[PDF] Top 20 高介電常數閘極介電質熱氧化氧化鋁在金氧半電晶體的電性及應用
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高介電常數閘極介電質熱氧化氧化鋁在金氧半電晶體的電性及應用
... 出一種簡單的沈積介電質的方法，為了避免任何製程在氧化鋁上引起缺陷，先利 用物理氣相沈積的方式蒸鍍金屬薄膜，再將其氧化及退火。在我們研究中，我們 ... See full document
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高介電係數閘極介電層在金氧半電晶體中之電特性及其可靠度研究
... 的電特性及可靠度仍有顯著的影響。 在第六章中，我們仔細地分析高介電係數閘極介電層元件在動態的連續操作電 ... See full document
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應用在金氧半電晶體之原子層沉積氧化鋁與砷化銦鎵、砷化銦介面之研究
... MOSCAPs 的電性指出對於改善 Al 2 O 3 /InAs 介面品質 HCl 加上 TMA 比起 sulfide 加上 TMA 是更有效果的。這個結果是由以下實驗觀察所得：ALD Al 2 O 3 薄膜在 200 。 C 下沉 積。300 。 C 下沉積 ALD Al 2 O 3 薄膜再次驗證。同時本研究模擬 Al 2 O 3 ... See full document
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使用完全矽化閘極-高介電常數介電質之低臨界電壓金氧半電晶體
... 致 謝 首先，我要感謝我的指導老師荊鳳德教授，他在這兩年中的熱心指導及諄諄教誨，使我 不僅在專業上有所精進，並得到了許多做人處事上的道理，在此表達我最由衷的感謝。 再來我要感謝實驗室的張立鳴學長以及張明峰學長，給予所許多儀器的訓練和實驗方面 ... See full document
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原子層沉積高介電係數氧化鋁閘極介電層之鍺金氧半場效電晶體電物性研究
... 兆欽學長，謝謝你指導小劉成為可以獨立設計實驗、整理數據、找資料、以 及數據分析的能力。每次和你討論，我都有相當的收穫和震撼。另外，很謝謝你 的舞伴雲雲每次給我甜美的笑容和問候，讓我感到相當溫馨。 很感謝張老師以及簡老師兩個團隊的全體同胞，以及儀器中心的同仁！張老 ... See full document
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高含氮氧化層介面層於二氧化鉿閘極介電層之金氧半場效電晶體特性研究
... 我們提出了創新的製程，使得在二氧化鉿閘極介電層與氮氧化矽介面層的 介面上擁有高含量的氮元素，更能有效的去抵擋硼的擴散。形成此堆疊式閘極介 ... See full document
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具有氧化物閘極介電層之氮化鎵/氮化鋁鎵： 金屬-氧化物-半導體閘極結構之高電子遷移率電晶體
... Ruska 在 1931 年所造。穿透式 電子顯微鏡（TEM）是電子束通過一個超薄樣品，通過時與試樣交互 作用的一種顯微技術。由於電子的德布羅意波長小，TEM 比起光學 顯微鏡能夠有更顯著的成像、更高的分辨率。TEM 在癌症研究，病 ... See full document
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超薄電漿氮化氧化層與高介電常數氧化鉿於閘極介電層之研究
... 誌 謝 首先，我要向我的指導教授張俊彥校長致上最高的敬意與謝意。 感謝老師在這些年的學習生涯中給予我極大的研究空間及支持，使我 能順利的完成博士學位，同時從他身上也習得許多待人處世應對進退 ... See full document
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具有高介電質閘極氧化層(二氧化鉿、氧化鑭)之三五族金氧半電容其電性提升之研究
... 法獲得低缺陷的界面品質。藉由嵌入一層熱穩定的二氧化鉿形成層狀堆疊的閘極 介電層可改善介面問題並提升元件的電容值，並在具有高銦含量的電容上顯示出 ... See full document
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氮氧化層及高介電常數介電層在金氧半元件及快閃記憶體上之特性研究
... 上的應用結果卻截然相反。由於採用高介電常數材料做為穿隧介電層會降低閘極 的電壓藕合率（gate coupling ratio） ，利用 Fowler-Nordheim ... See full document
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在鍺通道金氧半場效電晶體上使用後沉積氧化製造二氧化鉿/三氧化二鋁/氧化鍺/鍺之閘極介電層堆疊結構的研究
... 政庭學長，感謝你在這兩年來的幫忙與指導，一直幫我解決實驗上遇到的問 題，沒有你的幫忙，這些電容、元件是不可能做出來的，在這裡衷心的感謝你， 也希望你接下來的實驗一切順利。哲偉學長，總是拿一些奇怪的東西問你，你也 ... See full document
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具有高介電閘極氧化層之增強型氮化鋁鎵/氮化鎵金屬：氧化物-半導體異質場效電晶體研製與分析
... )來得知介電層與半導體之間的介面品 質，介面狀態密度(D it )常見之計算方法為高/低頻電容法，用高/低頻 電容法計算出介面陷阱密度，介面陷阱(Q it )隨著閘極偏壓改變而改 ... See full document
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二氧化鉿與氧化鋁鉿之堆疊式閘極在金氧半場效電晶體上的特性研究
... 國立交通大學 電子工程學系 電子工程所 摘 要 隨著金氧半場效電晶體尺寸的微縮，傳統的閘極介電質-二氧化矽-厚度微縮 到 1 到 ... See full document
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高介電常數氧化鐠閘極介電層與新穎結構於複晶矽薄膜電晶體之研究
... 礪及生活上的協助。感謝曾經一起打拼的學弟，國源、哲綸和宏仁，在實驗上的協助 及數據量測上的分析和討論，才能使研究更順利，此論文是我們一起努力的成果。感 謝薄膜與量測實驗室的其他夥伴們，小馬、俊嘉、宗元、源竣、梓翔、伯浩、統億(中 國功夫傳人)、錦石、文呈(大師弟)、仕傑(三師弟)、久騰、明爵、庭圍、文瑋、文彥 ... See full document
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金屬閘高介電n型金氧半場效電晶體及鰭式電晶體閘極電子穿隧電流的精確模擬
... 電子在各個能帶中擁有的能量公式需要被修正。藉由改變曲線擬合因數，修正後 應用於雙層閘集結構的模型對於不同基底厚度依然成立。將滿足修正變數線性方 程式中的基底厚度改變，只要知道基底厚度，修正變數就能夠被確定。 ... See full document
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鋯掺入極薄氧化釔高介電係數閘極介電層之效應
... 元件物理、半導體製程、統計學等課，老師以深入淺出的方式將艱深的理論 化做簡單的話語且有系統的教導我，讓我每每在上完課，都意猶未盡。老師 除了教導我課程上的專業知識外，我還從老師身上學到許多待人處世的哲學 ... See full document
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製備合成氧化物在互補式金氧半閘極介電層及自旋電元件應用之研究
... 行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告 製備合成氧化物在互補式金氧半閘極介電層及自旋電元件應用之研究 Deposition and Characterization of Compound Oxide Films for High- κ ... See full document
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應用超臨界流體於氧化鋁閘極介電層有機薄膜電晶體之研究
... 有你們的照顧與協助才能讓我獲得更多的知識。還有要感謝與我相互扶持與合作 的周誼明同學，以及一起奮鬥的林曉嫻同學、詹長龍同學及陳勝昌同學，讓我在 作實驗的時候並不會感到孤單，而且提供我許多良好的建議。同時，我也要感謝 所有的實驗室成員—竹立煒、陳思維、郭豫杰、蔡尚祐、張繼聖、鄭逸立、陳巍 ... See full document
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高介電係數介電質於五苯有機薄膜電晶體及金氧半場效電晶體之研究
... 身分識別標籤、邏輯電路、顯示器驅動元件、感測元件，因此五苯有機薄膜電晶 體成為世界上各研發單位的重要研究課題之ㄧ，且在元件性能上屢有重大的突破 ... See full document
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