第五章 結論
5.1 實驗結果討論
經由一次一因子分析，田口實驗設計方法以及其他因素的分析後，已 大幅改善 SMIF 微環境潔淨度不佳之情況，並且可以長期有效控制 SMIF 微 環境當中污染粒子的減少，以維持在潔淨度不佳之異常率不超過 1%之有效 控制，將上述結果加以整理可以獲得下述結論:
1. 晶片固定支架材質、晶片與支架接觸次數、SMIF 微環境內部風速以及風 壓，經一次一因子顯示均為晶片載卸過程當中，微塵污染粒子產生的四 個主要因素。
2. POD 支架接觸晶片次數多寡，經實驗發現 Load/Unload 次數愈多，晶片 遭受污染的情形也會愈為顯著，因為 POD 內支架與晶片接觸與摩擦所造 成的污染粒子，會經 SMIF 內部機械作動所造成的氣流附著於晶片上，
經實驗結果發現經過 50 次載卸動作後微塵污染粒子數量有偏高情形發 生。
3. POD 支架的材質耐磨性會影響到 SMIF 內部之潔淨度，實驗結果顯示尤 其是 PC 支架在經過與晶片碰觸後所造成的污染粒子情形則較 PEEK 材 質所造成的污染粒子情形來的嚴重，為造成污染粒子產生之主因之一。
4. SMIF 內部載卸動作所產生的風速會影響到 SMIF 內部潔淨度，是為造成 晶片受到污染粒子附著之主因之一，經實驗及驗證後結果顯示風速維持 在 0.4m/s 的效果最佳。
5. SMIF 內部壓力大小也是為晶片受污染主因之一，內部若呈正壓會降低污 染粒子附著於晶片上之機率，經實驗及驗證後結果顯示風速維持在 360kPa 的效果最佳。
6. 本實驗所求得之最佳製程參數，經由產品驗證後可以顯著地降低污染粒 子附著於晶片上之機率，異常率可以獲得有效改善，微環境模組內部潔 淨度可以獲得有效的控制。
7. 本研究找出缺陷發生真因主要是運用材料 EDS 分析核對方法，並可將缺 陷類型建立資料庫，此方法也適用在晶圓廠生產線不同區域，對產業界 而言此方法相當具有貢獻。
8.
機械手臂移動速度之快慢，並非產生污染粒子之主因，對於 SMIF/POD 微環境之潔淨度無影響效應，所以我們使用移動速度較快之方式以達成 產品製造效率，增加機台產能(through put) ，故以 1.5 秒手臂移動速度為 最佳。參考文獻
[1]. Kaiser,A.M., Achieving Chemical and Particulate Isolation Through the Use of Minienvironment, Microcontamination, April. 1994.pp.35-39.
[2]. Gath,H.C., Honold, A. and Simon, R., A Systematic Approach to
Mini-environment Complexity, Proceed. Of Symposium on Mini-Environment, Institute of Environment Science, 1993,pp.488-493.
[3]. Ulrich Kaempf, Automated wafer transport in the wafer Fab, Hewlett-Packard Co. 1000 Circle road, Corvallis, OR 97330.
[4]. P.L. Campbell, “On track with intrabay automation”, Proceedings of “1996 industrial automation, Integration and control conference”, Society of
Manufacturing engineers, March 1996.
[5].SEMATECH Technology transfer document 95052811A-ENG, “Summary of material logistics in semiconductor manufacturing”, May 1995.
[6]. P.L. Cmapbell, “Overhead intrabay automation and microstocking- A Fab case study”, Proceeding of 1997 IEEE advanced Semiconductor Manufacturing conference.
[7]. Satoshi Sasaki, Hiroshi An, Yuzo Mori, Toshiyuki Kataoka and Katsuyoshi Endo, Evaluation of Particles on a Si Wafer before and after Cleaning Using a New Laser Particle Counter, pp. 317-320, 2001.
[8]. Yuro Mori, Hiroshi An, Katsuyoshi Endo, Kazuto Yamauchi and Takashi Ide : A new apparatus for measuring particle sizes of the order of Nanometer, International Journal of JSPE, vol.25 pp.214-219, Mar 1991.
[9]. Hiroshi An, Yuro Mori, Toshiyuki Kataoka, Katsuyoshi Endo, Koji Inagaki, Kazuya Yamamura, Karuto Yamauchi and Takashige Fukuike: A new apparatus for measuring particle sizes of the order of Nanometer(2nd Report)-Evaluation of measuring system by using standard particles- International Journal of JSPE.
Vol.28, pp.356-361, Apr. 1994.
[10]. H. An, S. Sasaki, Y. Mori, T.Kataoka, K.Endo, H. Inoue and K. Yamauchi:
Evaluation of Si Wafer Surface using a new apparatus for measuring particles of the order of Nanometer, Precision science and Technology for Perfect surface, Proceeding of the 9th ICPE, Osaka, Sept. 1999, pp.372-377.
[11]. Tadahiro Ohmi; Total: Room Temperature Wet cleaning for Si Substrate Surface, Journal of Electrochem. Soc. Vol. 143,.pp.2957-2964, Sept. 1996.
[12]. Taguchi, G., Off-line and On-Line Quality Control System, International Conference on Quality Control, 1978.
[13].莊逹人，VLSI製造技術，高立，民國九十二年。
[14].Peter Van Zant著，姜庭隆譯，半導體製程，第四版，滄海書局，民國九 十年。
[15].Michael Quirk，Julian Serda原著，羅文雄、蔡榮輝、鄭岫盈譯，半導體 製造技術，台灣培生教育，民國九十二年。
[20].蕭宗容等三人 300mm晶圓載卸模組之氣流及污染粒子特性研究，國立 台北科技大學冷凍空調工程系論文報告，民國九十年。
[21].黃欣儀 300mm晶圓載卸模組FOUP/LPU之污染粒子之流場特性研究, 國立台灣海洋大學機械與輪機工程學系碩士學位論文，2004。
[22].楊欣儒 半導體量測機台減少污染粒子之方法與分析，國立成功大學工 程科學系碩士學位論文，2007。
[23].陳耀茂譯 田口統計解析法，五南圖書出版公司，2003。
[24].鄭燕琴譯 田口品質工程技術理論與實務，中華民國品質管制學會發行, 1993. 。
[25].李輝煌 田口方法品質設計的原理與實務，高立圖書有限公司，2004。
[26].林秀雄 編著，田口方法與品質工程，新知企業管理顧問有限公司。
[27].Madhav S. Phadke原著，黎正中譯，穩健設計之品質工程，台北圖書有 限公司。
[28].Montgomery原著，黎正中譯，實驗設計與分析，高立圖書出版有限公 司，民國八十七年。
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