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在本章節裡,我們呈現線形雷射鑷夾從模型模擬及實驗量測中,獲得細胞分離條件 的結果及討論。我們從全像雷射鑷夾系統,得到一長度為 22.5m 線形雷射鑷夾的光強 度分佈。在理論方面,根據光強度分佈,我們模擬出線形雷射鑷夾捕捉半徑3m 與 1.5m 微粒子的力場與位能分佈。從這兩個力場與位能的分佈我們可以了解線形雷射鑷夾捕捉 力的範圍。然後再由模型算出兩微粒子的捕捉力理論,從捕捉力的水平分量及垂直分量 討論捕捉力的分佈情形。接著從模型模擬出微粒子的軌跡及分離距離,從分離的距離得 到最佳化及有效的分離條件:水流溯及線形角度。此外,我們也模擬在微流管道裡,流 速的分佈以更準確的流速作為模型的參數。在實驗方面,我們測量線形雷射鑷夾捕捉力 的水平分量及垂直分量,然後與理論預測值比較得到誤差,並以誤差值驗證模型是準確 的。接著,呈現實驗量測的微粒子軌跡,並與理論值比較,以誤差值作驗證。最後從結 果中,討論細胞分離的效果,以達到快速分離的目的。

5-1 理論模擬結果

5-1-1 線形圖案光強度分佈

在模擬線形雷射鑷夾捕捉力前,我們必須先要有一重要參數,即線形雷射鑷夾光強 度分佈。此參數決定線形雷射鑷夾捕捉微粒子的捕捉力分佈。由上所述,輸入全像鐳射 鑷夾系統中的PPM 的相位圖形決定光強度分佈的圖形。如下圖所示,經由 GS 演算法,

我們算出線形相位圖形(圖 5.1),然後經由全像雷雷射鑷夾系統得到對應的光強度分佈圖 (圖 5.2),長度為 22.5m。經由計算,我們將二維光強度分佈轉換成二維的光功率值分 佈(圖 5.3)且由於大部分的光強度分佈在中心軸,因此簡化成一維的光功率值分佈(圖 5.4) 的結果。如此,就可將此參數以及其他的參數代入模型中,計算線形雷射鑷夾的捕捉力 分佈。理想上,從輸入PPM 的相位圖形得到的光強度分佈必須是均勻的,但從圖 5.2 知,光強度分佈並不均勻,這是由於系統光路以及元件的關係,造成的結果。因此,要 得到較好的光強度分佈可以從系統上來調整得到改善。

圖5.1 線形圖案的相位圖。形成線形光強度分佈所需對應的相位圖形

x y

x y

x y

圖 5.2 實際光強度分佈圖。將線形的相位圖形輸入 PPM 後,全像雷射鑷夾系 統產生的線形光強度分佈圖案,長度為 22.5m。理想上的線形光強度分佈會 是均勻的,但受光路設計及元件材質的影響,呈現不均勻的情況。

Position x (m)

Position y(m) Pow

er p(mW)

Position x (m)

Position y(m) Pow

er p(mW)

圖5.3 二維光功率分佈圖。由光強度分佈轉換成光功率分佈值

50 100 150 200 250

0.00005 0.0001 0.00015 0.0002 0.00025 0.0003

Pixel (#)

R ela tive Opt ic al Pow er (m W )

50 100 150 200 250

0.00005 0.0001 0.00015 0.0002 0.00025 0.0003

Pixel (#)

R ela tive Opt ic al Pow er (m W )

圖5.4 一維光功率分佈圖。大部分的光強度集中於中心軸,所以從二維簡化為 一維的光功率分佈。

5-1-2 線形雷射鑷夾捕捉微粒子之力場

有了線形圖案光功率分佈值之後,我們將此主要參數與其他的參數帶入理論模型 中,計算得到捕捉力的力場分佈情形。圖5.5 及 5.6 分別是線形雷射鑷夾捕捉半徑 1.5 m 與3 m 微粒子的捕捉力大小及方向變化的情形。圖的橫軸是微粒子的位置,縱軸是線 形雷射鑷夾捕捉微粒子的捕捉力,箭頭方向為捕捉力的方向,長度為捕捉力的大小。從 圖5.5 中我們可以看到箭頭方向指向三個位置,分別為-4.39 m, 2.38 m,與 8.60 m 以及從圖5.6 中也可以看到箭頭指向兩個位置,分別為-5.37 m 與 3.32 m,這些位置便 是捕捉力為零的地方,我們稱為穩定平衡位置(紅圈),也就是微粒子一旦進入線形雷射 鑷夾捕捉範圍後,最後會停在這些位置上。力場圖的呈現,讓我們能清楚的了解,線形 雷射鑷夾捕捉微粒子的捕捉範圍,也可以找到捕捉力最大的地方,也就是箭頭最長的地 方。

- 10 - 5 0 5 10 15 - 10

- 5 0 5 10 15

Position x (m)

0

5 5 10 15

-10 -15

0 2

-2 -1 1

Position y(m)

- 10 - 5 0 5 10 15 - 10

- 5 0 5 10 15

- 10 - 5 0 5 10 15 - 10

- 5 0 5 10 15

Position x (m)

0

5 5 10 15

-10

-15 -10 5 0 5 10 15

-15 0 2

-2 -1 1 0 2

-2 -1 1

Position y(m)

圖5.5 線形雷射鑷夾捕捉微粒子力場圖。在捕捉範圍內捕捉半徑 1.5m 微粒子 的力場分佈情形。箭頭表示力的方向,長度表示力的大小,紅圈為捕捉力為零 的位置,分別為-4.39 m, 2.38 m,與 8.60 m。

- 15 - 10 - 5 0 5 10 15 - 40

- 20 0 20 40

Position x (m)

0

-5 5 10 15

-10 -15

0 4

-4 -2 2

Position y ( m)

- 15 - 10 - 5 0 5 10 15 - 40

- 20 0 20 40

Position x (m)

0

-5 5 10 15

-10

-15 -10 -5 0 5 10 15

-15 0

4

-4 -2 2

0 4

-4 -2 2

Position y ( m)

圖 5.6 線形雷射鑷夾捕捉半徑 3m 微粒子的力場圖。箭頭表示力的方向,長 度表示力的大小,紅圈為捕捉力為零的位置,分別為-5.37 m 與 3.32 m。

5-1-3 線形雷射鑷夾捕捉微粒子之位能

除了從被捕捉微粒子的力場分佈了解被捕捉的情形之外,我們也可以從位能的分佈 模擬分析捕捉微粒子的能量大小,定性的判斷微粒子位能的分佈情形以及當形成一位能 井時,最低點處即是微粒子靜止平衡的位置。位能井的意義,有如一個碗,一顆珠子在 碗裡滾動,最後會停在碗裡的最低點,我們稱最低點處為位能零點。圖上是在捕捉微粒 子的範圍內的位能,我們以灰階值(0 黑~ 255 白)來表示位能的大小,由最大的位能(最白) 變化到位能為零(最黑),紅圈即是位能為零的地方。對應力場圖,我們同樣得到相同位 置的穩定平衡位置(位能為零)。

- 15 - 10 - 5 0 5 10 15

Position x (m)

0

Position y ( m)

- 15 - 10 - 5 0 5 10 15

Position x (m)

0

Position y ( m)

圖5.7 線形雷射鑷夾捕捉半徑 1.5m 微粒子的位能場圖。能量的大小,藉由灰

Position x (m)

0

Position y ( m)

- 15 - 10 - 5 0 5 10 15

Position x (m)

0

Position y ( m)

圖5.8 線形雷射鑷夾捕捉半徑 3m 微粒子的位能場圖。同圖 5.7,紅圈表示位 能為零,即捕捉力為零的地方。

5-1-4 線形雷射鑷夾捕捉力

xFy=0Np

Position x (m)

0

5 5 10 15

-10 -15

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