(Spectra-Physics，BeamLok 2080-KR)，光線由空間濾波器擴束，再 經過透鏡(f =26cm)使光線成為平面光波，接著通過一個二分之一波
個二分之一波長板調整為垂直極化方向，使兩道光線極化方向相同，
在干涉時才會有最大對比度，而曝光時間則由用快門來控制。
樣品曝光時，兩道光強度分別為0.5(mW/cm^2)，曝光時間依序 由20 秒開始增加，每次增加曝光時間一秒，另外我們也改變曝後熱 烤時間，攝氏65度加熱時間固定1分鐘不變，而攝氏 95度加熱時間 條件為3分鐘、4分鐘及5分鐘，相同條件下的樣品製備 2片或更多，
由以上步驟嘗試找出製作樣品的製程條件。
圖4.1 兩道光干涉架構圖
4-1-2 光阻顯影結果
二章純量繞射理論估計出可能的繞射效率：
圖4.2 (a)
圖 4.2 (b)
圖4.2 (c)
圖 4.2 (a)曝光 22 秒，加熱 3 分鐘，鍍金薄膜 (b)曝光 22 秒，加熱 4 分鐘，白金薄膜
(c)樣品截面，光阻層厚度
圖 4.3 (a) 曝後烤時間 3 分鐘，曝光 24 秒
圖4.3 (b) 曝後烤時間 4 分鐘，曝光 24 秒
圖 4.3 (c) 曝後烤時間 4 分鐘，曝光 25 秒
圖4.3 (d) 曝後烤時間 5 分鐘，曝光 24 秒
4-2 光學量測實驗 4-2-1 實驗架構
由於光阻結構為週期性光柵，所以我們也試著量測樣品的繞射效 率，並將量測所得的繞射效率與純量繞射理論值比較。繞射效率實驗 架構圖如圖4.4 所示，我們擋住兩道干涉光的其中一道，並且將樣品 面垂直入射光線，在樣品後面10cm處的位置以光偵測器量測零階與 一階繞射光強度。
圖4.4 繞射光強度量測實驗架構圖
4-2-2 實驗結果與討論
佳的結構，繞射效率不高。
圖 4.5 繞射光點
圖 4.6(a) 曝後烤時間 3 分鐘
圖4.6(b) 曝後烤時間 4 分鐘
圖 4.6(c) 曝後烤時間 5 分鐘
圖 4.6 不同熱烤時間之下，曝光時間對繞射效率結果
我們找出前一節裡以理論計算過的樣品，比較理論值與量測值：
coupled-wave analysis ;RCWA)[15][16]。另外在理論計算過程中的假設 為各個光柵結構均相同，而事實上，樣品光阻層表面不太可能相當平 整，不同位置光柵結構深度也不盡相同，光線可能因表面粗糙程度不 一，而有散射現象發生，造成繞射效率降低。造成光阻不平整的情況，
與光源有直接的關係，因為雷射光源經擴束後，雖然將其視為平面光 波，但是實際上光強度分佈可能還是會有不均勻情況發生，所以對光
阻曝光時，光阻結構的形成就會直接受到光強度分佈的影響；光阻層
烤時間較久，則鏈結反應太多，側壁變寬、凹陷處有被填滿的可能，
側壁結構的銳利程度會降低；雖然光阻微影的結果，通常都會遇到側 壁太寬或是太窄的問題，但是這種現象在數十微米尺吋的範圍影響較 不明顯，但是對週期寬度在1微米以下的範圍，光阻結構相當的靠 近，些微的誤差就會造成有較為顯著的影響，在尺吋愈來愈小的結構 下是個比較難以克服的現象。
SU8 光阻劑的製程參數條件也許較為嚴苛，必須要多次實驗對曝光 劑量的調整、對光阻加熱的時間控制，加強光學實驗技巧，才能有機 會找出最精確的條件。
第五章 結論
量繞射理論可能無法十分準確的描述此光柵的繞射效率；但屬 於薄光柵的範圍內，所以繞射角度則相當接近。
科學技術的發展是積極的朝著更小尺吋的結構邁進，以全像干涉 方式對SU8 光阻曝光製作結構確實是可行的方法，最被大家所熟 知的就是光子晶體的製作，但是以SU8 的特性而言，雖然材料性 質較佳，但是相對的實驗上所需的條件較嚴苛，需要更細微的調整 製程參數，改進實驗上的技巧，才有辦法做出更小更好的結構。