I. 快閃記憶體簡介
自2000年底Flash被發明和應用以來，快閃記憶被應用的頻率迅速增加。
最近十年來日益普及的行動電話、數位相機、PDA等都已廣泛利用快閃 記憶體作為永久性儲存記憶體。二十多年的發展過程中，快閃記憶體技 術經過了多次變革和發展。但其變化的總體趨勢一直都是：存儲容量越 來越大、資料讀寫速度越來越快、性能價格比越來越高。
II. 快閃記憶體分類
全球 Flash 記憶體的技術主要掌握在 AMD、ATMEL、Fujistu、Hitachi、
Hyundai、Intel、Micron、Mitsubishi、Samsung、SST、SHARP、TOSHIBA，
由於各自技術架構的不同，分為幾大陣營。
A. NOR
NOR 技術（亦稱為 Linear 技術）Flash 記憶體是最早出現的快閃記憶 體，目前仍是多數供應商支援的技術架構。與其它快閃記憶體技術相 比，具有可靠性高、隨機讀取速度快的優勢，因此適合用在儲存程式 碼。但由於 NOR 技術快閃記憶體的擦除和程式設計速度較慢，因此擦 除和程式設計操作所花費的時間很長，在純資料存儲和檔存儲的應用 中，NOR type 顯得相當弱勢。
B. DINOR
DINOR(Divided bit-line NOR)技術是 Mitsubishi 與 Hitachi 公司發 展的技術，DINOR 技術快閃記憶體和 NOR 技術一樣具有快速隨機讀取 的功能，按位元組隨機程式設計的速度略低於 NOR，而 block erase 速度快於 NOR flash。
C. NAND
NAND type 快閃記憶體 是由 Samsung、Toshiba 和 Fujitsu 共同推動。
這 種 結 構 的 Flash 適 合 於 純 資 料 儲 存 和 檔 案 儲 存 ， 主 要 作 為 SmartMedia 卡、CompactFlash 卡、PCMCIA ATA 卡、ＳＳＤ的存儲單 元，並成為 Ｆlash Disk 的儲存核心。NAND type Flash 具有以下特點：
Block 為單位進行 erase，1 個 Block 為 4K、8K 或 16KB。，其 block erase 時間是 2ms；而 NOR 技術的 Block Erase 除時間達到幾百 ms。資料、
位址採用同一匯流排，實現串列讀取。隨機讀取速度慢。晶片尺寸小，
Pin 腳少，是成本最低的固態記憶體，將很快突破每百萬位元組 1 美 元的價格限制
D. UltraNAND
AMD 與 Fujitsu 共同推出的 UltraNAND 技術。它與 NAND 標準相容：擁 有比 NAND 技術更高的可靠性。儘管 UltraNAND 技術具有優勢，但在當 前的市場上仍以 NAND 技術為主流。
E. AND
AND 技術是 Hitachi 公司的專利技術。Hitachi 和 Mitsubishi 共同支 援 AND 技術的快閃記憶體。目前，在資料和檔案儲存領域中是另一種 佔重要地位的 flash 儲存技術。Hitachi 公司用該技術製造 128MB 的 MultiMedia 卡和 2MB 的 PC-ATA 卡，用於智慧型電話、個人數位助理、
掌上型電腦、數位相機、可擕式攝像機、可擕式音樂播放機等。
F. EEPROM 快閃記憶體
EEPROM 具有很高的靈活性，可以隨機讀寫（不需要擦除，可直接改寫 資料），但存儲密度小，單位成本高。
III. 快閃記憶體原理
Flash 是由 Memory cell 組合而成。依照不同的組合方式，可分成不同 的 Flash，如 Nand flash、Nor flash….。Flash cell 構造如圖表 36:
圖表 36 flash memory cell 構造圖
資料來源 : 請參考 reference[13]
A. Flash Programming
如圖表 37 所示，當要 program flash cell 時，將 Control Gate 上 的 VG 連接到一組高電壓(通常為 12V～20V)，而 Basic Gate 的 Drain 極 接上一組低電壓(0～6V)，由於壓差的關係使的電子突破穿隧氧化層，使 floating gate 可保持一個電壓 Vt，當平常不接電壓時由於 Floating gate 由絕緣層包裹起來，因此電子可以保存在 Floating gate 中，達到保存 電荷(資料)的目的
B. Flash Erase
如圖表 38: 當要 Erase flash cell 時，將 Control Gate 上的 VG 接 地，而 Basic Gate 的 Source 極接上一組高電壓(18～12V)，由於壓差的 關係使的電子突破穿隧氧化層，使的 floating gate 中電子被釋放出來 達到 Erase 的目的。
圖表 38 flash memory Erase 示意圖
資料來源 : 請參考 reference[13]
圖表 37 flash memory 寫入示意圖
資料來源 : 請參考 reference[13]
C. Flash Read
如圖表 39: 當要Read flash cell時，將Control Gate上的VG接地，
而Basic Gate的Source極接上一組電壓(約 1V)，如果Floating gate Vt 為High則Substrate 為P Type，因此可以偵測到電流。若Floating gate Vt為Low則Substrate 為N Type6
IV. 快閃記憶體技術瓶頸
，因此可以偵測不到電流。藉由偵測 Substrate的電流則可以讀出memory cell的值。
A. Endurance 及 Retention
影響快閃記憶體最重要的因素為 Endurance 及 Retention
Endurance : 指 Flash 的耐久度，即 Flash 的讀寫次數。一般 Flash 在讀寫次數超過定值後，會變成非常不穩定，甚至會影響資料的存 取。
Retention：指記憶體中資料保存的年限，通常規格為 10 年。
B. Read Write disturb
現象：快閃記憶體在偶然的機會下會造成 Access 不正確。
原因：
1. SILC(漏電流)。
2. CHE 應力。
6 N ,P type 為半導體的兩種架構，讀者可參考其他半導體理論的著作，再回頭來參考本文。
圖表 39 flash memory 讀取示意圖
資料來源 : 請參考 reference[13]
自 傳
我是以積極的態度來面對自己的人生，會努力的爭取所有的機會。
我來自中部彰化市，畢業於東海大學資訊系。家中人口簡單，生活 單純，父親從商，母親家管，家境小康。由於父母親對於女子的教育與 學習，總是有著相當的期盼，因此家中的孩子，總也不負父母的期望，
在各行各業中，均能學以致用貢獻所長
在我求學過程，一路平順，在學期間受到學校自由的學習風氣及老 師們尊重學生的想法，讓我在學生生涯中，受益頗深，同時也讓我學會，
可以站在不同的角度去思考事情，這樣的訓練讓在往後自主及邏輯思考 增益不少。
從小我就對電子產品有濃厚的興趣，常常拆卸家中的電子產品並加 以重新組合，由於個人的性向所趨，父母也尊重我的想法，因此，我在 興趣與學習合而為一的理念下，便朝向與資訊有關的產業去學習。我大 學唸的是東海大學資訊科學與工程，主要的學習項目的大部分集中在資 訊產業有關知識上，由於學校對於基礎科學相當重視，因此我在相關課 程的基礎理論的專業知識，可謂相當紮實，這樣的經驗，讓我在面對不 同的工作環境與工作內容，都可以在最短的時間內上手。
在過去的職場經驗中，歷經兩年的 ERP 開發工程師，因此讓我熟悉 ERP 觀 念 與 系 統 開 發 流 程 ( 在 專 業 技 能 上 熟 JAVA,application server,database,JSP,three tier 架構)。另外我有 3 年的韌體工程師 經驗，專長在於以 RTOS 為平台的 Embedded 系統開發，開發的產品為 MFP。由於系統的需要，曾經接觸的部分有(DSP 影像處理，flash memory 韌體開發，ARM(ARM9,ARM7)的韌體開發，RTOS(Nucleus，threadx，File System，USB 韌體開發，MEMORY CARD 韌體開發)。
在這個瞬息萬變的產業中，保持彈性與充沛的精力，加上時時不停 學習的心，更是讓自己永不停頓的重要能源；在我的生命中，不斷的學 習更是挹注我生命成長的重要養份，由於有感於自己的能力與學歷的不 足，所以在 95 報考交通大學的資訊學院碩士在職專班。很幸運的以免 於口試的成績考上專班，並且請張立平教授擔任指導教授，從事跟工作 相關的研究，深刻的體會到學問與工作相互結合與驗證。
希望在機會來到時，我已經準備好了。