平坦層 Planarization layer

CT 平坦層評估的重點如下:

1.可見光高穿透性(> 95 % after curing) (400 ~ 700 nm) 2. Particle level(顯影後) (< 100 counts，based on 0.3 um) 3. 膜厚的均勻性(spec.: < 1 % by 9 points)

4. Good adhesion for RGB (depends on process recipes)以下將以 laye 分別敘 述製程微調歷程和分析結果。

這裡主要提供的數據是針對永光的EOC100，因以上述條件而言，在跳 過顯影和烘烤時(全曝並不用光罩)，RGB 在 EOC100 上的 peeling margin 大 於在Fuji-Film 之 CT-3050L，且 CT-3050L 在烘烤後，晶面有 shot 性的淡綠 色之溶劑殘留，改用黃光的高溫熱盤烘烤亦無效，故Fuji-Film 的 CT-3050L

暫時不評估。根據永光所提供的transmittance spectra 數據，EOC100 (1.8 　 m)在 200C30M curing 後，其 transmittance 在可見光區約 98 %，符合我們 的標準 (> 95 %)。為方便 run 貨，平坦層 CT 與 RGB 的顯影液 D.I. water rinse mode 須統一，在 run 貨時，顯影液才不用 purge，而硬體也不用改，

但RGB 對顯影液和沖洗方式較關鍵，故我們擬將永光的平坦層所用顯影液 變更成Fuji-Film 的顯影液，但以永光建議 EOC100 的條件(PB = 110°C w/o PEB)，使用 Fuji-Film 的顯影液 CD-2030 和噴灑沖洗方式去顯影，發現晶 片會有殘留的光阻，此為顯影極度不均之現象，懷疑是曝光量不足，當時 曝光量為48 msec，因此，改變不同曝光量(spin speed = 1200 rpm)去尋找最 佳條件，data 如下

圖 3- 3 彩色濾光片曝光量分佈圖

上述的資料是用QZ131 (long scan profiler, depth measurement)測量的，在完 全不 PEB 下，曝光量約到 80 msec 就達飽和了，但晶片還是會有殘留的光 PEB 達成完全反應效率，因光阻的內聚力不足，無論

使用多大的曝光量，在此條件下，晶片還是會過度顯影，由實驗證明了材 料特性，雖然曝光量對反應效率是關鍵，在常溫下即可形成鍵結，但需一 段時間，而 PEB 正是加速因子。另外，我們嘗試改變一些條件去測試顯影 後Particle level，資料如表 3-2

表 3- 2 Particle Level for 彩色濾光片平坦層

可知HMDS 對 Particle level 有決定性的影響。原條件(PB = 110°C) 加上 PEB (70°C，90 sec) 後，其 particle counts 也高達 727 顆因此調降 PB:110 至100°C 並提升 PEB: 70 至 °80 C，且不上 HMDS，此為最佳條件。一般 而言，CT 平坦層在烘烤後的膜厚約 2um，以此為基準，確認厚度的均勻性，

詳細資料如表3-3

表 3- 3 彩色濾光片平坦層均勻性

表中的均勻性= (range/mean)x100 %。在不用 PEB 下，就如同前述過度 顯影並顯影不均，造成PDB 後，均勻性= 6.96 %，而最終條件 (PB = 100°C/120sec， PEB = 80°C/90sec) 卻可在顯影後，進一步提升均勻性(0.88

至0.68 %)。平坦層製程參數嚴重影響 RGB 對平坦層的 adhesion 程度，舉 Blue (0.6um)來說，若 EOC100 不加 PDB 步驟，曝光量需 800 msec 以上，

Blue layer 方才不會剝落，但若進行正常步驟 (顯影+顯影後烘烤)，並變更 烘烤條件: 200°C/30Min 至 220°C/60Min，則曝光量僅需 300 msec 以上，即 不會光阻剝落，至於顯影.、顯影後烘烤和烘烤溫度提升三者分別的效應，

並無詳細具體數據，不過，因在顯影後，晶片表面通常較粗糙，故可用微 調三者來增加RGB 光阻剝落極限。