Chart of ball shear average value
4.6 球衝擊試驗分析
表4.5-1
不同錫球成份於IT 與 DSOP 基板上，在經過多次迴焊後 IMC 厚度數值
圖4.5-1
不同錫球成份於IT 與 DSOP 基板上，在經過多次迴焊後 IMC 厚度變化
IT 基板 DSOP 基板
14
SAC405 SAC105 LF35 SAC105_
0.05Ni
SAC105_
0.01Ge
SAC405 SAC105 LF35 SAC105_ SAC105_
0.05Ni 0.01Ge
Solder ba
composit ll ion
PPT_IT UMTC_DSOP
Substrate
14
SAC405 SAC105 LF35 SAC105_ SAC105_ SAC405 SAC105 LF35 SAC105_ SAC105_
0.05Ni 0.01Ge 0.05Ni 0.01Ge
Solder ba
composit ll ion
PPT_IT UMTC_DSOP
Substrate
圖
錫球 基板零次迴焊 厚度
4.5-3
SAC405 + IT IMC SEM
圖4.5-4
SAC405 錫球 + IT 基板三次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-5
SAC405 錫球 + IT 基板五次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-6
SAC405 錫球 + IT 基板十次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-7
SAC105 錫球 + IT 基板零次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-8
SAC105 錫球 + IT 基板三次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-9
SAC105 錫球 + IT 基板五次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-10
SAC105 錫球 + IT 基板十次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-11
LF35 錫球 + IT 基板零次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-12
LF35 錫球 + IT 基板三次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-13
LF35 錫球 + IT 基板五次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-14
LF35 錫球 + IT 基板十次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-15
SAC EM
SAC EM
105 加 Ni 錫球 + IT 基板零次迴焊 IMC 厚度 S
圖4.5-16
105 加 Ni 錫球 + IT 基板三次迴焊 IMC 厚度 S
SAC EM
SAC EM
圖4.5-17
105 加 Ni 錫球 + IT 基板五次迴焊 IMC 厚度 S
圖4.5-18
105 加 Ni 錫球 + IT 基板十次迴焊 IMC 厚度 S
圖4.5-19
SAC105 加 Ge 錫球 + IT 基板零次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-20
SAC105 加 Ge 錫球 + IT 基板三次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-21
SAC105 加 Ge 錫球 + IT 基板五次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-22
SAC105 加 Ge 錫球 + IT 基板十次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-23
SAC405 錫球 + DSOP 基板零次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-24
SAC405 錫球 + DSOP 基板三次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-25
SAC405 錫球 + DSOP 基板五次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-26
SAC405 錫球 + DSOP 基板十次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-27
SAC105 錫球 + DSOP 基板零次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-28
SAC105 錫球 + DSOP 基板三次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-29
SAC105 錫球 + DSOP 基板五次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-30
SAC105 錫球 + DSOP 基板十次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-31
LF35 錫球 + DSOP 基板零次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-32
LF35 錫球 + DSOP 基板三次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-33
LF35 錫球 + DSOP 基板五次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-34
LF35 錫球 + DSOP 基板十次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-35
SAC M
SAC M
105 加 Ni 錫球 + DSOP 基板零次迴焊 IMC 厚度 SE
圖4.5-36
105 加 Ni 錫球 + DSOP 基板三次迴焊 IMC 厚度 SE
SAC M
SAC M
圖4.5-37
105 加 Ni 錫球 + DSOP 基板五次迴焊 IMC 厚度 SE
圖4.5-38
105 加 Ni 錫球 + DSOP 基板十次迴焊 IMC 厚度 SE
圖4.5-39
SAC105 加 Ge 錫球 + DSOP 基板零次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-40
SAC105 加 Ge 錫球 + DSOP 基板三次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-41
SAC105 加 Ge 錫球 + DSOP 基板五次迴焊 IMC 厚度 SEM
圖4.5-42
SAC105 加 Ge 錫球 +DSOP 基板十次迴焊 IMC 厚度 SEM
4.6
，並分
示。
球衝擊試驗分析
此實驗以原有的五組錫球合金成份組合，搭配上IT 與 DSOP 兩種基板 別拿未經過迴焊與過三次迴焊的植球樣本做球衝擊試驗，總共二十組，如下表所
表4.6-1 球衝擊試驗組合
C 的上
基板的上升能量(Er)比 DSOP 基板還要 高，分別為0.828mj 和 0.572mj；比較迴焊影響，未經過迴焊的樣本其上升能量(Er) 比經過三次迴焊的樣本還要高，分別為0.7mj0.491mj；比較錫球合金成份，SAC405 和SAC105 之上升能量(Er)比 LF35、SAC105+Ni 和 SAC105+Ge 還要低，其數值分 別為0.537mj / 0.561mj / 1.053mj / 1.033m 0.954mj；比較最大讀值，以 LF35 錫球
&IT 基板、SAC105+Ni 錫球&IT 基板、SAC105+Ge 錫球&IT 基板和 LF35 錫球
&DSOP 基板較大，分別為 1.053mj / 1.033mj / 0.954mj / 0.828mj。
球衝擊試驗結果，以衝擊後之基板表面殘錫狀況而言，大部分主要的基板表 面殘錫模式都是模式I (斷面在 IMC)，而在上升能量(Er)中我們發現，模式 升能量普遍都比模式I 的上升能量還要來得大。
就模式I 樣本而言，比較基板種類，IT
j /
表4.6-2
表4.6-3
R ising Ene rgy (mJ)
P e ak F o rc e (N )
R ising Time (ms)
R ising Ene rgy (mJ)
P e ak F o rc e (N )
R ising Time (ms)