總結

AgSnSb3Se6由X光粉末繞射與單晶繞射的直接觀察，就可推測 其結構與實驗室先前所合成的AgPbSb3Se6相同。但此化合物中個別陽 離子的電子數過於接近，為了分辦此化合物中陽離子位置的填佔原子 種類，比較了數個同結構化合物中，各陽離子位置在置換了不同陽離 子後，電子密度的變化情況；接著，對於不同族金屬陽離子，在這一 種結構中的填佔情況，做了一個初步的推測及整理。然而推論的正確 性及完整性，還需仰賴合成及發現更多的相關化合物。物理性質方 面，AgSnSb3Se6電阻值會隨著溫度的上升而下降，Seebeck係數在 312 至 700K之間為正值，是一P型半導體。雖然有一個尚可的熱功率值，

但電阻比起其他已知熱電材料來顯得偏高，限制了實用的可能性。

Cu0.9Sn1.2Sb4.9Se9與AgSnBi3Se6是在尋找上述等結構化合物的過 程中，所發現的新化合物。雖然Cu0.9Sn1.2Sb4.9Se9也遭遇了陽離子位置 判斷的困難，但在與實驗室先前合成的Cu0.8Sn1.4Bi4.8Se9互相比較之 下，能對所遇到的問題做出一些推測。此系統尚未能避免Sb2Se3或 Bi2Se3等穩定二元副產物的干擾，若在反應條件或比例的調整後能得 到純相的產物，就能對推論得到的化學式做驗證，以及測量其物理性

質。AgSnBi3Se6在結構分析時，與文獻上的Ag3Bi7Se12比較之下，能 觀察到由於Sn的存在，一些陽離子位置有電子密度的下降；但其晶體 數據以及結構，需要有品質更好的晶體來做確認或修正。物性方面，

AgSnBi3Se6為一n型半導體，雖然與AgSnSb3Se6在同族元素有相同的 比例，但結構及性質都不相同。

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