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[PDF] Top 20 III-V族化合物半導體-在光電元件中的應用

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III-V族化合物半導體-在光電元件中的應用

III-V族化合物半導體-在光電元件中的應用

... 國立彰化師範大學 科技研究所 III-V 化合物絕大部分屬於直 接能隙,不同於間接能隙之矽 。所謂直接能隙則指子從帶底 ... See full document

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二六族半導體奈米材料之製備與其在有機光電元件之應用

二六族半導體奈米材料之製備與其在有機光電元件之應用

... 是故以此自我期許也! 人生就像是馬拉松,當你選定了什麼樣目標,就要努力去付出與享受整個過 程.一路走來, 苦樂酸甜 ~ 回首五年,承蒙諸多人幫助。也因為王崇人教授,嚴謹 周密研究態度,啟發了我對學術研究興趣。 ... See full document

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光纖通訊應用光電元件製作及數值模擬-子計畫四:含氮化
合物半導體的磊晶成長與元件應用

光纖通訊應用光電元件製作及數值模擬-子計畫四:含氮化 合物半導體的磊晶成長與元件應用

... 本研究,我們經由採取高銦含量量子井 方式後降低所須摻入之氮濃度後,已成 功達成室溫工作 1.3µm雷射放之目標 氮砷化銦鎵量子井雷射,且其雷射元件特 性上也有不錯表現。氮砷化銦材料 研究上,我們成長一系列井寬 3 nm、不 同氮含量氮砷化銦/砷化銦鎵量子井結 ... See full document

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奈米結構光電元件之研究─子計畫三:三五族半導體量子點之成長與元件應用

奈米結構光電元件之研究─子計畫三:三五族半導體量子點之成長與元件應用

... InGaAs/GaAs 量子點結構,突破了 GaAs 基板上成長 InGaAs/GaAs 量子井 限制,將發光波長延伸至 1.3 µm,因此可 望纖通訊上有重要。我們將 MBE 成長 InAs/GaAs 量子點,繼而延伸至 發光波長 1.3 µm InGaAs/GaAs 系統。 ... See full document

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氧化鋅薄膜在光電元件上的應用與研究

氧化鋅薄膜在光電元件上的應用與研究

... 實驗室方面,我要特別感謝泓緯學長實驗上協助及研究上,也感謝學姊美娜、學長富彥、雅喨、世青、阿飛、峰哥、大郭、小伯等 學長我研究過程給予建議與鼓勵,讓我對研究有更深了解。更感謝我 可愛團員:阿毛、阿敏、一姐、便便及信淵,讓我堅信團隊所創造果實是 ... See full document

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光控制自聚性矽/鍺量子點在光電元件上的應用

光控制自聚性矽/鍺量子點在光電元件上的應用

... 感謝朱旭新老師、洪德昇學長、何彥政學長,我中大架期間給我很 多學知識上。還有徐成豪工程師、翁士傑學長、林煥庭學長、郭家民學 長、楊棨翔學長、魏敏生學長與一起架陳廷豪、張凱棋,你們真幫了很 大忙。然後感謝中大區林洛瑩學姊、陳昊、蘇堡銓、陳思旻、劉忠翰、張懷 ... See full document

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應用在Ku波段之氮化鎵族化合物半導體之高功率電子元件製作及其高頻特性量測分析

應用在Ku波段之氮化鎵族化合物半導體之高功率電子元件製作及其高頻特性量測分析

... 家重點發展計劃。目前國內砷化鎵高頻微波元件之製作上已趨成熟,但氮化鎵僅 元件上有較多研究,元件方面不僅磊晶結構成長有待開發,連製程方面都和砷 化鎵有所不同,尤其是氮化鎵化學穩定性高,使得蝕刻成為一大困難,加上子束直寫 ... See full document

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晶片黏貼技術應用於三/五族化合物半導體元件效率提升之研究

晶片黏貼技術應用於三/五族化合物半導體元件效率提升之研究

... 化鋁銦鎵二極元件,前部份是利用膠合黏貼與溼蝕刻技術,將傳統吸熱差砷化鎵基板以高透光藍寶石基板取代,並以高溫濕蝕刻方式將藍寶石基板側 壁做非等相性蝕刻,此具有基板側壁元件將可以大幅增加淬取效率,另外考量 ... See full document

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奈米結構光電元件之研究-子計畫一:含銻化合物半導體光電元件技術之研究

奈米結構光電元件之研究-子計畫一:含銻化合物半導體光電元件技術之研究

... 具有第二型(type-II)帶排列形式 異質接面,由於其發光波長能較個別 材料來得更長,使得其長波長方面 極具價值,故近年來十分受到重 視。而銻砷化鎵/砷化鎵量子井本身為一 ... See full document

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半導體兆赫波發射元件之研究(III)

半導體兆赫波發射元件之研究(III)

... 最後提出一點有趣現象。由圖一和圖三 我們發現對於G系列譜線和C系列譜線某 些分量,即使其為偶極允許躍遷,某些 特定力下這個躍遷會變成是禁止。且須 要外加力小於 0.3kBar。這暗示我們或許 可以利三價鍺這些特定能階間躍遷來 ... See full document

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新穎光電半導體材料、奈米微細結構及其元件構造之光學特性研究(II)(III)

新穎光電半導體材料、奈米微細結構及其元件構造之光學特性研究(II)(III)

... 面 譜 主 要 是 量 測 對 不 同 波 長 入 射 伏 打 效 ( photovoltaic response)。 50 年代已被證實為具非接觸式量測技術,相繼 70 及 80 年代有 ... See full document

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半導體量子光電元件之研究(III)

半導體量子光電元件之研究(III)

... Figur e 13. TEM image of the GaAs quantum anti-dots in InAs matr ix 2.7 Resonant Tunneling thr ough Quantum Dots Resonant tunneling is one of the most fundamental quantum phenomena to be observed in any quantum ... See full document

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三五族半導體光電材料及元件之研究(I)

三五族半導體光電材料及元件之研究(I)

... 學 機 工 程 學 系 一 、 中 文 摘 要 本計畫研究包括低含氮砷化銦量子井與 砷化銦鎵量子點兩項成長技術。低含氮 材料部分,我們使用射頻漿氮氣源輔 助之氣態源分子束磊晶法,成功地於磷化 銦基板上成長氮砷化銦/磷砷化銦鎵多層 量子井。X 繞射顯示加入少量氮可減 ... See full document

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三五族化合物半導體晶圓接合之基本研究及應用

三五族化合物半導體晶圓接合之基本研究及應用

... A Thesis Submitted to Department of Material Science and Engineering College of Engineering National Chiao Tung University in partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Do[r] ... See full document

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半導體奈米物質在發光元件上的應用及高排列性之半導體奈米線的製作

半導體奈米物質在發光元件上的應用及高排列性之半導體奈米線的製作

... 計畫參與人員:研究生: 余敏源 陳俊和 李勇志 葉怡 君 蘇雅雯 李奕成 郭聰榮 楊正義 鍾順宏 本成果報告包括以下繳交之附件: l 出席國際學術會議心得報告及發表之論文各一份 執行單位:國立台灣師範大學化學系 ... See full document

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二六族化合物半導體及奈米結構的光學性質

二六族化合物半導體及奈米結構的光學性質

... 感謝褚德三教授將珍貴實驗儀器留給我們,讓我能順利完成這本論文。雖然與您 討論次數不多,但是您淵博學問與豐富人生經驗卻一直是我尊敬與學習目標。我 也要感謝楊賜麟教授、原物理系邱寬城教授與沈志霖教授對我論文建議,以及對我 多年來照顧,讓我能順利完成學業。感謝成大地科系余樹楨教授高壓技術、觀念及 ... See full document

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氮化鎵族化合物半導體之高功率電子元件製作及其高頻特性量測分析

氮化鎵族化合物半導體之高功率電子元件製作及其高頻特性量測分析

... Hotel Sawtooth Room 舉行。我們參加是: ”State-of-The-Art Program on Semiconductiors XXXVII”,會議內容主要分成三個大 主,分別為氮化鎵元件、砷化鎵元件與三五輔助化學濕式蝕刻。與會人 ... See full document

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三五族半導體發光元件結構優化之研究

三五族半導體發光元件結構優化之研究

... 育德、意蓉、佳萍、僑宴、琇圓、正斌、乾森,以及海德威子謝文昇副總、 Joe、 James、Lynn、Ricky,謝謝你們三年來陪伴。學校生活,特別感謝黃根生 博士以及余長治、賴芳儀、張亞銜、薛道鴻學長姐們學業、學術研究上幫助 ... See full document

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半導體量子環和其在自旋電子元件之應用(I)

半導體量子環和其在自旋電子元件之應用(I)

... 行政院國家科學委員會專題研究計畫期中(第一年)報告 量子環和其自旋元件 (1/3) Semiconductor quantum rings and its application on spintronics 計畫編號:NSC 93-2215-E-009-034 執行期限:93 年 8 月 1 日至 94 年 ... See full document

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半導體量子環和其在自旋電子元件之應用(II)

半導體量子環和其在自旋電子元件之應用(II)

... Further shift in emission peak to higher energy is observed for sample III, which was annealed at 470℃, due to further reduction in the height of the dots as rings are formed. Again two peaks are seen. The larger ... See full document

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