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第三章 Yb:YAG 環形雷射

3.2 雷射效率提升

3.2.1 溫度影響

由於Yb:YAG 屬於準三能階雷射,其雷射下能階與基態能階很接 近,能階差只有0.0975 eV。當雷射處於操作狀態時,下能階的電子 會吸收共振腔內 1030 nm 的光子而躍遷至上能階,造成重複吸收損 耗,因此當溫度升高時,雷射的居量反轉數就會降低,因此重複吸收 損耗是影響雷射輸出功的重要因素,圖

3.2

為重複吸收損耗示意圖,

當準三能階雷射增益介質的散熱不佳,或是幫浦功率提高時,重複吸 收損耗便會更加嚴重,因此我們必須設計一個效率佳的散熱結構。

Yb:YAG

1030 nm

I/C O/C

d Ti: sapphire

laser

聚焦透鏡 f=75 mm

線偏振片半波片

圖 3.2 重複吸收損耗示意圖

在我們的環形共振腔中,我們將Yb:YAG 固定在紅銅製的晶體座 上,晶體座的前端夾住Yb:YAG,並利用紅銅本身極佳的熱傳導率,

將 Yb:YAG 的熱量帶出,晶體座後端與 TE-cooler 的冷端接觸,並在 TE-cooler 的熱端接上鰭狀散熱片將熱量散出,

圖 3.3

為 TE-cooler 冷 端與熱端的示意圖,圖

3.4

為TE-cooler 的工作原理,利用一組 P、N 型半導體作為基本單位,當加入一直流電源後,對 P 型半導體而言,

是由電洞將熱量從上端帶到下端,對 N 型半導體來說,由電子將熱 量從上端帶到下端造成上下端溫差,形成冷熱端[19]。如圖

3.2

,冷熱 端分別由兩片陶瓷片所組成,陶瓷片是不具導電性且傳熱性良的材 料,其中冷端接觸Yb:YAG 晶體座,熱端利用鰭狀散熱片及風扇將熱 量散出,表

3.1

為實驗用之TE-cooler 之規格表,其中,Imax表示最大 輸入電流;Vmax表示當輸入最大電流時的工作電壓;ΔTmax為TE-cooler 沒有熱負載時(Q=0),冷端與熱端的最大溫差,Qmax為當 ΔT=0 時,

模組可承受最大的幫浦熱量。

△E≒ 0.1 eV 重複吸收損耗

基態能階 1030 nm

Upper laser level 10327 cm-1

Lower laser level 612 cm-1

圖3.3 TE-cooler 之結構[19]

圖 3.4 TE-cooler 工作原理[20]

表 3.1 實驗用之 TE-cooler 之規格表

TH = 25°C Dimensions (mm) Catalog Number Imax

(Amps) Qmax

(Watts) Vmax

(Volts) ΔTmax

(°C) CP 1.0-127-08L 2.5 21.4 15.40 67

30x30x4

我們利用 Ti:sapphire 雷射量測 20-at.% doped Yb:YAG 的吸收頻 譜,所量測得的吸收頻譜如圖

3.5,溫度計的感應器是貼在晶體座的

前端距離Yb:YAG 約 1 cm 的位置,我們利用改變 TE-cooler 的電流來 控制溫度,分別量測 Yb:YAG 在 10oC 與 20oC 的吸收頻譜,由圖

3.4

可以看出有兩個吸收峰值,分別在 941 nm 和 969 nm,在接近室溫的 時候,兩個波長的吸收係數相當接近,而且在10o時,吸受係數都比 在室溫附近來的高,雖然我們使用的 Yb:YAG 在 10o時對 969 nm 波 長的光吸收略高於941 nm,但是由於 969 nm 在低溫時吸收頻寬相當 窄,因此我們還是選擇941 nm 作為我們的幫浦光源波長。

0 5 10 15 20 25 30

920 925 930 935 940 945 950 955 960 965 970 975 Wavelength (nm)

Absorption coefficient (cm -1 )

圖3.5 20-at.% doped Yb:YAG 吸收頻譜 10oC 20oC

圖 3.6 為 Yb:YAG 環形雷射的斜率效率及幫浦閥值與溫度的關

Temperature (oC)

Slope efficiency (%)

390

由 上 述 實 驗 結 果 , 包 括 吸 收 頻 譜 的 量 測 , 以 及 改 變 溫 度 對 Yb:YAG 環形雷射表現的影響,我們可以知道,影響雷射表現最重要 的因素在於散熱系統,雖然我們可以持續加大 TE-cooler 的電流使溫 度繼續降低,但會造成水氣凝結在銅製散熱座上,我們擔心水氣會破 壞 Yb:YAG 晶體上的光學鍍膜,因此實驗時都將銅座溫度控制在 10oC,我們嘗試改善我們的晶體散熱座設計,圖

3.7

是我們舊式的晶 體散熱座,而圖

3.8

則是改過設計的新式晶體散熱座,整個散熱座的 熱源便是在尖端吸收幫浦光的Yb:YAG 晶體,我們試著改進的一點便 是讓熱端接近散熱器,比較圖

3.7

與圖

3.8,可以發現熱端與散熱座

的距離,由原本的50 mm 縮短為 20 mm,我們並試著加大銅座的面 積,因此將新式的散熱座設計成只有在我們共振腔內的部份是細的,

將後端改成梯形形狀加大銅座面積,在改善散熱座後,實驗結果顯示 雷射效率有明顯的提升,而最後的實驗結果會在本章的

3.4 節呈現。

圖3.7 舊式晶體座的詳細規格

圖3.8 新式晶體座的詳細規格 單位:mm

單位:mm

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