第三 第三 第三
圖3-27 六單元之圓極化天線陣列D之S參數模擬結果
圖3-27 六單元之圓極化天線陣列D之S參數模擬結果
以下，圖 3-28、圖 3-29 分別為陣列 C 在 12GHz 之右手圓極化、左手圓極化 三維立體場型圖。本論文欲探討正交極化(cross-polarization；此時即為左手圓極 化)的現象，觀察圖 3-29 可以發現左手圓極化的波束(beam)座落於 phi=0°、
phi=60°、 phi=120°之平面上，共有六個波束，因此隨後附上這三個平面的二維 場型圖，以便觀察。
同理，陣列 D 也有相同的現象：左手圓極化的波束座落於 phi=0°、phi=60°、
phi=120°之平面上，因此不再贅述。相同地，也附上這三個平面的二維場型圖，
以便觀察。
圖3-28 陣列C在12GHz之右手圓極化三維立體場型圖
圖3-29 陣列C在12GHz之左手圓極化三維立體場型圖 陣列 C、陣列 D 之二維場型圖分別如下頁各圖所示。
圖 3-30、圖 3-31、圖 3-32 分別為陣列 C 在 12GHz 之 phi=0°、phi=60°、 phi=120°
三個平面之二維場型圖。其中右手圓極化的增益皆為 26.71dBiC，左手圓極化增 益則分別為 19.60dBiC、19.34dBiC、20.36dBiC。
圖 3-33、圖 3-34、圖 3-35 分別為陣列 D 在 12GHz 之 phi=0°、phi=60°、 phi=120°
三個平面之二維場型圖。其中右手圓極化的增益皆為 26.62dBiC，左手圓極化增 益則分別為 18.86dBiC、19.84dBiC、20.80dBiC。
圖3-30 陣列C在12 GHz之二維場型圖(phi=0°平面)
圖3-31 陣列C在12 GHz之二維場型圖(phi=60°平面)
圖3-32 陣列C在12 GHz之二維場型圖(phi=120°平面)
圖3-33 陣列D在12 GHz之二維場型圖(phi=0°平面)
圖3-34 陣列D在12 GHz之二維場型圖(phi=60°平面)
圖3-35 陣列D在12 GHz之二維場型圖(phi=120°平面)
陣列 C 與陣列 D 的軸比(Axial Ratio)隨頻率變化的圖分別如下頁各圖所示。圖 3-36 為陣列 C 之軸比隨頻率變化情形，軸比 3 dB 頻寬約為 1.1 GHz。圖 3-37 為 陣列 D 之軸比隨頻率變化情形，軸比 3 dB 頻寬約為 0.9 GHz。
圖3-36 陣列C的軸比(Axial Ratio)隨頻率的變化
圖3-37 陣列D的軸比(Axial Ratio)隨頻率的變化
綜合以上結果，整理成表 3-1 如下，可以發現陣列 C 右手圓極化增益較高、
phi=60°、 phi=120°三個平面之右手圓極化二維場型量測圖。圖 3-42、圖 3-43、
圖 3-44 則分別為陣列 C 在 12GHz 時 phi=0°、phi=60°、 phi=120°三個平面之左 手圓極化二維場型量測圖。其中右手圓極化的增益皆為 26.12dBiC，左手圓極化 增益則分別為 17.072dBiC、18.227dBiC、17.898dBiC。圖 3-45 為陣列 C 之軸比 隨頻率變化情形，從 11.4GHz 到 12.4GHz 左右，軸比 3 dB 頻寬約為 1 GHz。
圖3-38 陣列C之S參數量測結果
圖3-39 陣列C在12GHz phi=0°平面之右手圓極化二維場型量測圖
圖3-40 陣列C在12GHz phi=60°平面之右手圓極化二維場型量測圖
圖3-41 陣列C在12GHz phi=120°平面之右手圓極化二維場型量測圖
圖3-42 陣列C在12GHz phi=0°平面之左手圓極化二維場型量測圖
圖3-43 陣列C在12GHz phi=60°平面之左手圓極化二維場型量測圖
圖3-44 陣列C在12GHz phi=120°平面之左手圓極化二維場型量測圖
圖3-45 陣列C之軸比(Axial Ratio)隨頻率的變化
3.4 四單元及六單元之圓極化天線陣列效能 四單元及六單元之圓極化天線陣列效能 四單元及六單元之圓極化天線陣列效能 四單元及六單元之圓極化天線陣列效能比較 比較 比較 比較
3.5 天線陣列實體照片 天線陣列實體照片 天線陣列實體照片 天線陣列實體照片
圖 3-46(a)為陣列 C 側視圖，圖 3-46 (b)為陣列 C 邊緣板材鍍銅圖，圖 3-46 (c) 為陣列 C 饋入電路近照圖。
圖3-46 (a)陣列C側視圖 圖3-46 (b)陣列C邊緣板材鍍銅圖
圖3-46 (c)陣列C饋入電路近照圖