第三章 扇狀輻射場型單一導體洩漏波天線陣列
3.1 設計流程
3.1.3 功率分配器
圖3-7為一分四功率分配器,繼上述的一分二功率分配器,前級再做一個一 分二功率分配器,使得能量從埠1進入,能量均分成四份,圖3-8為一分四功率分 配器S參數模擬圖,在所需頻段仍然有在 10dB− 以下,而 , , , 在
頻段中為 ~ dB,可以看出能量確實有四等分,且誤差不大。
S
21S
31S
41S
51−6.2 −6.7
圖3-7: 一分四功率分配器
3.1.4 模擬與實作量測
綜合上述所說,結合功率分配器與天線的部分,圖3-9為二元天線陣列俯視
圖,圖中左邊的小圓點即為張角的虛擬圓心,圓心到天線的距離為150 。圖
3-10是二元天線陣列反射損耗模擬圖,頻寬從 到1 ,圖3-11為二元
天線陣列11GHz輻射場型,最大增益為 13.88 ,場型在yz方向仍然維持在 end-fire方向,圖3-12為二元天線陣列12GHz輻射場型,最大增益為14.55dBi。
(a)
(a)
(b)
圖3-12 二元天線陣列12GHz輻射場型模擬圖
圖3-13為四元天線陣列俯視圖,張角為10度,圖中黑色圓點為當初設計 的虛擬圓心,虛擬圓心到天線距離為150mm。圖3-14為四元天線陣列反射損耗模 擬與量測圖,虛線部分是模擬結果,而實線部分是量測結果,可以看出量測出來 的反射損耗在10.5~13GHz並沒有如模擬般的在-10dB以下,因此在下一個小節 中,將再針對反射損耗的部分再做改善,而圖3-15為四元天線陣列11GHz輻射場 型,實際量測最大增益為12dBi,圖3-16為四元天線陣列12GHz輻射場型,實際 量測最大增益為11.9dBi。
圖3-13: 四元天線陣列俯視圖
圖3-14 四元天線陣列反射損耗模擬與量測圖
(a)
(a)
(b)
圖3-16 四元天線陣列12GHz輻射場型
10dB
圖3-18 重新調整後的單一導體洩漏波天線反射損耗模擬圖
圖3-19 重新調整後的單一導體洩漏波天線在Eplane輻射場型
3.2.2 功率分配器的改進
圖3-21 一分二功率分配器S參數模擬圖
圖3-23 一分四功率分配器S參數模擬圖
圖3-24為一分八功率分配器,長度為84.5mm,圖3-25為一分八功率分配器的 S參數模擬圖,在頻段中
S
11在−17.5dB,因為由多級的功率分配器組合而成,因 此在各級的匹配誤差下,S
11無法達到−20dB以下,而從圖中也可以看出至 至重疊在一起,在頻段中介於
S
21S
91 −9.3dB到 10.2dB− ,證實能量均分成八等分。圖3-25 一分八功率分配器的S參數模擬圖
3.2.3 八元素單一導體洩漏波天線陣列模擬與實作
圖3-26為八元素單一導體洩漏波天線示意圖,尺寸為為 336mm 256mm× 。
圖3-26 八元素單一導體洩漏波天線示意圖
圖3-27為八元素單一導體洩漏波天線陣列反射損耗,頻寬從8.68 到 共 。圖3-28為八元素單一導體洩漏波天線陣列在11GHz的輻射 場型,圖3-28(a)為在xy方向的輻射場型,可以觀察到在xy平面上的場型確實呈現 扇型,實際量測最大增益為9.07dBi,主波束的Ripple介於4dBi至9.07dBi,Ripple 差距為5.07dB,若以Ripple的最小值4dBi為波束寬的基準,則八元素天線陣列的
GHz 14.78GHz 6.10GHz
圖3-27 八元素單一導體洩漏波天線反射損耗
(a)
(a)
(b)
圖3-29 八元素單一導體洩漏波天線陣列在12GHz輻射場型(a)xy平面(b)yz平面