本論文的主要研究樣品為 InAs/InGaAs 厚度 2.34 ML 量子點，搭配與 3.3 ML 應力鬆弛的比較，讓我們的研究有了更有力的佐證。由於樣品於 DLTS 量測結果 中所擬合出來的活化能與捕捉截面積不同於一般們所看到的數量級，讓我們將一 開始研究方向指向是否是因為 DLTS 有限的掃動速率下無法將所有缺陷訊號掃 出，因而造成擬合值的誤判，進而我們將 2.34 ML 樣品與已知 DLTS 量測下有 misfit 缺陷存在的 3.3 ML 樣品，去做了改變掃動速率的 CV 量測，由量測結果證 實，3.3 ML 樣品在實驗結果中完全不會看到電容值的變化，而 2.34 ML 樣品卻 在高溫下看見明顯的電容值變化，因而證實了 2.34 ML 樣品確實存在一個 DLTS 難以量測到的缺陷，且其缺陷是存在時間常數。
而為了對樣品在照光後的特性有更多了解，我們將兩片樣品都做了隨激發能 量變化的光電容實驗，由實驗結果確立了光電容趨勢上的三個區域分別由於 (1).
EL2 缺陷受光激發後，淨電子量貢獻在光電容上，因而造成光電容的抬升 (2). PL 光譜發光能量位置對應在低光電容值能量位置，說明了是由於載子覆合機制導致 光電容下降 (3). 1.3 eV 下光電容值的急劇抬升，為一深層缺陷所導致；而兩片樣 品在光電容值有極大的差距，發現是由於 3.3 ML 應力鬆弛樣品長晶過程中，發 生銦鎵交換(In/Ga intermixing)形成 InGa，導致品 EL2 (AsGa)缺陷與 V Ga的缺乏，
因而成就不了大的電容值。而為了進一步證實深層能階的存在，我們選擇不同激 發光源對 2.34 ML 樣品做 PL 光譜實驗，實驗上我們清楚看到，在特定的激發能 量 1.37 eV 與 1.17 eV 下，PL 光譜約在 0.95 eV 處會看到多出來的一包訊號，由 其發光位置在能帶圖上的推算，推測其為深層能階缺陷電子被激發到 InGaAs 量 子井後，再回到量子點激態做佔據，最後再回到缺陷能階上覆合，而這個結果也 可以確立了，樣品中缺陷確實是會跟量子點做交互作用(interaction)的。最後一部 份是選用了兩個特定的激發光源做 CV 量測，由量測的結果看到激發光源 0.8 eV
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時，低溫下隨 power 變大縱深圖上量子點訊號明顯有 shift，我們進而猜測是 EL2 缺陷中電子被激發出來，多貢獻的電容使整體電容值變大造成等效空乏區位置縮 短而導致，然而照射 1.17 eV 光源時卻發現訊號不會有 shift 的現象，讓我們感覺 1.17 eV 光源是沒有激發缺陷；並且在縱深圖中發現訊號有一包變大一包不變的 趨勢，此情況說明了 1.17 eV 光源是激發量子點，並沒有激發缺陷訊號。
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