[PDF] Top 20 高介電係數介電質在金氧金電容之研究

... 高介電係數介電質於金氧金電容之研究 The Investigation of Metal-Insulator-Metal Capacitor Using High-κ as Dielectrics 研 究 生：江國誠 Student：Kuo-Cheng Chiang ... See full document

... 擇是我充滿未知的人生。 在此，我想感謝我的指導教授荊鳳德老師。在過去近五年中，荊 老師扮演著亦師亦友的角色。荊老師幫助我的不僅是學業，更多的是 在我碰到難關時給我極大的幫助。從老師身上看到的是學者與家庭的 典範。荊老師不僅在研究上提供我很好的舞台，也讓我在國內的學習 ... See full document

... 機械工程學系 摘要 隨著超大型積體電路技術的日新月異、元件尺寸的不斷縮微，為配合現今類 比、射頻通訊和記憶體元件的發展，金氧金電容(MIM)的研發是刻不容緩的。在 各種不同的被動元件中，金氧金電容經常被廣泛的應用在射頻電路裡的阻抗匹配 ... See full document

... 光電工程研究所博士班 摘要 由於以五苯(pentacene)為主動層之有機薄膜電晶體可廣泛的應用於無線射頻 身分識別標籤、邏輯電路、顯示器驅動元件、感測元件，因此五苯有機薄膜電晶 體成為世界上各研發單位的重要研究課題之ㄧ，且在元件性能上屢有重大的突破 ... See full document

... 矽(SiO 2 )將遭遇漏電流過大的物理限制。另外，傳統的多晶矽閘極也將遭遇諸多 挑戰-多晶矽空乏、硼穿透及高電阻係數。因此，新的絕緣層及閘極材料將是往 後幾年超大型積體電路(VLSI)發展極需解決的問題。近年來，高介電係數介電層 ... See full document

... ii 和低漏電流，所以使用此高介電質『氧化鋁鉭』。此高電容密度的電容可以有效 地減少在射頻積體電路上晶片的大小。除了高電容值密度外，我們還測得了氧化 ... See full document

... 誌謝 隨著論文的完成，學生生涯也要劃下句點了。回首這幾年，我首先要感謝我的指導 老師 崔秉鉞教授，老師在論文與研究上的諄諄教誨以及嚴謹認真的專業態度，總讓我 受益匪淺;而老師的熱心公益以及耿直的做人態度更是我學習的典範。 ... See full document

... 高介電常數介電質於金屬-絕緣層-金屬電容之電性研究 Study on Electrical Characteristics of High-κ Metal-Insulator-Metal Capacitors 研 究 生：簡俊全 Student：Chun-Chuan Chien ... See full document

... 的電特性及可靠度仍有顯著的影響。 在第六章中，我們仔細地分析高介電係數閘極介電層元件在動態的連續操作電 壓下，電荷捕捉/散逸效應對其電特性及可靠度之影響。我們發現在回復電壓不足 ... See full document

... 電子工程系電子研究所 摘要 由於矽積體電路元件尺寸的縮微，導致不斷的減少閘極氧化層的厚度。然 而，隨之而來的高閘極漏電流卻使電晶體的特性變差，並且使元件消耗的功率變 大。一個解決的辦法是以高介電常數介電質材料取代傳統熱氧化層，如此可以增 ... See full document

... 跟在學長身邊的兩年我學到了不只是技術，更多的是做人處事的道理，後者將會 是我未來數十年在社會上打滾時所奉行的金科玉律，如果沒有這兩年的磨練或許 我在社會上可能會走得更跌跌撞撞。在材料分析上我要感謝延儀學長和宏偉學長 的幫忙，深夜的歐傑分析有兩位陪伴都不會孤單。我同時也要謝謝我第一個合作 的外國朋友 Dang，真的很謝謝你與我討論分析數據，每次都能有很多心得。再 ... See full document

... 兆欽學長，謝謝你指導小劉成為可以獨立設計實驗、整理數據、找資料、以 及數據分析的能力。每次和你討論，我都有相當的收穫和震撼。另外，很謝謝你 的舞伴雲雲每次給我甜美的笑容和問候，讓我感到相當溫馨。 很感謝張老師以及簡老師兩個團隊的全體同胞，以及儀器中心的同仁！張老 師團隊裡美麗可愛的伊喬皇后、帥帥的宗熺學長、酷酷的宗霖學長、憨厚的漢譽 學長、時髦的文政學長、歡喜的聖懿學長、神秘又親和的心卉學姊、英挺的怡誠 ... See full document

... 致 謝 首先，我要感謝我的指導老師荊鳳德教授，他在這兩年中的熱心指導及諄諄教誨，使我 不僅在專業上有所精進，並得到了許多做人處事上的道理，在此表達我最由衷的感謝。 再來我要感謝實驗室的張立鳴學長以及張明峰學長，給予所許多儀器的訓練和實驗方面 的指導；並感謝建宏學長、存甫學長、淳護學長、士豪學長、迺超學長給我不時的指教， ... See full document

... 再來，我要感謝鄭淳護學長以及江國誠學長，謝謝你們對我在實驗儀器上的訓練以 及研究上所提供的意見和幫助，讓我得以順利的完成碩士學業。此外，軍宏學長、彬舫 學長、建宏學長、存甫學長以及實驗室的學長姊們，感謝你們對我的教導和鼓勵。 接下來我還要感謝的是實驗室的同學，俊全、懿範、偉倫、哲偉、俊賢、建弦。有 了你們，才讓我的研究生活充滿了歡樂與色彩，使我有動力繼續研究下去，感謝大家的 ... See full document

... 使用金屬閘極及高介電常數介電質在絕緣層上有 鍺電晶體之研究 The Investigation of GOI MOSFETs using Metal-gate electrodes and High-κ gate-dielectrics.[r] ... See full document

... 第二章 文獻探討 現今科技不斷的蓬勃發展，最近幾年，各式各樣的電子商品也不斷的推 陳出新，尤其是可以隨身攜帶的電子用品，像是筆記型電腦、手機、相機等 等，更是各家公司的發展重點，因此對於產品微小化的發展，已經是一個明 確的趨勢。但在不斷縮小元件的同時，實用性以及效能將會是須要研究的問 ... See full document

... 其次，經由模擬工具將高介電常數材料做為堆疊式快閃記憶體的複晶矽層 間介電層和穿隧介電層，並討論其對快閃記憶體寫入／抹除的效率。模擬結果指 出利用高介電常數材料取代傳統堆疊式快閃記憶體中的氧化層－氮化層－氧化 ... See full document

... 電子工程學系 電子研究所碩士班 摘 要 對於金絕金電容而言，尺寸的微縮可以減少晶片的大小和 類比與射頻電路的成本。為了達到高電容密度與低漏電流密度 的目標，高介電係數材料的需求是必要的。金絕金電容是利用 ... See full document

... 材料的原因 在製程尺寸微縮的壓力之下， 氧化層的厚度也快速的下降，導致漏電流和可靠 度的問題愈趨嚴重。為了兼顧提高電容值以及降低漏電流，高介電常數介電質已被廣 泛接受做為解決氧化層的物理厚度下降的方法，使得電容在微縮的尺寸下能維持所需 ... See full document

... 手提裝置理念產生衝突。為了獲得較低的操作電壓，金屬閘極將會取代傳統複晶矽閘極。 在本篇論文中，我們改善金屬矽化物─高介電常數介電質─半導體場效應電晶體的 電性。在實驗中我們獲得了好的特性，P(N)型電晶體等效功函數 ... See full document