結論

現象會較為劇烈；同時，又因為雷射穿透的深度較淺，所以KrF excimer laser 較不會在材料內部造成傷害。由於KrF excimer laser 較長的脈衝時間會導致 塑形波與振動波的產生，進而在剝離界面約200nm 處形成非常密集的缺陷。

所以KrF excimer laser 在剝離的過程所形成的缺陷大多只局限於剝離界面的 表面區域（superficial region）。另一方面，同時 Nd:YAG laser 較短的脈衝時 間，並不會導致振動波的形成，也就不會造成GaN/sapphire 界面產生缺陷。

度。其電性量測的結果顯示，濕式蝕刻的PSS-LED 與傳統平面型的 LED 無 異。雖然不管一次或二次濕式蝕刻的PSS-LED 都有提昇亮度的功能，但是 二次蝕刻PSS-LED 的提昇效果更為顯著。PSS-LED 的發光效率很明顯的會 隨著側向成長的面積成正比。

藉由上述初步實驗的結果，我們更進一步的利用不同程度的二次濕蝕刻 的方式來提昇濕蝕刻基板圖案形貌的設計自由度。利用不同程度的蝕刻過程 中可以PSS 基板上角錐面積、角度、表面形貌的變化，不僅可以達到減少 c-sapphire 的面積與增加 GaN 側向成長面積的要求，更可以提昇 LED 的光 取出率。利用此方式所製作出來的D-PSS 基板其 c-sapphire 可以減少至 9%，

角錐斜面可以降低至31.6°。GaN 在 D-PSS 基板上的磊晶品質經過 XRD rocking curve、EPD 的量測與計算都同時證明了差排缺陷密度的減少。D-PSS LED 的發光強度和輸出功率甚至比 A-PSS 大幅提昇了 53%和 38%，其內部 量子效率、光取出效率更比A-PSS 提昇了 10%和 8％。

參考文獻

6. M. K. Kelly, O. Ambacher, B. Dahlheimer, G. Groos, R. Dimitrov, H. Angerer,and M. Stutzmann., Appl. Phys. Lett. 69 1749 (1996).

7. M. K. Kelly, O. Ambacher, R. Dimitrov, R. Handschuh, and M. Stutzmann, Phys.Status Solidi A, 159, R3 (1997).

8. W. S. Wong, T. Sands, and N. W. Cheung, Appl. Phys. Lett., 72, 599 (1998).

9. M.K. Kelly, R.P. Vaudo, V.M. Phanse, L. Görgens, O. Ambacher and M. Stutzmann. Jpn. J. Appl.

Phys., 38 217 (1999).

K. Mishra, Appl. Phys. Lett., 73, 975 (1998).

18. J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, R. J. Molnar, B. Heying and J. S. Speck., Appl. Phys. Lett., 81, 79 (2002).

19. J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, D. V. Lang, S. Richter, S. N. G. Chu, A. M. Sergent, R.N. Kleiman, L.

N. Pfeiffer, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett., 78, 1685 (2001).

20. E. J. Miller, D. M. Schaadt, E. T. Yu, C. Poblenz, C. Elsass, and J. S. Speck., J. Appl.

Phys., 91 9821 (2002).

21. B. S. Simpkins, E. T. Yu, P. Waltereit and J. S. Speck., J. Appl. Phys., 94 1448 (2003).

22. D. S. Li, H. Chen, H. B. Yu, H. Q. Jia, Q. Huang, and J. M. Zhou., J. Appl. Phys., 96 1111 (2004).

23. R. F. Egerton, Electron Energy-Loss Spectroscopy in the Electron Microscope,2nd ed. Plenum, New York, (1996), p. 301.

24. J. F. Muth, J. H. Lee, I. K. Shmagin, R. M. Kolbas, H. C. Casey, Jr., B. P. Keller,U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett., 71, 18 (1997).

25. Z W. H. Chen, X. N. Kang, X. D. Hu, R. Lee, Y. J. Wang, T. J. Yu, Z. J. Yang, G. Y.hang, L. Shan, K. X. Liu, et al., Appl. Phys. Lett., 91, 121114 (2007).

26. T. Nishinaga, T. Nakano and S. Zhang, Jpn. J. Appl. Phys. 27, L964 (1988).

27. T.S. Zheleva1, W.M. Ashmawi, and K.A. Jones, phys. stat. sol. (a) 176545 (1999).

28. H. Miyake, A. Motogaito, and K. Hiramatsui, Jpn. J. Appl. Phys., 38 L1000 (1999).

29. P. Fini, L. Zhao, B. Moran, and M. Hansen, H. Marchand ,J. P. IbbetsonS. P. DenBaars,U. K.

Mishra, J. S. Speck, Appl. Phys. Lett., 75 1706 ( 1999 ).

30. H. Amano, I. Akasaki, K. Hiramatsu, N. Koide, and N. Sawaki, Thin Solid Films 163, 415 (1988).

31. K. Hiramatsu, S. Itoh, H. Amano, I. Akaski, N. Kuwano, T. Shiraishi, and K. Oki, J. Cryst.

Growth 115, 628 (1991).

32. H. Amano, N. Sawai, I. Akasaki and Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986)

33. I. Akasaki, H. Amano, Y. Koide, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, J. Cryst. Growth 98, 209 (1989).

34. S. Nakamura. Japan J. appl. Phys. 30 L1705 (1991).

35. M. S. Yi, H. H. Lee, D. J. Kim, S. J. Park, D. Y. Noh, C. C. Kim, and J. H. Je, Appl. Phys. Lett. 75, 2187 (1999).

36. J. N. Kuznia, M. A. Khan, D. T. Olson, R. Kaplan, and J. Freitas, J. Appl. Phys. 73, 4700 (1993).

37. K. Uchida, K. Nishida, M. Tadano and H. Munekata. J. Cryst. Growth 189–190 270 (1998).

38. I. Schnitzer, E. Yablonovitch , Appl. Phys. Lett., 63 2174 (1993).

39. M. R. Krames, M. Ochiai-Holcomb, G. E. Höfler, C. Carter-Coman, E. I. Chen, I.-H. Tan, P.

40. J. J. Wierer, D. A. Steigerwald, M. R. Krames, J. J. O'Shea, M. J. Ludowise, G. Christenson, Y.-C.

Shen, C. Lowery, P. S. Martin, S. Subramanya, W. Götz, N. F. Gardner, R. S. Kern, and S. A.

Stockman, Appl. Phys. Lett. 78, 3379 (2001)

41. W. C. Peng and Y. C. Sermon Wu, Appl. Phys. Lett. 88 181117 (2006).

42. C. E. Lee, Y. J. Lee, H. C. Kuo, M. R. Tsai, B. S. Cheng, T. C. Lu, S. C. Wang and C. T. Kuo, IEEE Photon. Tech. Lett. 19 1200 (2007).

43. H. W. Huang, C. H. Lin, C. C. Yu, B. D. Lee, C. H. Chiu, C. F. Lai, H. C. Kuo, K. M. Leung, T. C.

Lu, and S. C. Wang., Nanotechnology 19 185301 (2008).

44. Y. C. Sermon Wu, C. Liao and W. C. Peng, Electrochem. Solid-State Lett., 10 J126 (2007) 45. C. E. Lee, H. C. Kuo, Y. C. Lee, M. R. Tsai, T. C. Lu, S. C. Wang, and C. T. Kuo, IEEE Photon.

Tech. Lett. 20 184 (2008).

46. Dae-Seob Han, Ja-Yeon Kim, Seok-In Na, Sang-Hoon Kim, Ki-Dong Lee, Bongjin Kim, and Seong-Ju Park, IEEE Photon. Tech. Lett. 18 1406 (2006).

47. C. F. Shen, S. J. Chang , W. S. Chen, T. K. Ko, C. T. Kuo, and S. C. Shei IEEE Photon. Tech. Lett.

19 780 (2007).

48. K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, Y. Imada, M. Kato and T. Taguchi:Jpn. J.

Appl. Phys. 40 L583 (2001).

49. K. Tadatomo, H. Okagawa, T. Tsunekawa, T. Jyouichi, Y. Imada, M. Kato, H. Kudo and T.

Taguchi., Phys. Stat. Sol. (a) 188 121 (2001).

50. M. Yamada, T. Mitani, Y. Narukawa, S. Shioji, I. Niki, S. Sonobe, K. Deguchi, M. Sano and T.

Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 41 L1431 (2002).

51. Y.P. Hsu, S.J. Chang, Y.K. Su, J.K. Sheu, C.T. Lee, T.C. Wen, L.W. Wu, C.H. Kuo, C.S. Chang and S.C. Shei, J. Cryst. Growth 261 466 (2004).

52. D.S. Wuu, W.K. Wang, W.C. Shih, R.H. Horng, C.E. Lee, W.Y. Lin and J.S. Fang, IEEE Photon.

Technol. Lett. 17 288 (2005).

53. Z. H. Feng, and K. M. Lau., IEEE Photon. Technol. Lett., 17, 1812 (2005)

Growth., 298 219 (2007)

59. J. Lee, J. Oh, S. Choi, Y. Kim, H.k Cho, and J. Lee, IEEE Photon. Tech. Lett., 20 345 (2008).

60. F. Dwikusuma, D. Saulys, and T. F. Kuech, J. Electrochem. Soc., 149, G603 (2002)

61. Y. J. Lee, J. M. Hwang, T. C. Hsu, M. H. Hsieh, M. J. Jou, B. J. Lee, T. C. Lu, H. C. Kuo and S. C.

Wang, IEEE Photon. Tech. Lett., 18 1152 (2006).

62. J.Wang, L.W. Guo, H.Q. Jia, Z.G. Xing, Y. Wang, J.F. Yan, N.S. Yu, H. Chen, J.M. Zhou, J. Cryst.

Growth., 290 398 (2006).

63. D. L. Smith and P. P. Ruden, J. Appl. Phys. 101, 084503 (2007).

64. T. V. Cuong, H. S. Cheong, H. G. Kim, H. Y. Kim, C. H. Hong, E. K. Suh, H. K. Cho, and B. H.

Kong, Appl. Phys. Lett. 90, 131107 (2007)

65. T. S. Ko, T. C. Wang, R. C. Gao, Y. J. Lee, T. C. Lu, H. C. Kuo, S. C. Wang and H. G. Chen, Appl. Phys. Lett. 90 013110 (2007)

66. Chang-Chi Pan, Chi-Hsun Hsieh, Chih-Wei Lin, and Jen-Inn Chyi, J. Appl. Phys. 102 084502 (2007)

67. J. Mei, F. A. Ponce, R. S. Qhalid Fareed, J. W. Yang, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett., 90 221909 (2007),

68. Haiyong Gao, Fawang Yan, Yang Zhang, Jinmin Li, Yiping Zeng, and Guohong Wang, J. Appl.

Phys., 103 014314 (2008)

69. H. Lin, R. Lin, J. Chyi and C. Lee, IEEE Photon. Tech. Lett., 20 1621 (2008) 70. C.-C Sun, C.-Y, Lin, T.-X, Lee, and T.-H, Yang, Opt. Eng., 43 1700 (2004).

71. S. Watanabe, N.Yamada, M.Nagashima, Y. Ueki, C. Sasaki, Y. Yamada, and T. Taguchi, K.

Tadatomo, H. Okagawa, and H. Kudo., Appl. Phys. Lett. 83 4906 (2003)

73. B. Heying,X. H. Wu,S. Keller,Y. Li,D. Kapolnek,B. P. Keller, S. P. DenBaars,and J. S.

Speck, Appl. Phys. Lett. 68 643 (1996).