們所設計的另一種全新結構，它在從垂直方向完全不受到 STI 應力影響， 關鍵就是在於它完全在 width 方向避開了的 STI/OD 界面，並藉此改善低頻雜訊。 但是 在某些元件的量測結果顯示，我們無法從 STI 的應力解釋在極端狹窄的元件的反而有更 ... See full document

... 超薄閘極氧化層元件可靠性研究 Ultr a-thin Gate Dielectr ic CMOS Device Reliability 計畫編號：NSC 90-2215-E-009-069 執行期限：90 年 8 月 1 日至 91 年 7 月 31 日 主持人：汪大暉 國立交通大學電子工程學系 ... See full document

... 兩年的實驗室生活是精采豐富的，但同時也充滿了艱辛與汗水。在此同時我也要感 謝學長們的指導與提攜，他們使我建立了研究應有的態度，尤其是紹弘學長、前泰學長 與旻政學長，當我在學業上遇到挫折時，你們總是不斷的給予支持與鼓勵，使我能在研 究上無後顧之憂。而在日常生活上，感謝那些和我一起嚐遍酸甜苦辣的同學，包括又仁、 ... See full document

... Hsinchu, Taiwan, Republic of China.. Nowadays, an accurate inductor or transformer device model can really help for circuit designer due to its importance in RF circuit. Because high ga[r] ... See full document

... 之研究開發。探討新的電路架構與操作方法，以達 低秏功 率之目標。低雜 訊放大器 (LNA)與混頻器 (mixer)為兩個主要研究對象，其秏功率規格訂為 LNA+mixer<10mW，應用範圍為 ...5.2~5.8GHz 之無線 通訊。本計畫取得台積電 R&D 的 support，利用其 0.13 ... See full document

... C. 結果與討論 由前述的結果可知，高濃度電漿氮化 製程對 0.1 微米以下超薄氧化層元件的設 計上，仍有諸多的缺點。即使元件的漏電 流大幅度的被降低外，但是付出的代價除 了因為含了 Si 3 N 4 多氧化層缺陷的材料特 性外，另外也造成晶圓生產上因為電漿製 程傷害造成的良率/品質/電特性的分佈不 均﹔如何開發出一套新的高濃度電漿氮化 ... See full document

... 本研究報告將針對超薄氧化層絕緣層上覆矽金氧半場效電晶體中軟式 崩潰所引發之可靠性議題作一系列的探討。首先，在浮動基底極絕緣層上覆矽元 件中，吾人知道大量的基底漏電流所造成的基底電位的調變和所導致不可避免的 磁滯效應已被廣泛的討論。由於氧化層崩潰將增加基底極的穿隧漏電流，所以在 ... See full document

... Wu, “A High Performance V Band Low Noise Amplifier Using Thin-film MicrostripTFMS Lines in 0.13um CMOS Technology,” Asia Pacific Microwave Conference 2010 [15] Bo-Jr Huang, Chi-Hsueh Wan[r] ... See full document

... 本篇論文將針對超薄氧化層絕緣層上覆矽金氧半場效電晶體中 軟式崩潰所引發之可靠性議題作一系列的探討。首先，吾人探討超薄 閘極氧化層中直接穿隧區域的電荷傳輸機制。主要的閘極穿隧漏電流 可以分成源/汲極穿隧電流和基底極穿隧電流。在此吾人利用一套量 子化電荷傳輸機制來解釋源/汲極電流和用古典的電荷傳輸機制來解 ... See full document

... In this work, we demonstrate a method to extract RTN trap position both in vertical direction (channel surface to gate electrode) and lateral direction (source t[r] ... See full document

... 摘要 低雜訊放大器在無線通訊接收前端電路扮演一個重要的角色，負責放大接收 天線後的微弱訊號並維持最小的雜訊為原則。功率消耗、寬頻輸入阻抗的匹配、 雜訊指數和增益都是設計低雜訊放大器時的考量因子，然而這些考量因子之間彼 ... See full document

... 本論文提出適合用於超寬頻的低雜訊放大器。在元件的選擇上， 使用由 GCTC 所提供的異質接面雙載子電晶體( heterojunction bipolar transistor, HBT )。電路架構上，則採用達靈頓回授式放大器結構。除 了基本架構外，本論文另外提出三種衍生架構： ... See full document

... 穿遂效應等嚴重的問題，因此極需以高介電係數材料取代二氧化矽作為閘極絕緣 層，其中二氧化鉿就是目前被認為最有可能取代二氧化矽的材料。本實驗以鋁- 二氧化鉿-矽之 MIS 電容結構為分析元件，首先利用直流濺鍍法沉積鉿金屬於 P 型和 N 型矽基板上，所沉積的金屬鉿厚度為 20 ... See full document

... Acknowledgement 首先，我要感謝指導教授周復芳老師，在這兩年來的指導和關心，讓我在碩士學業 求學過程獲益良多。並且要感謝高銘盛教授讓我對通訊領域有相當多的了解，引領我進 入通訊工程的大門，另外要感謝鄭國華學長的耐心教導，尤其當我遇到困難總能給我鼓 勵和協助，並且指引了我研究方向，讓研究更有目標。 ... See full document

... 國立交通大學光電工程研究所 博士班 摘 要 在這本篇論文中，我們研究三個具超薄氧化層綠色電子元件，即兩個有機雙穩態元 件與一個金氧半太陽能電池。超薄氧化層除了可以幫助實現有機雙穩態的電阻態切換與 了解相對應的切換機制之外，也可以降低金半太陽能電池的逆向飽和電流而提升元件的 開路電壓。 ... See full document

... 收器之可調頻低雜訊放大器。第一顆晶片，設計適用於接收端超寬頻系統之可調 頻率放大器被設計與分析，利用柴比雪夫濾波器設計達到寬頻之輸入阻抗匹配， 利用電晶體可變電容來調變頻率。量測結果顯示可調變頻率範圍縮小，且操作頻 ... See full document

... 摘 要 兩個低雜訊放大器 (LNA) 被設計應用於超寬頻 (UWB) 與全球互運的微波存取 (Wi-MAX)。 所提出的應用於 UWB 無線接收機之雙頻帶低雜訊放大器有兩個可切換的頻帶。 此低雜訊放大 器分別可以操作在 3.1-5GHz 和 ... See full document