二、 退火800度試片出現約150nm厚的非晶質層，氧並未如預期擴 散進入塊材，反而由於其他外在或是內在因素使得厚度增加
最後則比較親水性砷化鎵與斥水性砷化鎵介面是否對介面造成影響：
五、 比較試片組退火條件為800度兩小時，結果顯示介面氧化層厚 度並沒有太大改變，並且由EDX分析可知，即使使用親水性砷 化鎵與斥水性矽接合，介面氧化層的成份組成大部分依然為 氧與矽，與文獻中提出的現象觀察相符合
電性量測方面，使用不同幾何條件的試片組作為研究，由一直接面的 特性可以瞭解電性圖中負偏壓的部份代表電洞由砷化鎵流矽，也得知 電洞流動方向不同所遇到的能障也會不同，結論如下：
六、 兩試片負偏壓部份出現相同的現象，除去900度，退火溫度由 500度增加到800度砷化鎵流向矽有越來越容易導通的趨勢
七、 300μm-thick-Si試片結果，負偏壓的部份電阻隨著退火溫度 上升而變大，正偏壓的部份則在500度至800度區間當中有相 同的現象
八、 500μm-thick-Si試片結果，正偏壓的部份則在500至700度之 間發現電阻變大的現象，但於800度時又再度降低，呈現比較 不規則的情況
六、未來工作
網格狀結構雖然使試片可以減少熱應力的影響使試片經歷高溫 退火後成功接合，但是卻使製作穿透式電子顯微鏡試片變得更為困 難，另外加以砷化鎵與矽在離子減薄時離子蝕刻速率不同，更使的試 片難度大大的提高，造成實驗數據取得不易。未來除了將數據補齊之 外，還可尋找其他方式製作，或是使製作難度降低。
介面研究方面，最重要的是釐清介面氧的來源。由於非晶質層的 厚度已經超過原生氧化層的厚度太多，因此必定有其他補充氧的管 道。另外，500到800以及800到900中間經歷的介面變化機制不明，也 是未來介面研究時重要的課題。
電性研究方面必須先釐清P型砷化鎵與P型矽接合能帶關係，之後 瞭解偏壓對能帶與載子傳輸的影響，最後就介面型態與電性圖以理論 作連結，完整解釋所有的實驗數據。
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