楊格(Thomas Young,1773-1829)[1]設計了一個雙狹縫干涉儀,
首先讓日光通過一個針孔,產生空間同調光(Spatially Coherent light),再將同調光通過兩個狹縫,而產生干涉,證明了光的波動性,
而在之後麥克森(Albert Abraham Michelson,1852-1931) 利用分 光鏡(Beamsplitter)與反射鏡做出一組干涉儀(見圖 2-1)將同調 麥克詹達干涉儀(Mach Zender Interferometer)[2](見圖 2-2)
等。
2-2-2 自相關儀(Autocorrelator)的原理[3]
量測雷射光脈衝的方法大約有三種:
I. 光偵測器及取樣示波器(Sample oscilloscope)
當光打在光偵測器中,此時偵測器內會產生光電流,轉換成電子 訊號,連結到取樣示波器便可還原脈衝波形,但是會受限於偵測
BS
Detector Mirror(1)
Mirror(2)
Light Source
圖 2-1 Michelson interferometer
觀測點一
觀測點二 BS1
BS2
Mirror1
Mirror2 光源
圖 2-2 Mach-zender interferometer
器的頻寬以及示波器的上升時間的限制,所以大約只能量測到微 微秒等級的脈衝寬度,可是現有的雷射脈衝可到飛秒等級,顯然 是不夠用的。
II. 條紋攝影機(Streak Camera)
由 Zavoiskii 與 Fanchenko 所完成的,此儀器不僅可以量測雷射 光脈衝的寬度,也可以反映即時的雷射光脈衝的變化,缺點就是 無法量測到精確的飛秒等級的脈衝寬度。
III. 自相關儀(Autocorrelator)
目前最普遍用來量測超快雷射脈衝寬度的方法,利用相關函數
(Second Order Autocorrelation Function)曲線,再利用反捲積
(Deconvolution)將光脈衝的時間寬度經由計算還原出來,而非線
在以上兩個式子中,ε( )t 是雷射光的脈衝函數,假如複數ε( )t 虛部 隨時間變化,造成光頻率不斷變動,即所謂的啾頻(Chirping)
現象;當兩個脈衝光通過二倍頻晶體並符合相位匹配(Phase Match),會產生二倍頻光,電場則會正比於[E t1( )+E t2( )]2,強度則 正比於[E t1( )+E t2( )]22,最後由光電倍增管接收二倍頻的訊號之後 可以得到:
P
2ω( ) τ ∝ E t
1( ) + E t
2( )
4 (2-3)2 ( )
Pω τ 是二倍頻的功率,正比於 E t1( )+E t2( )4 的平均時間積分,將
1( )
E t 與E t2( )分別帶入可以得到
P2ω( )τ ∝2 ε( )t 4 +4 ε( )t 2 ε
(
t−τ)
2+4 Re ε2
( ) ( ) (
t ε t ε∗ t−τ)
exp(
jωτ)
+4 Re ε
( ) (
t ε t−τ ε) (
∗2 t−τ)
exp(
jωτ)
+2 Re ε2
( ) (
t ε∗2 t−τ)
exp 2(
jωτ)
(2-4)所以當兩個脈衝重合,即
τ
為零的時候,二倍頻功率會達最大值:
P
2ω(0) ∝ 16 ε ( ) t
4 (2-5)然而當兩個脈衝完全分離的時候,意即兩個相乘項ε
( ) (
t ε t−τ)
為零,即可得:
P2ω( )τ ∝2 ε( )t 4 ,τ → ∞ (2-6)
此為背景訊號,並比較(2-5)、(2-6)兩式子的結果,可得背景訊號 與最大值比約 1:8,並且帶有ωτ 、2ωτ 週期的干涉條紋,當脈衝光 內波長隨著時間而線性變化,而有明顯啾頻現象,而脈衝的前緣與後 緣將不同調造成自相關函數曲線兩翼的干涉訊號消失,所以經數學模 擬運算可以得到啾頻訊號的大小,但是因為P2ω
( )
τ 是對稱函數的關 係,所以無法得到啾頻訊號的正負。II. 強度式自相關儀
所以 倍頻曲線的半高寬(Fall Width at Half Maximum,FWHM),乘上一 個反卷積常數,即可得到真實的脈衝寬度,利用高斯函數脈衝為例:
III. 雙光子吸收干涉式自相關儀
近來國內也有人改良干涉式自相關儀[3],原因是調動倍頻晶體時 必須考慮相位匹配角度的問題,不同的波長有不同的匹配角度,價 格也較昂貴,相對地,由於雙光子吸收二極體所產生光電流正比於 入射雷射脈衝的平方,與經過二倍頻非線性晶體所產生的是一樣 的,利用雙光子效應,入射光的能量必須介於光二極體材料能隙的 二分之一及其能隙之間,12Eg <hν <Eg,利用兩個光子將電子從價帶 激發至導電帶形成電子電洞對,加上逆偏壓形成光電流,加上放大 器即可放大訊號。
2-3 激發-探測原理
1999 諾貝爾化學獎[4]得主埃及裔美國籍化學教授齊威爾
(Ahmed H. Zewail, 1946-),因為他對於科學上的貢獻,他是第一 位首先嘗試利用激發-探測(Pump-Probe)發現了原子在化學反應過程 中的運動,帶給化學及其他科學領域革命性的影響,化學反應中不管 是工業或是生命體中都是倚靠化學鍵的結合及斷裂,所要了解的是如 何知道這些化學反應的產生原因,如何從反應物變成產物,因此若能
BS
Light Source
圖 2-4 強度式自相關儀 Delay Line
SH Crystal
PMT
Filter
觀察到從反應物進行到產物的過渡狀態(transition state),一直 發探測技術(ultrafast pump-probe technique),利用在化學反應 動力學上,一開始先將,激發脈衝(pump pulse)先促使反應開始,
(femtosecond transition-state spectroscopy)。 2-3-1 螢光生命週期時間解析顯微鏡[5]
螢光顯微鏡可以獲得明顯細胞微小結構影像,並且已有許多的研 Verkman,1990;Keating 與 Wensel,1990;Kao 等,1993),自發性 螢光生命週期的量測用來監控 UVA 的照射所造成細胞傷害的現象
(Schneckenburger 等人,1992;Schneckenburger 與 Koenig,1992;
Koenig 與 Schneckenburger,1994),螢光生命週期也已經用來協助 在老鼠大型噬菌中抗原製作(Antigen-processing)平台(Voss,
Weber,1969;Gratton 與 Limkeman,1983),由弦波的激發在調變頻
1969;Gratton 和 Limkeman,1983;Gratton 等人,1984;Alcala 與 Gratton,1985;Lakowicz,1999)。
在頻率域中,異向性是藉由量測不同相位的頻率響應∆ =φ φ φ⊥− &
1983;Gratton 等人,1984;Alcala 與 Gratton,1985;Lakowicz,
1999)。
可以被分析以獲得時間解析的資訊,諧波大小可以被探測超過 12GHz
(Berland 等人,1992),代替探測脈衝瞬間吸收的取樣,可以選擇 它 的 波 長 從 激 發 態 分 子 密 度 去 引 起 受 激 發 射 ( Stimulated Emission)。
影像顯微鏡建構在非同步取樣技術下提供了比利用機械裝置控 制延遲的等效技術多幾個優點,藉由機械裝置延遲線的方法擷取時間 解析的影像,不是在一個畫素中測得所有的螢光特性藉由在移動到下 一個畫素以前雷射光束跑過一個系列時間延遲,就是由在特定一個時 間延遲點掃得全部的影像,並且連續地重複於所有的時間延遲點,獲 得一系列相同的時間切片影像。
2-3-3 受激發射(Stimulated Emission)
受激發射技術基本原理見圖 2-5,兩到雷射脈衝光聚焦在樣品上 同一個區域,其兩個雷射的脈衝重複率些許地補償,而雷射波長則是 選擇可以由激發光將螢光激發的波長並且可以產生受激發射的探測 光波長,由探測脈衝光激發態分子密度的光學調變產生外差式的螢光 訊號,也就是螢光衰減的傅立葉頻譜轉換成交叉相關頻率的範圍,而 脈衝雷射(飛秒雷射具 THz 等級)高次倍頻(諧波)立刻提供衰減頻 譜多重諧波的取得,螢光訊號包含交叉相關的諧波可以藉由濾光片隔 離,因為其發射的光波長與激發和受激發射的不同。
Relative Intensity
Wavelength 吸收頻譜 發射頻譜
λ λEm λ ′
圖 2-5 受激發射技術原理
吸收 螢光檢測
受激發射
圖 2-6 顯示時間點的圖,點出了激發探測(受激發射)技術的原
率之間的差,舉例來說,假如一個雷射的重複頻率大約是 76.2MHz,
此雷射光,將激態的螢光分子全都激發至激發態,由於在激發探測的 實驗中,假如兩個光的強度一樣夠強,都具有激發光的效用,在此情 況下,可以達成我們所要的飽和度量測。
假設基態S0的螢光色基分子數量為固定,先由光強度夠強的激 發光將螢光分子從基態激發至激發態S1,並且達飽和狀態,同時間,
強度與激發光幾乎一樣的探測光,在進行激發的動作,由於基態的光 子數已經被激發至激發態而達飽和的狀態,探測光則已無光子可以激 發,當時間慢慢增加時,從S1到S2,光子停留在S2,再由S2產生螢光,
這段時間時,光子陸續回到基態,當移動時間延遲至下一個時間點,
探測光將掉回基態的螢光分子再激發,時間越增加光子掉回地面的數 量越來越多,探測光激發的光子數目也會越來越多,所偵測的螢光強 度也會越來越強,由圖 2-7:
圖 2-7 螢光飽和度量測 S1
S0
S2
電子激發態
電子基態 振盪能級
0 ∆ω 2∆ω 3∆ω 4∆ω 5∆ω
ω
振福 激發螢光頻譜
0 ∆ω 2∆ω 3∆ω 4∆ω 5∆ω
ω
振福 探測螢光頻譜
其探測光的激發螢光的曲線,與圖 2-6 相較之下,剛好是相反的曲
( )
ω是入射光頻率,ωp則是電漿角頻率,而ωτ則是電子碰撞頻率,電子
時,初始會有一個很陡峭的尖形下降,如圖 2-8 所示,是因為吸收增 加,以及接踵而來的快速衰減,受激發的電子在指數能帶尾以及因為 快速衰減造成的深井鬆弛,於幾個微微秒下達到一個剩餘值,此值之 後則會緩慢的減少,探測吸收持續緩慢的減少到發生再重合與被激發 的區域恢復到熱平衡狀態,這個吸收的改變與自由載子的再重合有 關,並且可能用來了解熱電子的鬆弛反應(Relaxation),衰減曲線 以及正向掃描的殘值對於入射光能量、非均勻載子動力學與熱效應非 常敏感,也由於各種材質的曲線也不盡相同,所以 TTT 技術可以用來 做許多的研究,利用在元件製造的研究上。
圖 2-8 a-Si:H 不同 波長激發探測實驗 的 TTT 資料(擷取自 Ref【6】)