4.1 屏蔽效率量測理論與計算
屏 蔽 效 率 的 量 測 有 數 種 不 同 的 方 式 , 而 其 基 本 的 概 念 如 圖 4-1(P.32)所示。圖 4-1 中的 Pi為入射電磁波的功率,Po 為無屏蔽介質,
Po
'是加入屏蔽介質的接收端電磁功率。定義插入損失(Insertion Loss):
' o o
P log P 10
IL =
(dB) (4.1)IL 值即代表量測所得之材料屏蔽效率。
我們所使用的量測方式參考 ASTM-D4935,如圖 4-2(P.33)所示,
為一有凸緣的同軸夾具(Flanged Circular Transmission-Line Holder),
圓盤形的待測物夾放於中。由於我們量測所用的電磁波頻率在 30MHz 到 1GHz 以下(FCC 規範之電磁輻射頻率範圍),其波長比量測機構的 尺寸大許多,故用電路元件模型作近似分析[6]。圖 4-3(P.33)為理想的 電路結構,尚未考慮接面之間的電容效應。此模型下我們可以推得:
L 0
Z 2 1 Z log 20
IL = +
(4.2)圖 4-4(P.34)為考慮夾具-待測物與夾具之間的電阻及電容。由實 驗資料我們定性討論高頻情形下這些電阻電容造成的影響。設 Z0為
20 log T Z
2 1 Z log 20 IL
L
0
= −
+
=
(4.3)的條件下將 ZL分別在 30MHz,1GHz 頻率下以電阻元件代之,以便 作電路分析並比較。
利用 SPICE 電路軟體輔助,我們模擬了圖 4-4 的電路並比較 30MHz 及 1GHz 的變化,歸納討論以下幾種情形:
•當 RA、RB、RE、RF極小而視為短路時,IL 接近於理想值。
•當 RA、RB、RE、RF非為短路時:
1. 當 CA、CB、CE、CF 視同短路,即電容值相當大,ωC>>1。
圖 4-5(P.34)表示在 30MHz 與 1GHz 之下,R 與 C 對 IL 值的關 係(設 R=RA=RB=RE=RF且 C=CC=CD)。可看出在 30MHz 時 IL 約接近 40dB 的 R、C 範圍之中,對應到 1GHz 時有部分區域 出現衰減。
2.當 CA、CB、CE、CF非視為短路時,由於變數眾多,難以簡單 描述,但可歸納出一現象,即是當 CA、CB、CE、CF越小,高 頻衰減現象越不明顯。圖 4-6(P.35)為當 CA、CB、CE、CF視為 開路時,RA、RB、RE、RF的影響。此時接觸電阻越大,IL 值 將大於理想值。
由上述歸納結果,我們相信接觸電阻及電容在量測過程中會是不 28
可避免的因素之一,很可能影響量測結果。另外,若材料導電率越高,
其接觸電阻需越小越好,否則更容易受電容影響。以圖 4-7(a,b)(P.35) 為例,同樣令接觸電阻、CA、CB、CE、CF極大,Cc=CD=C 從 100nF 到極大值。圖 4-7(a)的材料導電率較低(500S/m),故高頻下不較被電 容影響。圖 4-7(b)導電率為 1500S/m,屏蔽效率較高,在同樣的電容 影響下,明顯比圖 4-7(a)更受影響。至於在低頻時兩者落差較大的原 因是在低頻時若 Cc、CD電容小,阻抗將很大,使量測之 IL 值降低很 多,故低頻亦有其限制。實際上電阻電容的值隨著材料性質、與夾具 接觸緊密程度會有所不同,理論上我們希望接觸電阻越小越好,而電 容值越大越好。
4.2 導電材料之量測結果與討論
材料屏蔽效率量測結果如表 4-1(P.32)。我們發現使用粉末狀的金 屬混合塑膠材料很難達到電磁屏蔽的作用,原因若以材料導電率的觀 點來看,鋁粉及鋁片的直徑小於 20μm 以下,顆粒之間較難產生連 通的網狀結構。根據滲透理論得到的結果[7],必須超過相當的臨界含 量,其導電率才會明顯上升[8-12],如圖 4-8(P.36)所表示,ö1與 ö2分 別為展弦比為 A1與 A2的導電填充物之滲透臨界值。因 A1大於 A2,
超過 30%導電效果仍不明顯。且實驗結果發現摻雜物比例越高,越容 易造成金屬-基材間的接合不良,材料會明顯地脆化,使機械強度降 低,製程困難度增加。故摻雜纖維狀的導電物將會是較佳的方式。我 們改用耐龍(PA66)作為基材(matrix),添加的纖維(fiber)為鋼絲與碳纖 維、玻璃纖維。量測結果發現,玻纖並沒有屏蔽的作用,而鋼絲混合 不均勻。鋼絲的混合不良,降低了屏蔽效率,若改進製程應會有更佳 的效果。混合碳纖維與鋼絲的試片則有最好的屏蔽效果,於是我們選 擇碳纖維作為進一步研究的材料。
為了驗證電磁屏蔽的理論,我們量測複合材料的導電率,進而計 算屏蔽效率。我們假設的前提是:材料內的纖維結構、空隙遠小於 1GHz 以下的電磁波波長。對於 PA66 而言,其相對介電係數在 1GHz 以下並沒有太大變化,約在 3-4 之間[13],故將材料視為均勻介質。
導電率(σ)的量測,參考 ASTM-D257 測試方法,將材料(接觸面積 A,
厚度 L)兩面緊密接觸金屬(圖 4-9,P.36),量測其電阻值 R,然後可由:
A R
L
= ×
σ
(4.4)得到導電率σ。在量測時,由於材料導電率已相當高,故量測時的接 觸電阻會影響結果。我們假設量測時金屬與材料的接觸電阻為 Rc,
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量測面積 A,而厚度分別為 L1、L2的兩個相同材料,所量得的總電 較如圖 4-11(P.37)所示。在 30MHz 頻率下,屏蔽效率為 40.5dB,在 100MHz 時已超過 50dB,至 1GHz 時達 63.7dB。圖中的虛線為理論 的 SE 值,實線則是假設其他因素不影響量測的情形下,估計電容效 應(Cc、CD)約在 10nF 左右,而接觸電阻(RA、RB、RE、RF)在 0.1Ω左 右所造成的影響。我們由此計算可發現無論在高低頻下將較符合量測 值。
圖4-1 屏蔽效率之基本量測方式
Z
0Z
LV
iZ
0圖4-3 屏蔽效率量測之理想電路結構
Test Sample reference
13.3 cm 3.2cm 7.6cm
圖4-2 屏蔽效率量測設備的結構
Test Holder
Signal Generator (HP8646A)
Spectrum Analyzer (HP8567A)
log R
log C
圖4-5 固定頻率下,R與C對IL值的關係
30MHz
1GHz
高頻IL衰減區域
C
AC
BZ
0R
AR
BC
CV
iC
FZ
0Z
LC
ER
EC
DR
F圖4-4 考慮接面間電容電阻之電路結構
IL
圖4-7 Cc與CD從100nF到1F時 ,頻率與IL的關係。
(a) σ=1500S/m (b) σ=500S/m
IL IL
frequency frequency
C=100nF
C=1F C=1F
C=100nF 圖4-6 C視為開路時,R與頻率對IL的關係
log frequency log R
IL
導電率
填充導電物比例 ö1 ö2
(L/D)=A1 (L/D)=A2
A2<A1
圖4-8 添加纖維長寬比不同,含量與導電率的關係
Metal
Sample
Ω
圖4-9 材料導電率量測方式
Number of Sample
圖4-10 導電率量測結果(PA66+CF+SSF)
圖4-11 屏蔽效率的理論值、量測值與接觸電阻,電容 影響之計算值
Frequency(Hz)
Sheilding Effectiveness(dB)
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
conductivity S/m
Calculation without capacitance effect
Calculation with capacitance effect
Measurement
第五章 結論與未來工作
我們已利用電木、耐龍、液晶高分子塑膠材料與鋁粉、鋁片、碳 纖維、鋼絲等金屬填充物混合,以熱壓縮成形、雙螺桿混合、射出成 形法製作導電化的材料。製程上,以雙螺桿混合長度 5mm 的碳纖與液 晶高分子,可穩定輸出的混合比上限為 10%。欲達到更高的比例,須 使用較短的碳纖;鋼絲與碳纖、玻纖混合時,較難分佈均勻;以熱壓 縮成形法製作圓片時,其模內溫度控制在 320℃左右為適當,且由實 驗中得知,為減低氣泡含量,須注意其壓縮程序,。
由材料的金相分析及屏蔽效率量測結果,發現含鋁粉及鋁片的導 電物無屏蔽效果,而 30%碳纖維可以使屏蔽效率達到 40dB 以上。從 量測結構的等效電路觀點討論電磁屏蔽實驗值與理論值,其接面的電 阻電容為造成量測值較理論低的原因之一。本研究的結果顯示,碳纖 維混合塑膠材料有較高的屏蔽效率,因此利用碳纖維填充塑膠複合材 料之塑膠成型封裝適合應用於低價位光電模組的選擇。
為了製造品質穩定的材料並使其電磁屏蔽效率提高,其涉及的領 域相當廣泛,包括化工,機械,電機等等且彼此相關。其中,製程對 纖維分佈[14-18]、纖維分佈對材料特性[19]、電磁波散射及吸收的
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行為[20-23]以及電磁屏蔽理論與實驗的不確定因素[24,25]等等,可 說相當複雜,理論及實驗上都有待進一步深入研究。未來須努力的目 標為:
一、利用射出成型模具的設計控制纖維分佈,或以金屬線分層排 列於塑膠薄片的方式,研究其纖維方向對屏蔽效果的影響。
二、更深入探討影響電磁屏蔽量測的結果,除了接面電阻電容 外,量測系統以及材料的均勻度、人為因素,都是造成誤差 的原因。
三、配合塑膠封裝雷射模組製作的需求,研究適當的導電性塑膠 材料製程,並解決其電磁干擾的問題。
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