Top PDF III-V族化合物半導體－在光電元件中的應用

III-V族化合物半導體－在光電元件中的應用

... 國立彰化師範大學光電科技研究所 III-V 族化合物半導體絕大部分屬於直接能隙半導體，不同於間接能隙之矽半導體。所謂直接能隙半導體則指電子從導帶底 ...

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二六族半導體奈米材料之製備與其在有機光電元件之應用

... 是故以此自我期許也！人生就像是馬拉松，當你選定了什麼樣的目標，就要努力的去付出與享受整個過程.一路走來, 苦樂酸甜 ~ 回首五年，承蒙諸多人的幫助。也因為王崇人教授，嚴謹周密的研究態度，啟發了我對學術研究的興趣。 ...

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光纖通訊應用光電元件製作及數值模擬-子計畫四:含氮化合物半導體的磊晶成長與元件應用

... 本研究中，我們經由採取高銦含量量子井的方式後降低所須摻入之氮濃度後，已成功達成室溫工作 1.3µm雷射放光之目標的氮砷化銦鎵量子井雷射，且其雷射元件特性上也有不錯的表現。在氮砷化銦材料的研究上，我們成長一系列井寬 3 nm、不同氮含量的氮砷化銦/砷化銦鎵量子井結 ...

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奈米結構光電元件之研究─子計畫三:三五族半導體量子點之成長與元件應用

... InGaAs/GaAs 量子點結構，突破了在 GaAs 基板上成長 InGaAs/GaAs 量子井的限制，將發光波長延伸至 1.3 µm，因此可望在光纖通訊上有重要應用。我們將用 MBE 成長 InAs/GaAs 量子點，繼而延伸至發光波長在 1.3 µm 的 InGaAs/GaAs 系統。 ...

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氧化鋅薄膜在光電元件上的應用與研究

... 在實驗室方面，我要特別感謝泓緯學長在實驗上的協助及研究上的指導，也感謝學姊美娜、學長富彥、雅喨、世青、阿飛、峰哥、大郭、小伯等學長在我研究過程中給予建議與鼓勵，讓我對研究有更深的了解。更感謝我可愛的團員:阿毛、阿敏、一姐、便便及信淵，讓我堅信團隊所創造的果實是 ...

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光控制自聚性矽/鍺量子點在光電元件上的應用

... 感謝朱旭新老師、洪德昇學長、何彥政學長，我在中大架光路的期間給我很多光學知識上的指導。還有徐成豪工程師、翁士傑學長、林煥庭學長、郭家民學長、楊棨翔學長、魏敏生學長與一起架光路的陳廷豪、張凱棋，你們真的幫了很大的忙。然後感謝中大區的林洛瑩學姊、陳昊、蘇堡銓、陳思旻、劉忠翰、張懷 ...

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應用在Ku波段之氮化鎵族化合物半導體之高功率電子元件製作及其高頻特性量測分析

... 家重點發展計劃。目前國內在砷化鎵高頻微波元件之製作上已趨成熟，但氮化鎵僅在光電元件上有較多的研究，電子元件方面不僅磊晶結構成長有待開發，連製程方面都和砷化鎵有所不同，尤其是氮化鎵化學穩定性高，使得蝕刻成為一大困難，加上電子束直寫 ...

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晶片黏貼技術應用於三/五族化合物半導體元件效率提升之研究

... 化鋁銦鎵的發光二極體元件，前半部份是利用膠合黏貼與溼蝕刻的技術，將傳統吸光且導熱差的砷化鎵基板以高透光的藍寶石基板取代，並以高溫濕蝕刻方式將藍寶石基板側壁做非等相性蝕刻，此具有基板側壁導角的元件將可以大幅增加光淬取效率，另外考量 ...

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奈米結構光電元件之研究-子計畫一:含銻化合物半導體光電元件技術之研究

... 具有第二型(type-II)帶排列形式的半導體異質接面，由於其發光波長能較個別材料來得更長，使得其在長波長應用方面極具應用價值，故在近年來十分受到重視。而銻砷化鎵/砷化鎵量子井本身為一 ...

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半導體兆赫波發射元件之研究(III)

... 最後提出一點有趣的現象。由圖一和圖三我們發現對於Ｇ系列譜線和Ｃ系列譜線中某些分量，即使其為電偶極允許的躍遷，在某些特定的應力下這個躍遷會變成是禁止的。且須要外加的應力小於 0.3kBar。這暗示我們或許可以利用三價鍺中這些特定能階間的躍遷來 ...

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新穎光電半導體材料、奈米微細結構及其元件構造之光學特性研究(II)(III)

... 面光電壓光譜主要是量測半導體對不同波長入射光的光伏打效應（ photovoltaic response）。在 50 年代已被證實為具非接觸式的量測技術，相繼的在 70 及 80 年代有 ...

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... Figur e 13. TEM image of the GaAs quantum anti-dots in InAs matr ix 2.7 Resonant Tunneling thr ough Quantum Dots Resonant tunneling is one of the most fundamental quantum phenomena to be observed in any quantum ...

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三五族半導體光電材料及元件之研究(I)

... 學電機工程學系一、中文摘要本計畫的研究包括低含氮砷化銦量子井與砷化銦鎵量子點兩項成長技術。在低含氮材料的部分，我們使用射頻電漿氮氣源輔助之氣態源分子束磊晶法，成功地於磷化銦基板上成長氮砷化銦/磷砷化銦鎵多層量子井。X 光繞射顯示加入少量的氮可減 ...

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三五族化合物半導體晶圓接合之基本研究及應用

... A Thesis Submitted to Department of Material Science and Engineering College of Engineering National Chiao Tung University in partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Do[r] ...

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半導體奈米物質在發光元件上的應用及高排列性之半導體奈米線的製作

... 計畫參與人員：研究生: 余敏源陳俊和李勇志葉怡君蘇雅雯李奕成郭聰榮楊正義鍾順宏本成果報告包括以下應繳交之附件： l 出席國際學術會議心得報告及發表之論文各一份執行單位：國立台灣師範大學化學系 ...

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二六族化合物半導體及奈米結構的光學性質

... 感謝褚德三教授將珍貴的實驗儀器留給我們，讓我能順利完成這本論文。雖然與您討論的次數不多，但是您淵博的學問與豐富人生經驗卻一直是我尊敬與學習的目標。我也要感謝楊賜麟教授、中原物理系邱寬城教授與沈志霖教授對我論文的建議，以及對我多年來的照顧，讓我能順利完成學業。感謝成大地科系余樹楨教授在高壓技術、觀念及 ...

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氮化鎵族化合物半導體之高功率電子元件製作及其高頻特性量測分析

... Hotel 的 Sawtooth Room 舉行。我們參加的是: ”State-of-The-Art Program on Semiconductiors XXXVII”，會議內容主要分成三個大主體，分別為氮化鎵族元件、砷化鎵族元件與三五族光電輔助化學濕式蝕刻。與會的人 ...

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三五族半導體發光元件結構優化之研究

... 育德、意蓉、佳萍、僑宴、琇圓、正斌、乾森，以及海德威電子謝文昇副總、 Joe、 James、Lynn、Ricky，謝謝你們三年來的陪伴。在學校生活中，特別感謝黃根生博士以及余長治、賴芳儀、張亞銜、薛道鴻學長姐們在學業、學術研究上的幫助 ...

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半導體量子環和其在自旋電子元件之應用(I)

... 行政院國家科學委員會專題研究計畫期中（第一年）報告半導體量子環和其在自旋電子元件之應用 (1/3) Semiconductor quantum rings and its application on spintronics 計畫編號：NSC 93-2215-E-009-034 執行期限：93 年 8 月 1 日至 94 年 ...

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半導體量子環和其在自旋電子元件之應用(II)

... Further shift in emission peak to higher energy is observed for sample III, which was annealed at 470℃, due to further reduction in the height of the dots as rings are formed. Again two peaks are seen. The larger ...

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