第五章 實驗數據與討論
5.2.1 在室溫下蒸鍍 0.2 ML 鎳於鍺(111)-c(2x8)表面
圖 5.2-1 為室溫下蒸鍍 0.2 ML 鎳之後以 STM 觀測到的影像，與之前得 到的結果相同，圖 5.2-1(A)顯示樣品表面上形成了大小不一的不規則原子 團，而原子團的周圍也發現了許多缺陷，同樣也未於原子團上發現週期性 結構。此外，於圖 5.2-1(B)中可觀測到原子團主要分布在不同向 c(2x8)結 構交界之處。
圖5.2-1 室溫蒸鍍 0.2 ML 鎳後的 STM 圖 (A)表面上出現許多原子團，80x80 nm
2
+1.5 V(B)原子團主要分布於不同向 c(2x8)結構交界處，20x20 nm
2
+1.5 V(A) (B)
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5.2.2 加熱至 420 K
圖 5.2-2 為加熱退火至 420 K 後的 STM 影像，由圖 5.2-2(A)可觀察到原 子團大小增加及數量減少，並可觀察到部分原子團上已形成與鍍量為 0.4 ML 時觀測到的週期性原子島類似的結構，然而分析小尺度掃描得到的圖像 圖 5.2-2(B)後可發現其結構與週期性原子島之結構相比有些許扭曲，應是加 熱退火提供的能量尚不足以使其完全排列成整齊的週期性結構，除此之外 亦可發現此時 c(2x8)重構面積下降，且出現環狀缺陷。
圖5.2-2 加熱至 420 K 後之 STM 圖 (A)原子團大小增加且數量減少，80x80 nm
2
+1.5 V(B)同向 c(2x8)區域面積下降並發現環狀缺陷，20x20 nm
2
+1.5 V(A) (B)
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5.2.3 加熱至 570 K
圖 5.2-3 是加熱退火至 570 K 後 STM 觀測到的影像，圖 5.2-3(B)顯示此 時基底上環狀缺陷數量增加，且 c(2x8)區域面積下降，圖 5.2-3(A)則顯示 樣品上形成三種具有不同結構的原子島，顯示於圖 5.2-4 中，與鍍量為 0.4 ML 時的 STM 圖像比對後可發現，此三種原子島結構與之前高鍍量實驗中 的原子島相同。
圖5.2-3 加熱至 570 K 後之 STM 圖 (A)表面上出現三種原子島，80x80 nm
2
+1.6 V(B)環狀缺陷數量上升，基底變得較不規則，40x40 nm
2
+1.5 V(A) (B)
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圖5.2-4 兩種週期性原子島之 STM 圖 (A)第一種原子島，20x20 nm
2
+1.2 V (B)第二種原子島，20x20 nm2
+1.9 V (C)第三種原子島，20x20 nm2
+0.8 V(A) (B)
(C)
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5.2.4 加熱至 670 K
將加熱退火溫度提高到 670 K 之後的 STM 圖像顯示於圖 5.2-5，此時前 述三種週期性原子島皆消失，並出現另一種原子島，而基底則排列得較為 整齊，圖 5.2-6 為其放大圖像，可發現此種原子島與鍍量為 0.4 ML 時發現 的較高的原子島十分相似。
圖5.2-5 加熱至 670 K 後之 STM 圖 (A)表面上出現新的原子島，80x80 nm
2
+2.0 V (B)基底排列得較為整齊，20x20 nm2
+1.7 V圖5.2-6 較高的原子島之小尺度圖象，20x20 nm
2
+1.7 V(A) (B)
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5.2.5 加熱至 770 K
圖 5.2-7(A)為加熱退火溫度提高到 770 K 後的 STM 圖，此時已無法在 樣品表面觀測到週期性原子島，只觀測到許多不規則原子團，與室溫蒸鍍 後掃描得到的 STM 圖像比較，可發現經過 770 K 熱處理後的原子團數量明 顯較少、大小較大，此現象與鍍量為 0.4 ML 時以 870 K 熱處理後觀測的結 果相同。
圖5.2-7 經過 770 K 熱處理後與室溫蒸鍍後之比較 (A) 經 770 K 熱處理後表面上只剩下不規則原子團，80x80 nm
2
+2.0 V(B) 室溫蒸鍍後的影像，原子團數量較熱處理後多且大小較小，80x80 nm