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實驗結果與討論

5-1 表面能與預傾角之關係

5-1-1 水平配向膜與垂直配向膜表面能比較

首先,我們先探討平行配向與垂直配向表面能的關係。如圖5-1,

使用的材料為JALS-9800-R1(JSR)為一平行配向的材料,量測其表 面能約為43mN/m。

FIG.5-1 JALS-9800-R1與RN-1338表面能與摩擦次數

而本論文所使用的配向膜材料為RN-1338(NISSAN

CHEMICAL)為一垂直配向的材料,所量測到的表面能為31mN/m。

我們可以觀察到,平行配向的表面能相較於垂直配向的表面能明顯較 高,但我們可以輕易用表面能來此判別決定材料配向方式為水平或垂 直配向嗎?答案是不一定的。由文獻所得之,使用鐵氟龍

γ

=22mN/m)的表面經過摩擦配向之後會是平行配向而非想像中的 下降,而 diiodo -Methane(無極性,Polar fraction=0mN/m)的差異並 沒有太大的改變,由此我們可以判斷由於基板表面的極性逐漸的增加

漸下降。

FIG.5-2 RN-1338 摩擦次數與接觸角關係圖(a) Diiodo-Methane(b)去離子水

另一種說法為電子交互作用力,即利用滾筒上的絨布具有極性的 部份與配向層極性分子產生吸引作用,而使得基板配向層上極性分子 變多。但主要還是隨著摩擦強度與摩擦配向機的絨毛密度的上升,基 板表面極性會越來高。

摩擦配向除了對配向層製造溝槽以及使液晶分子有方向性的排 列以外,同時也會讓配向層表面極性上升,這也就是預傾角為何會改 變的原因之一。圖5-3 為摩擦次數與預傾角的關係。因為表面極性的 增加,使得液晶分子被配向層表面極性分子逐漸吸附住,導致液晶分 子逐漸朝水平方向傾斜(即預傾角逐漸下降)。

FIG.5-3 RN-1338 摩擦次數與預傾角關係圖

把表面極性與預傾角關係對照如圖5-4,雖然極性只有微小的變 化但仍然對液晶分子的影響甚大,導致整個預傾角以及光學特性產生 變化,如光學延遲,響應時間(Risetime and Falltime ),一環扣著一環。

因此摩擦強度的大小對於液晶顯示器而言,可以說是最基本以及最容 易掌握住的,若要較高的預傾角,摩擦強度必須要小一點,反之亦然。

但要注意的是,摩擦配向並非可以一直改變極性大小,也是有極限的 存在[31],而且當次數太多也反而也會對配向層造成一定程度的損 害,而導致液晶缺陷的產生。

FIG.5-4 RN-1338 表面極性與預傾角關係圖 5-2 光電量測

5-2-1 摩擦配向的重要性

在垂直配向中,相較於一般水平配向TN型其較特別的特點就是 可以不使用摩擦的配向膜亦能產生明暗的變化,如圖5-5所示,使用 顯微鏡(100X)觀察在不同電壓下液晶的雙折射效應,以

MLC-7026-100(CELL GAP為10μm)為例,在未供應電壓下(V<Vth)液 晶分子垂直於上下基板,因此呈現完全的暗態,但超過Vth時未經摩 擦配向處理的基板會產生一般向列型液晶的絲狀缺陷(Schlieren structure)(因為液晶分子加電壓後傾斜方向不定,有些液晶分子排

列會與偏極片平行,而形成黑色條帶;排列方向未平行於偏極片的液 晶分子則因雙折射現象會使得光穿透。)[32]而影響到顯示器的對比 度。

隨著電壓的上升,液晶長軸產生不同角度的傾斜,使得線性偏振 光變成各種不同的橢圓偏振光,再經由檢偏片,入色白光變成具有單 一色彩的光。其色彩變化的順序為黑(0V)灰(2.3V)白(2.7V)黃橙(3.1V) 紅紫(3.7V)藍(4.3V)綠(7.6V)。這點說明, 液晶分子在超過Vth時會產

生一些除了黑白以外的顏色變化。主要原因為各入射光的波長不同,

由式(1)可知,使得各種顏色的光學延遲量均不同。

但是液晶分子在有經過摩擦過後的配向膜上,會沿著摩擦方向產 生預傾角及均一性的排列。相較於未經摩擦過的配向膜,當供應電壓 時,缺陷就會消失,同時亮度、色彩的純度及對比度明顯的上升。由 此可見,摩擦配向過的配向膜,對液晶顯示器是相當重要的。

(0V) (2.3V)

(2.7V) (3.1V)

(3.7V) (4.3V)

(7.6V) (10V)

FIG.5-5 不同電壓下未摩擦配向液晶盒的光學圖形

(0V) (2.3V)

(2.7V) (3.1V)

(3.7V) (4.3V)

(7.6V) (10V) FIG.5-6 不同電壓下摩擦配向液晶盒的光學圖形

5-2-2 電壓與穿透度的關係

遲量變化很大,而在60-90度電壓的增加反而使得液晶分子轉動會越 來越小,光學延遲變化量會越來越小。

FIG.5-7電壓與穿透度的關係

FIG.5-8 電壓與Retardation關係圖

但一般而言,液晶的臨界電壓是不會改變的( 33

0| |

th

V π K

ε ε

= Δ

[34]),但由於有預傾角的關係反而會對其臨界電壓與驅動電壓產生影

響。主要原因是預傾角的改變是由於錨定能量(Anchoring energy)的改 變,錨定能是由極性強度(Polar)以及扭曲(Torsional)強度所求出的,

因此極性強度的改變,使得臨界電壓公式必須再帶入修正項,導致會 比一般臨界電壓還低,因此隨著預傾角的下降(摩擦次數的上升),驅 動電壓將會下降,以圖5-7為例,N1的驅動電壓約為2.2V - 2.3V之間,

而N5的驅動電壓為2.0V-2.1V之間,N5的驅動電壓明顯的下降。因此 適當的選擇預傾角對液晶顯示器是相當重要的。

為了清楚釐清液晶的光學延遲量對各色光產生的影響,接著利用 氙燈光電量測系統對藍(432nm)、綠(555nm)及紅(630nm)三色光進行 穿透率的量測,其結果如圖5-9,依然發現摩擦次數為零次的各色光 的穿透率大約只有40%,跟摩擦次數為一次的穿透率(80%)相比較 差異依舊很大,而各色光穿透率到達最高點的電壓也不相同(順序為 藍,綠,紅),主要也是因為式(1)中 λ 波長的影響,由此也可以看 出在5-2-1 節中,顯微鏡觀察的圖像顏色順序為何是黑(0V)灰(2.3V) 白(2.7V)黃橙(3.1V)紅紫(3.7V)藍(4.3V)綠(7.6V)。

(a)

(b)

FIG.5-9 各色光的電壓與穿透率之關係(a)摩擦次數 0(b)摩擦次數 1

5-2-3 對比度的影響

我們將摩擦次數為零次、一次與五次做明顯的對照,使用光電量 測系統利用旋轉台量測範圍為正負70 度。利用對比度計算公式

BRIGHT

DARK

CR T

= T

CR(Contrast Ratio)為對比度,TBRIGHT為亮態的強度而TDARK為最 暗態的強度。如圖5-10,在此採用左右旋轉。

FIG.5-10 光電量測系統對比度

N0 的對比度最高約為 150 明顯比 N1 及 N5 差了許多,沒有摩擦 過的配向膜液晶分子會有缺陷對對比度影響甚大,反觀N1 及 N5 相 差並不會太多,但為何在正負20 度對比度只剩原本(0 度)一半?如圖 5-11,主要是在暗態的時候,液晶分子呈垂直的狀態,暗態角度到正 負30 度均為完全暗。但當轉動時,光的穿透量產生了變化,產生了

灰階。在正負20 度時亮度只剩 50%。若要解決這個情況,目前業界 使用的方法是用光學單一光軸高分子膜(Optically Uniaxial Polymer Film)或者是延遲膜(Retardation Film),均具有相當優良的效果。

FIG.5-11 垂直配向視角問題-亮度不均

但為了更明確的觀察出對比度的差別,我們使用顯微鏡搭配訊號 產生器及光電偵測器所量測到的圖形如下圖5-12,若兩偏光片互相平 行為7900mV,互相垂直定為 0mV,經過計算後,N0 最高的對比值 只有138,N1 與 N4 各為 232 以及 188。相較於無摩擦過的配向膜有 摩擦過的配向膜可以較容易獲得良好的對比值。摩擦強度也是影響對 比度的因素之一,較弱的摩擦強度,預傾角高,光不易產生雙折射現 象(光沿光軸行進),而摩擦強度較強的預傾角低,形成雙折射且摩 擦次數過多又容易形成缺陷而漏光,使得暗態能量相較於低摩擦強度 高,對比度反而下降。

FIG.5-12 電壓與透光強度的關係(顯微鏡)

90 度的時候,γ 的誤差將會很大。一般業界所採用的鮮銳度約為 10%,預傾角約為 89.5 度,而目前鮮銳度可以達到 10%的只有 N2。

FIG.5-13 預傾角與鮮銳度 γ(%)

第六章 結論

參考文獻

[1] F. Reinizerr, Monatshefte fur Chemie, “Beiträge zur Kenntniss des Cholesterins.,” 1888, 9,421.

[2]Peter J. Collings, Liquid Crystal-Nature’s Delicate Phase of Matter,

(1990).

[3] G.Vertogen,W.H. de Jet,Thermotropic Liquid Crystal, Fundamentals

(1988).

[4] Birenda Bahadur, Liquid Crystal-Applications and Uses, Vol. 1, World Scientific(1990).

[5]Fukuda, A., Takanishi, Y., Ishikawa, K., and Takezoe, H., J. Matter.

Chem., 1994, 29, 4.

[6] Y. Ouchi,H. Takezoe and A. Fukuda,Jpn. J. Appl. Phy.26 1 (1987) [7] Y. Ouchi,H. Takano,H. Takezoe and A. Fukuda,Jpn. J. Appl.

Phy.27 1 (1988)

[8] J. Kanbe,H. Inoue,A.Mizutome,Y. Hanyuu,K. Katagiri and S.

Yoshihara:Ferroelectrics 114 (1991) 3.

[9] D. Meyerhofer, Appl. Phys. Lett. 29, 691 (1976) [10] J. L. Janning, Appl. Phys. Lett. 21, 173 (1972)

[11] J. M. Pollack, W. E. Haas, and J. E. Adams, J. Appl. Phys. 48, 831(1977)

[12] K. Hiroshima, Jpn J. Appl. Phys. 21, 761 (1982) [13] C.Mauguin:Bull.Soc.Fr.Min.34,71(1911) 88 Digest 45 (1988)

[17] J. A. Castellano, Mol. Cryst. Liq. Cryst., 94, 33 (1983)

[18] T.Uchida ,M.Hirano, F.Yamamoto,and K.Nagai: J.Vac. Sci. Technol.

A8,631(1990)

[19] N.A.J.M.van Aerle, M.Barmentlo, and R.W.J. Hollering n:J.Appl.

Phys.74,3111(1993)

[20]D.-S. Seo, K. Muroi and S. Kobayashi, Mol. Cryst. Liq.

Cryst. 213, 223 (1992).

[21] G. Baur, V. Wittwer and D. W. Berreman, Phys. Lett. 56A, 142 (1976)

[22] T. J. Scheffer and J. Nehring, J. Appl. Phys. 48, 1783 (1977) [23] B. L. V. Horn and H. H. Winter, Appl. Opt. 40, 2089 (2001) [24] Shin-Taso Wu,Uzi Efron, and LaVerne D. Hess,APPLIED

OPTIC,23,3911(1984)

[25] R.L. Clough, High-energy radiation and polymers: A review of commercial processes and emerging applications,Nuclear

Instruments and Methods in Physics Research, B, 185, 8-33(2001) [26] H.Watanabe,T. Uchida and M.Wada , Jpn,J.Appl. Phys,11:

1559,1972

[27] Ban, B. S.; Kim, Y. B. In Proceeding of the 1st Korea Liquid Crystal Conference, 1998; Vol. 1, p31.

[28] Ban, B. S.; Kim, Y. B. In The 19th International Display Research Conference & Exhibition, Asia Display, 1998; P-84.

[29] Lee, K. W.; Paek, S. H.; Lien, A.; Angelopoulos, M.;

Stathis, J.; Fukuro, H.; During, C. Asia Display 1995, 363 [30] K.-W. Lee et al. , Macromolecules, 29 (1996) 8894.

[31] B. S. BAN,Y. B. KIM ,J.Appl.Polymer,Vol. 74 ,267-271(1999) [32] P.G. De Gennes , J.Prost, The Physics of Liquid Crystals,

p.163-197(1993).

[33] Motoichi OHTSU, Tadashi AKAHANE, and Toshiharu TAKO, J.J.Appl. Phy,VOL.13, No 4,APRIL, 1974

[34] V. Freedericksz and V. Zolina , Trans. Faraday Soc. 29, 919 (1933).

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