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4-1 實驗結果(I) 氮化鎵薄膜與奈米柱 4-1-1 光致螢光光譜

我們利用 Origin 軟體以 Lorentian 函數擬合室溫下(295K)氮化鎵光致螢光光

譜。氮化鎵薄膜與奈米柱的光譜均出現 3.4 eV 能隙附近的螢光。圖 4-1 為氮化鎵

薄膜光致螢光光譜,可以觀察到除了 3.4 eV 的波長外,透過擬合我們找出其他

兩個峰值能量為 3.364 eV 與 3.306 eV。其中 3.306 eV 與 3.4 eV 之能量差可對應

到一個縱波光聲子的能量 91.2m eV [17]。關於 3.364 eV 峰值的放光原因我們目

前沒有很好的解釋,有文獻指出可能來自樣品的瑕疵[18]。在簡併激發-探測實驗

中,我們觀察到相對應波長對反射率的影響。

圖 4-1 氮化鎵薄膜光致螢光光譜

圖 4-2 氮化鎵奈米柱光致螢光光譜

4-1-2 布里淵散射

圖 4-3 氮化鎵薄膜激發-探測光譜(367.4 nm)。插圖為局部放大圖。

圖 4-4 氮化鎵薄膜激發-探測光譜(370.2 nm)。插圖為局部放大圖。

當我們分析氮化鎵薄膜的反射率隨時間的變化時,首先觀察到當波長為

367.4 nm 及 370.2 nm 有反射率震盪訊號,持續時間長達約 200 ps 以上。透過傅 立葉分析找出反射率震盪頻率與入射光波長有關,其現象與布里淵散射(Brillouin

scattering)類似。

圖 4-5 布里淵散射示意圖。

布里淵散射主要由連續音模聲子(coherent acoustic phonon, CAP)在材料中行

布里淵散射頻率(f)可寫成:

的震盪訊號。利用傅立葉分析得到頻震盪頻率分別為 131GHz 及 118GHz。由文

獻[21]得知氮化鎵折射率在 367 nm 及 370 nm 時分別為 2.65 及 2.64,根據公式

至於為何只有相對長波長時才能觀察到布里淵散射現象,主要是因為觀察厚

圖 4-6 氮化鎵薄膜激發-探測光譜(normalized)。

圖 4-7 氮化鎵奈米柱激發-探測光譜(normalized)。

首先,可以觀察到在薄膜與奈米柱的數據中,均有反射率變號(正負號顛倒,

減函數,三者擁有不同的衰減常數(decay time constant)。

1 2 3 0

圖 4-8 355.3 nm 激發-探測光譜擬合示意圖。

在薄膜及奈米柱的擬合結果中,5 ps 以下的快分量(t1)可以歸因於電子-電子

散射及電子-聲子散射。在非熱載子時期,載子的能量分布趨向費米-狄拉克分布。

此階段,載子之間交互作用頻繁,高能載子可以藉由電子-電子散射將能量傳給

低 能 量 之載 子 。 電 子 - 聲 子 散 射則 是 當入射 光 將 能量 傳 遞給 載子 後 , 導 帶

(conduction band)內充滿熱載子(hot carrier),此時電子除了透過前述之電子-電子 散射外,同時也與聲子散射在晶格中傳遞熱能。以氮化鎵為例,主要為光聲子參

與電子-聲子之散射。但在高載子濃度時會因為屏蔽效應而限制光聲子參與能量

釋放的機制[25]。在 366.1 nm 的擬合結果中,快分量(t1)消失,可能因為 366.1 nm

與 363.0 nm 間出現反射率變號,這裡需要注意,我們所用的光源是寬頻光,

366.1nm 指的是中點頻率,而半高寬約為 4nm。當光頻涵蓋吸收峰值左右,即正 反應與負反應同時相加時,信號會相互抵消,使得擬合不需要利用快分量。

在薄膜樣品中,最慢的分量衰減常數(t3)約為數百皮秒,為電子-電洞複合機

圖 4-9 氮化鎵指數衰減函數擬合統計圖

圖 4-10 氮化鎵吸收係數[26]

我們推測氮化鎵奈米柱 t2 分量為載子被捕獲到表陎態的時間。氮化鎵有內

建表陎電場(built-in surface electric field)的特性。在薄膜的樣品中,表陎電場影響

所及只有數十奈米[27],對於整個樣品影響比例甚少;但奈米柱比薄膜擁有更大

的表陎積對體積的比例,我們預期表陎電場對光激載子在奈米結構中有顯著的影

響。奈米柱樣品中,當光激載子產生後,電子會往表陎移動,而電洞則往核心區

域前進[28],一旦電子被表陎態捕獲後,與電洞結合放光的機會下降,並改由非

輻射方式複合;因此我們決定進行奈米柱螢光生命期之量測。圖 4-11 為利用時

間關聯單光子計數技術 (time-correlated single photon counting) 的量測結果,266

nm 脈衝光為激發光源,其脈衝時間約為 300 fs,266 nm 之訊號 FWHM(Full width

at half maximum)約為 50 ps,顯示出儀器的時間解析度。從圖中可發現氮化鎵奈 米柱的螢光生命週期與雷射脈衝的響應一樣,顯示螢光生命週期已經比儀器的解

析能力還短,小於 50 ps。這實驗結果是另一個證據與我們的時間解析激發探測

實驗吻合,載子被表陎態補獲的時間約為 20 ps 左右。

圖 4-11 時間關聯單光子計數量測結果。

4-1-4 結論

本論文中,利用光致螢光系統及激發探測光反射系統比較氮化鎵薄膜及奈米

柱的激發光譜、聲子動力學與載子的超快現象上的差異。我們發現薄膜的激發光

譜,除了能隙躍遷外同時也觀察到光聲子參與放光機制;相對奈米柱的光譜只有

觀察到能隙躍遷的波長。在薄膜的樣品中,我們觀察到布里淵散射,分析結果顯

示文獻中的折射率值在我們氮化鎵樣品能隙變化附近不適用。若以文獻中的聲速

當作擬合參數,可得到 367nm 及 370nm 的折射率分別為 2.95 及 2.70。我們在奈

米柱樣品並沒有觀察到反射率震盪的訊號。在參考文獻[29, 30]指出氮化鎵奈米

柱同樣存在由音聲子所造成的反射率變化,震盪頻率與奈米柱的長度或直徑相關。

考量我們的樣品長度及直徑的分布範圍,每一根奈米柱的振動頻率不盡相同,巨

觀來看也就互相抵消而無法測量。載子鬆弛率的結果顯示,薄膜與奈米柱都可以

觀察到電子-聲子散射與電子-電子散射,衰退常數(t1)分布也相當接近。薄膜與奈

米柱的慢分量(t3)則由不同機制主導,薄膜由電子-電動復合所貢獻而奈米柱則顯

示出載子擴散速率與波長之關係。而(t2)分量,我們認為是載子被表陎態所補捉

的時間尺度,約為 20ps 左右。

4-2 實驗結果(II) STO/SRO 異質結構

圖 4-12 400 nm 簡併激發探測光譜。

圖 4-13 395 nm 簡併激發探測光譜。

圖 4-14 390 nm 簡併激發探測光譜。

圖 4-15 布里淵散射頻率與波長關係圖。

4-2-2 400 nm/800 nm 激發-探測光譜

圖 4-16 90 K 400 nm/800 nm 激發-探測光譜。插圖為擬合局部放大圖。

圖 4-17 150 K 400 nm/800 nm 激發-探測光譜。插圖為局部放大圖。

圖 4-18 300 K 400 nm/800 nm 激發-探測光譜。插圖為局部放大圖。

布里淵散射

從統計圖 4-19 可以清楚看到,在 100K 附近布里淵散射頻率從約 45 GHz 升

至 47 GHz。文獻[34, 35]指出,STO 存在結構相變溫度約在 105K。當在室溫時,

STO 為立方結構,但降溫至 105K 時則變成簡單四方結構(tetragonal),從 X-ray 繞射實驗得知 a/c≈1.003。雖然晶格常數變化不多,但剛性在降溫的過程中,明

顯的觀察到在臨界溫度 Tc≈105K 附近時大幅度降低[33]。聲子行進速率根據公式 4-2,當剛性係數降低時,速率也會跟著下降,兩者為 V∝c1/2之關係。此外,文

獻[33]圖 4-20 指出,從室溫降溫時,剛性略為上升至臨界溫度後大幅下降;與圖

圖 4-19 400 nm/800 nm 布里淵散射頻率與聲子生命期隨溫度變化圖。

圖 4-20 STO 剛性係數隨溫度變化圖[33]。

圖 4-21 SRO 單位晶格體積對溫度變化圖[36]。

當我們搜尋 STO 折射率文獻時,發現 Handbook of Optical Constants of

Solids[32]之數據主要為多組實驗成果彙整而成。其中在 400 nm 附近之數據由

Cardona et al.[37]及 Baeuerle et al.[38]所組成,兩者皆以量測反射光譜並透過

Kramers-Kronig 分析計算光學常數,但結果有些微差距且文獻[38]折射率在 380

nm-360 nm 間有大幅度地變化。我們利用鈦藍寶石雷射可調波長之特點,計算

365 nm-370 nm 的折射率。首先,我們根據架構二 400 nm 激發-800 nm 探測系統 在室溫 300 k 的結果,以文獻[37]提供 800 nm 之折射率計算聲子速率約為 7.89

nm/ps,我們假設聲子速率為此一定值。根據公式 4-1 計算所得折射率整理如圖

4-22。

圖 4-22 STO 折射率與波長關係圖。

STO/SRO 載子鬆弛機制

圖 4-23 STO/SRO 400 nm/800 nm 指數衰減函數擬合統計圖。

4-2-3 結論

我們透過簡併激發-探測系統及 400 nm 激發-800 nm 探測系統研究 STO/SRO

異質結構。我們分析兩項實驗數據得到 STO400 nm 到 365 nm 折射率的變化。從

變溫實驗中得知,即便 400 nm 激發-800 nm 探測系統所觀察到的載子行為來自

於 SRO,但在 STO 結構相變溫度(100 K)或是 SRO 的居禮溫度(~160 K)都會間接

影響載子的動力行為,在 100 K 時擬合中三個分量的強度(A1、A2 及 A3)均有顯

著的增強,表示材料有更多的吸收。160 K 附近,快分量(t1、A1)受到 SRO 順磁

與鐵磁的相變影響,讓 SRO 的吸收增加且載子的衰退時間也變慢。此外,聲子

在兩相變溫度出現生命期簡短的現象。

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