為了驗證選擇性修飾是否真的可提高感測速度，利用螢光與電性量測作驗 證，選擇性修飾部分利用 2-3-1 節將 MPEG-sil 修飾於電阻式 nanobelt 矽奈米元 件，施加焦耳熱效應後和另外未做 MPEG-sil 利用 2-4-1 節方法修飾 APTES 後，
用 2-4-2 節修飾 biotin，最後利用 2-6-1 節架設流道，流入 streptavidin，流速 100 µl/min，濃度 10 µg/ml，體積 50 µl，每流一次量測螢光訊號以及 Vth shift。圖 3-10-1 (a)為螢光量測圖，上方列為有作選擇性修飾結果，下方列則未作選擇性修飾，
由左至右為流入 streptavidin 螢光顯微鏡圖，第一部分為未流入 streptavidin，由 圖可知幾乎沒有螢光表現，第二部分為第一次流入 streptavidin，由圖可知有作選 streptavidin 已達飽和，所以在第五次流入 streptavidin 時，已無多餘的 streptavidin 可 鍵 結 於 元 件 低 參 雜 感 測 區 ， 因 此 在 螢 光 顯 微 照 射 下 ， 有 部 分 帶 螢 光 的 streptavidin 螢光衰退，而未作選擇性修飾的差異則不大，因此由螢光圖可知作選 擇性修飾的確可將 streptavidin 集中於元件感測區。圖 3-10-1 (b)為第四次流入 streptavidin 時，選擇性修飾低參雜感測區與高參雜區域螢光分佈圖如線 A-B 表 示，在元件低參雜感測區由於施加焦耳熱，可將 MPEG-sil 剝除並修飾上
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streptavidin，其餘部分則因為無法施加焦耳熱效應而有原先修飾上的 MPEG-sil，
故可阻止大多數的 streptavidin 附著，故螢光量幾乎為零，而圖 3-10-1 (c)為流入 streptavidin 不同次數螢光比較圖，由圖可得知作選擇性修飾在感測區的螢光強度 均明顯大於未作選擇性修飾區域，有作選擇性修飾的螢光在第五次亮度較第四次 弱，推測原因為第四次 streptavidin 鍵結已飽和，因此第五次流入時，已無 streptavidin 可鍵結，但在螢光顯微鏡照射下，有部分的螢光訊號衰退，因此訊號 減弱。
圖 3-10-1、選擇性修飾與未選擇性修飾螢光分佈圖 (a) 流入不同次數 streptavidin 螢光圖 (b) 元件低參雜感測區 A-B 線段螢光分佈圖 (c) 元件低參雜
感測區不同次數螢光分佈圖。
除了螢光驗證，電性驗證方面也比較選擇性修飾與未作選擇性修飾Vth shift 差異；圖3-10-2 (a)為在電阻式nanobelt矽奈米元件上修飾MPEG-sil後施加焦耳熱 效應後每流入一次streptavidin量測其ID-VG圖；圖3-10-2 (b)為未作選擇性修飾，
將電阻式nanobelt矽奈米元件修飾上APTES後，每流入一次streptavidin量測其 ID-VG圖；圖3-10-2 (c)為將每次流入streptavidin後造成VG的改變對流入次數作圖
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所得到的結果，Vth shift顯示選擇性修飾元件在第二流入streptavidin時就有顯著改 變，而在第五次流入streptavidin時Vth shift改變減緩，選擇性修飾元件在第四次流 入streptavidin時Vth shift改變量大約為35 mV，而未作選擇性修飾元件在第四次流 入streptavidin時Vth shift改變量大約只有10 mV，因此作選擇性修飾由於可將待測 檢體集中於元件感測區，因此對於量測低濃度以及減少量測時間有相當大的助 益。
圖 3-10-2、不同流入 streptavidin 次數電性量測圖 (a) 選擇性修飾 (b) 未選擇性 修飾 (c) Vth shift 比較圖。
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