未來研究方向

z 評估方法的設計

本研究中針對實驗結果評估部分尚未做深入的研究，專利趨勢的解釋仍需 要研發分析人員或專利管理師進行解讀，探勘出的專利趨勢的品質會因人而 異，缺乏一客觀的評估標準，因此設計一合適的評估方法可做為未來的方向。

z 其他方法應用在專利趨勢探勘中

本研究使用變化探勘，挖掘專利變化趨勢。專利趨勢變化探勘的方法尚有 發展空間，因此發現其他方法應用於專利趨勢探勘也是一個可延續的研究方向。

z 技術領域與概念階層應用

將國際專利分類整合概念階層，進行概念邏輯分類之後再進行專利趨勢變 化探勘，也是本研究可延續的方向。

參考文獻

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附錄一、半導體領域之主要國際專利分類號

3階IPC 半導體領域所屬5階IPC分類

C23C 016/00：經由氣態化合物分解且表面反應產物不留存於鍍層內之化學 鍍覆

029/94：金屬－絕緣體－半導體

031/062：係金屬－絕緣體－半導體型勢障者 031/113：為導體－絕緣體－半導體型者 031/119：以場效應工作為特徵者

資料來源：經濟部智慧財產局，資策會科法中心，2003年9月[28]

附錄二、光電顯示領域之主要國際專利分類號

021/786：由在一共用基片內或其上形成之多個固體組件組成的裝置或

031/20：對紅外輻射，光，較短波長之電磁輻射，或微粒輻射敏感者，

且或適用於將此種輻射能轉換為電能者，或適用於通過此種輻射進行 電能控制的半導體器件或其零部件之製造或處理方法或裝置，包含非 晶半導體材料之裝備及裝備之部件

031/036：對紅外輻射，光，較短波長之電磁輻射，或微粒輻射敏感者，

且或適用於將此種輻射能轉換為電能者，或適用於通過此種輻射進行 電能控制之半導體器件或其零部件，且以其晶體結構或以結晶面之特 殊取向為特徵者

031/0376：對紅外輻射，光，較短波長之電磁輻射，或微粒輻射敏感 者，且或適用於將此種輻射能轉換為電能者，或適用於通過此種輻射 進行電能控制之半導體器件或其零部件，且以包含非晶半導體之晶體 結構或以結晶面之特殊取向為特徵者

031/0392：對紅外輻射，光，較短波長之電磁輻射，或微粒輻射敏感 者，且或適用於將此種輻射能轉換為電能者，或適用於通過此種輻射 進行電能控制之半導體器件或其零部件，且包含澱積於金屬或絕緣體 襯底上之薄膜

045/00：無電位勢障或表面勢障者、適用於整流、放大、振盪、或切 換之固體裝置，如介電三極管；奧弗辛斯基效應裝置；製造或處理此 等裝置或其部件所特有的方法或設備

049/02：薄膜或厚膜裝置

資料來源：經濟部智慧財產局，資策會科法中心，2003年9月[28]