實驗設計：
使用雷射剝離法來製作 a-plane GaN 基板，主要是如果沒有使用雷射剝離法，
而是直接成長於 r-sapphire 上，會因為 GaN 與 sapphire 的熱膨脹係數不同，容易 在降溫時破裂。接下來進行實驗的 a-plane GaN，生長條件固定在溫度為 1000oC、
壓力為 100mbar、HCl 流量為 40sccm、五三比為 50、純氫氣、厚度為 100um，大小 約 12mm x 12mm，成長完以及經過雷射剝離法的樣品以常溫 PL、Raman、XRD 量測，
比較樣品的應力大小、品質好壞、翹曲程度等。
實驗結果：
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圖 4-2-1.Laser Lift Off 前後比較之常溫 PL 圖
表 4-2-1. Laser Lift Off 前後之 PL peak 以及 PL 半高寬比較
由常溫 PL 的量測中，可發現 Laser Lift Off 前的 PL intensity 比 Laser Lift Off 後還大許多，主要原因是在雷射剝離系統中，由於腔體是開放式，雖然實驗中 通入大量氮氣，但仍然無法避免阻止空氣中的氧氣與高溫的 a-plane GaN 反應生成 氧化物，這層氧化物可能會阻擋出光，造成 PL intensity 降低許多。從 PL peak 來看，經過 Laser Lift Off 後，有紅移的現象產生，代表原本氮化鎵厚膜在 r-sapphir 的壓應力明顯被釋放。
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表 4-2-2. Laser Lift Off 前後之 Raman peak 比較
圖 4-2-2.Raman Shift 示意圖
Raman 是先把一束雷射光送入 GaN 晶體中，這束雷射光會受到聲子的影響，我 們再收集射出的雷射光，接著把收集到雷射光的能量換算成圖 4-2-2，567cm-1是 stress free 的 GaN E2 peak 值，主要是跟 567 這個值做比較，比 567 大代表 GaN 受到的應力是壓應力，反之則是張應力。從 Raman 量測結果，可發現經過 Laser Lift Off 後，壓應力明顯釋放，釋放約 0.299GPa，結果與常溫 PL 一致。
表 4-2-3. Laser Lift Off 前後之 XRD 比較
因為 a-plane GaN 的成長中，受到生長異向性的影響很大，所以在 XRD 的量測 中，我們分為 c 與 m 這兩個方向來討論。首先，從 m 方向的半高寬中，看到經過 Laser Lift Off 後，差了快一倍，但是由文獻中[18]可知，XRD 的半高寬主要由晶體品質 以及晶體翹曲度這兩個變因貢獻，由於經過 Laser Lift Off 後，品質並不會有太大 的改變，所以我們懷疑造成 m 方向的半高寬變寬是晶體翹曲度所造成。於是我們做
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了以下的實驗驗證。C 方向則是沒有太大的差異，代表 c 方向的翹曲度並無太大的 改變。
圖 4-2-3.使用 XRD 測量翹曲度示意圖 part1
圖 4-2-4. 使用 XRD 測量翹曲度示意圖 part2
表 4-2-4.XRD 之 ω 分量改變量
- 27 - r-sapphire 上，生長條件固定在溫度為 1000oC、壓力為 100mbar、HCl 流量為 40sccm、
五三比為 50、純氫氣、厚度為 76um，大小約 12mm x 12mm，接著進行 Laser Lift Off 將 a-plane GaN 與 r-sapphire 分離，最終得到 a-plane GaN 基板。用此種生長參數 成長出的 a-plane GaN 形貌如圖 4-3-1-1，雖然用上面生長條件所成長出的表面(我 們在這章節稱為正面)形貌很粗糙，但是經過 Laser Lift Off 後，a-plane GaN 與