圖 2.1 對齊 Bottom 結構
圖2.2 不對齊 Bottom extend 結構
2-3 TOP結構
圖2.3，我們知道此結構的電場會下降，我們觀察此結構的 Channel/Drain 的 接 面 並 沒 有 改 變 ， 但 卻 造 成 電 場 的 下 降 。 所 以 Channel/Drain的接面變化因素被排除，然而我們觀察出其他的原因造 成電場的下降，首先增厚的Source/Drain造成離子怖植濃度位於表 面，高濃度範圍沒有到達Channel接面，因此造成電場下降。以及 Channel/Drain的接面處有增厚的Oxide會有類似FID的結構，我們知道 此結構可以降電場，所以我們去比較兩者因素，何者才是造成降電場 的主要原因。因此在TOP結構上增加離子佈植能量，使濃度增加，觀
察電場的變化，我們又另外製程一個單純邊緣增厚Oxide的結構圖 2.4，去判斷是否因為Air-cavity的結構，使接近Drain的區域會產生輕 參雜，導致電場下降的原因。
圖2.3 TOP 結構
圖2.4 增厚邊緣 Oxide 結構
2-4製成步驟
2-4.1Bottom製成步驟
圖2.5為Bottom結構的關鍵製程步驟，詳細的製程步驟如下：
1、一開始我們以矽基板(Silicon wafers)代替外界使用的玻璃基板做 為初始基板，在經由標準熱氧化成長厚度為 1μm 的 oxide 作為
2、光罩定義Drain寬度為L；L為1μm是對齊的Bottom結構、L為2μm 是不對齊的Bottom結構，蝕刻Oxide 2000 Å，再去光阻，沉積未 摻雜poly-si 3000 Å，平坦化製程。
3、沉積未摻雜poly-si 1000 Å、沉積Oxide 500 Å、再沉積一層厚度為 1000Å的摻雜磷(phosphorus)poly-si，其濃度為1e
20
(cm-3
)。4、以光阻做阻擋層依序蝕刻(phosphorus)poly-si 1000Å、oxide 500 Å，
再以濃度為 5e
15
(cm-2
)的磷離子及能量 35keV 下作離子佈植，去 光阻後，再進高溫爐管600℃下活化離子 6hrs。5、沉積厚度為3000Å的oxide做為Passivation，然後再穿洞沉積金屬來 定義各極點。
(a)
(b)
(c)
(d)
(e)
圖 2.5 Bottom 結構關鍵製程步驟
2-4.2 Top製程步驟
圖2.6為Top結構的關鍵製程步驟，詳細的製程步驟如下：
1、一開始我們以矽基板(Silicon wafers)代替外界使用的玻璃基板做 為初始基板，在經由標準熱氧化成長厚度為 1μm 的 oxide 作為 buffer oxide layer。
2、沉積未摻雜poly-si 3000 Å，用光罩定義出Channel長度，蝕刻未摻
雜poly-si 2000 Å，去光阻，沉積Oxide 500 Å、再沉積一層厚度為 1000Å的摻雜磷(phosphorus)poly-si，其濃度為1e
20
(cm-3
)。3、以光阻為阻擋層依序蝕刻(phosphorus)poly-si 1000Å、oxide 500 Å，
再以濃度為 5e
15
(cm-2
)的磷離子及能量 35keV 下作離子佈植，去 光阻後，再進高溫爐管600℃下活化離子 6hrs。4、沉積厚度為3000Å的oxide做為Passivation，然後再穿洞沉積金屬來 定義各極點。
(a)
(b)
(c)
(d)
(e)
圖2.6 Top 結構關鍵製程步驟
2-4.3 邊緣增厚Oxide製程步驟
圖2.7為邊緣增厚Oxide結構的關鍵製程步驟，詳細的製程步驟如
下：
1、一開始我們以矽基板(Silicon wafers)代替外界使用的玻璃基板做 為初始基板，在經由標準熱氧化成長厚度為 1μm 的 oxide 作為
2、沉積未摻雜poly-si 1000 Å，沉積Oxide 2000 Å，上光罩定義出 Channel長度蝕刻Oxide 2000 Å，去光阻，沉積Oxide 500 Å、再沉 積一層厚度為1000Å的摻雜磷(phosphorus)poly-si，其濃度為1e
20
(cm-3
)。3、以光阻為阻擋層依序蝕刻(phosphorus)poly-si 1000Å、oxide 2500Å，
再以濃度為 5e
15
(cm-2
)的磷離子及能量 35keV 下作離子佈植，去 光阻後，再進高溫爐管600℃下活化離子 6hrs。4、沉積厚度為3000Å的oxide做為Passivation，然後再穿洞沉積金屬來 定義各極點。
(a)
(b)
(c)
(d)
(e)
圖2.7 邊緣增厚 Oxide 關鍵製程步驟