改變電光調變器的頻率大小，並觀察其對光致電流的影響。由掃
圖組 3-11 中，綠色及紅色圖形之 CH1、CH2 分別為鎖相放大器 的channel 1 輸出和 channel 2 輸出，輸出值分別為 R cosθ及 R sin θ，其中R 是光致電流訊號的振幅度，θ為其相位。我們改變電光 調變器的頻率，由320 KHz 開始，以 20 KHz 為一個區間增加，並紀 錄下來。其實驗討論同第一部份，此次我們不施加偏壓。
320K Hz
340K Hz
360K Hz
380K Hz
400K Hz
420K Hz
圖組3-11 改變頻率大小，20K Hz 為一區間紀錄 其振幅和相位的變化
440K Hz
460K Hz
480K Hz
500K Hz
520K Hz
540K Hz
圖組3-11 改變頻率大小，20K Hz 為一區間紀錄 其振幅和相位的變化
560K Hz
580K Hz
600K Hz
圖組3-11 改變頻率大小，20K Hz 為一區間紀錄 其振幅和相位的變化
實驗結果如下：
我們使用電光調變器以調變雷射的頻率，我們由圖 3-11 得知，隨 頻率的上升CH1、CH2 的光致電流影像有規律的變化。我們得到的 相位影像為均勻分布而不能是隨離電極距離增加而產生之相位延遲 現象， 其原因是 LED 之電極間距過近，雷射光打在 LED 上很快就 被吸收形成光致電流，於是作用區上各點的相位都相去不遠。
首先，對 Channel 1 及 Channel 2 進行分析，Channel 1 為 R cosθ 隨頻率上升 θ 由 90 下降到 0 度，X 值理應隨頻率上升而增加。實際 上，在 480K Hz 時開始下降，原因是 R 隨頻率上升而下降，在 480khz 時 R 下降的值比 cosθ上升的值大，故我們會得到隨頻率上升Channel 1 先升後降的結果，圖 3-12。
圖 3-12 隨頻率上升Channel 1 之輸出值
Channel 2 為 R sinθ，頻率上升時相位及振幅皆下降，故得到 Channel 2 隨頻率上升而下降的結果，圖 3-13。
圖 3-13 隨頻率上升Channel 2 之輸出值
我們分析改變頻率後其LED 振幅及相位的變化。振幅隨著電光調 變器調變的頻率增加而下降，頻率上升導致雷射光打在LED 上之時 間縮短，LED 來不及完全反映故我們獲得的影像之強度下降。參照 鎖向放大器的定義其訊號相位為:
θ
signal= θ
ref- θ
Matlabθ ref : 鎖相放大器之參考頻率
θ signal : 光致電流訊號的相位
θ Matlab : 將X、Y 經 Matlab 計算所得之相位
圖3-14 的影像為 θ Matlab，而 θ ref為 5.36 度，我們便可得到 θ signal， 相位隨著電光調變器調變的頻率上升而增加。我們將頻率對振幅和相 位作圖，並對相位作零位移84.19 度。
圖 3-14 頻率對振幅和相位作圖
第四章 結論
4.1 結論
先前我們使用雙光子脈衝雷射對LED 進行激發，無法取得 RF OBIC 影像，於是我們使用半導體藍光雷射(PDL-800B)來對 LED 進行 激發，可獲得RF OBIC 影像，唯影像雜訊過大，於是我們假定是 OBIC 電路上之線路過長導致我們實驗會有如此大的雜訊，我們試著精簡電 路將這因素排除。此方法仍無法解決雜訊的問題，於是我們發現先前 使用雙光子脈衝雷射激發檢光器(photodiode)能產生 RF OBIC 影像，
其原因為檢光器的反應時間夠快，脈衝雷射掃描在檢光器上，檢光器
4.2 未來展望
先前本實驗室對工研院進行技術轉移，工研院將 LED 樣品進行靜 電放電 (Electrostatic Discharge, ESD)破壞，之後利用光致電流和光致 螢光觀測破壞後之影像。經靜電放電破壞，光致電流影像在破壞處會 產生漏電流(Current leakage)，如圖 4-1(a)所示。而光致螢光影像則在 破壞區無訊號，如圖4-1(b)所示。
我們接著將與工研院合作，利用本實驗室的共焦顯微技術及工研 院的儀器，兩者結合必能使我們的研究有更進一步的突破，並能擁有 更完整的LED 檢測流程，以達到電性和光學檢測整合的系統，更能 獲得LED 的所有特性。
(a) (b)
圖 4-1
(a) 經 ESD 破壞之 PL 影像 (b) 經 ESD 破壞之 OBIC 影像