實驗構想：
於有機層 P3HT 上塗佈一層 PS 奈米小球，使其均勻分布後，利用其當作 RIE 蝕刻 之遮罩，蝕刻出指狀結構，再以 PCBM 塗佈於 P3HT 之指狀結構上，將之製作成元件，
流程構想如圖 33。
圖 33 以奈米小球製作指叉狀結構構想流程圖
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ITO/PEDOT：PSS/P3HT/PS 球 實驗條件：
ITO 表面處理
UV-Ozone，15min PEDOT：PSS
型號：AI4083
成膜：spin，2000rpm，40s
退火：200°C，15min，大氣
膜厚：約 40nm P3HT
溶液配製：1.5wt%溶於 Chlorobenzene
成膜：spin，5000rpm，40s
Rinse：spin，by Xylene，7000rpm，30s PS
型號：負電 200nm
溶液配製：0.4wt%溶於乙醇
塗佈：浸泡小球溶液 60s，以乙醇沖洗表面，浸泡沸騰之異丙醇(220°C)10s，以 壓力為 25kg/cm2氮氣槍平行於表面吹乾。
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實驗結果：
電子顯微鏡拍攝如圖 34
圖 34 小球分佈之 SEM 影像 結果討論：
可以成功塗佈小球於 P3HT 有機層，但若需達到指叉狀結構之效果，須提高小球分佈的 密度，而此次實驗分布不密集之原因可能為吹拂氮氣時，氣體壓力過大，將未附著之小 球吹離，或是以乙醇、異丙醇沖洗過程中，操作過程中施力過猛，造成尚未付著之小球 被沖刷掉，因此，往後將把壓力降低，並注意沖洗的順暢性，再嘗試以 RIE 進行蝕刻。
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實驗二：以 RIE 蝕刻之膜厚測試 實驗動機：
為了於 RIE 蝕刻能精準掌握 RIE 向下蝕刻之深度，因此預計以不同條件蝕刻 P3HT 表面，
探討其蝕刻之厚度。
實驗結構：
ITO/PEDOT/P3HT→RIE 蝕刻
實驗條件：
ITO 表面處理
UV-Ozone，15min PEDOT：PSS
型號：AI4083
成膜：spin，2000rpm，40s
退火：200°C，15min，大氣
膜厚：約 40nm P3HT
溶液配製：(1)4.5wt%溶於 Chlorobenzene；(2) 2.5wt%溶於 Chlorobenzene
成膜：spin，(1)1000rpm，40s；(2)550rpm，40s
Rinse：spin，by Xylene，7000rpm，30s RIE 蝕刻
瓦數&時間：(1)30W，1min/5min /15min；(2)50W，3min/4min/5min
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實驗結果：
表格 4-1
PEDOT 2000rpm 40s
40nm
表格 4-2
P3HT@CB 4.5% 1000rpm 40s
No rinse 450~500nm Rinse by Xylene 420~450nm Rinse + RIE 30W 1min 380~400nm Rinse + RIE 30W 5min 340nm
Rinse + RIE 30W 15min 110~140nm 內外不均勻
表格 4-3
P3HT@CB 2.5% 550rpm 40s Rinse by Xylene 250nm
Rinse + RIE 50W 3min 125nm
Rinse + RIE 50W 4min 90~100nm 內外不均勻
Rinse + RIE 50W 5min 70nm 結果討論：
由以上可看出以 2.5wt%之溶液 550rpm，40s 之條件搭配 RIE50W，5min 結果為近乎蝕 刻穿透至 PEDOT 層，因此未來將以此條件調變蝕刻厚度。
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實驗三：利用小球當作遮照以 RIE 蝕刻之測試 實驗結構：
ITO/PEDOT/P3HT/PS 球→RIE 蝕刻(→撕球)
實驗條件：
ITO 表面處理
UV-Ozone，15min PEDOT：PSS
型號：AI4083
成膜：spin，2000rpm，40s
退火：200°C，15min，大氣
膜厚：約 40nm P3HT
溶液配製：(1)1.5wt%溶於 Chlorobenzene；(2) 2.5wt%溶於 Chlorobenzene
成膜：spin，(1)5000rpm，40s；(2) 600rpm，40s
Rinse：spin，by Xylene，7000rpm，30s PS
型號：負電 200nm
溶液配製：0.4wt%溶於乙醇
塗佈：浸泡小球溶液 60s，以乙醇沖洗表面，浸泡沸騰之異丙醇(220°C)10s，以 壓力為 20kg/cm2氮氣槍平行於表面吹乾。
RIE 蝕刻
瓦數&時間：(1)30W，1min；(2)50W，1min/2min/3min/4min
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實驗結果：
表格 4-4
未撕球之結果 1.5%wt，5000rpm，40s；
RIE 30W，1min；
未撕球
結果：P3HT 層確實有被蝕刻，而小球有 微微變形。
2.5%wt，600rpm，40s；
RIE 50W，1min；
未撕球
結果：P3HT 層確實有被蝕刻，而小球變 形程度較大。
2.5%wt，600rpm，40s；
RIE 50W，2min；
未撕球
結果：小球出現熔解狀包覆
2.5%wt，600rpm，40s；
RIE 50W，3min；
未撕球
結果：小球出現熔解狀包覆，P3HT 層有 粗糙的表面
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2.5%wt，600rpm，40s；
RIE 50W，4min；
未撕球
結果：小球出現熔解狀包覆
撕球後結果 2.5%wt，600rpm，40s；
RIE 50W，2min；
撕球後
結果：P3HT 柱狀結構一起被撕起
2.5%wt，600rpm，40s；
RIE 50W，3min；
撕球後
結果：P3HT 柱狀結構一起被撕起
2.5%wt，600rpm，40s；
RIE 50W，4min；
撕球後
結果：P3HT 柱狀結構一起被撕起
結果討論：
小球經由 RIE 蝕刻以後會產生變形甚至熔解，而因為小球變形包覆住 P3HT 柱狀結構，
因此撕球以後，柱狀結構將會一起剝落。因此，以小球作為 RIE 蝕刻之遮罩可判定不太 適合。
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